1.一种动态电弧生长仪，其特征在于，包括高压正极、高压负极、控制处理器、第一IGBT、第二IGBT、限流电阻、正钨电极杆组和负钨电极杆组，所述正钨电极杆组包括第一钨电极杆、第二钨电极杆、第三钨电极杆、第四钨电极杆、第五钨电极杆和第六钨电极杆，所述负钨电极杆组包括第七钨电极杆、第八钨电极杆、第九钨电极杆、第十钨电极杆、第十一钨电极杆和第十二钨电极杆，正钨电极杆组和负钨电极杆组交叉排列，并构成放电单元二维点阵，正钨电极杆组和负钨电极杆组为上下交叉，两个钨电极杆组之间的间隙为d，正钨电极杆组为竖向排列，正钨电极杆组依次通过限流电阻、第一IGBT和高压正极相连，负钨电极杆组为横向排列，负钨电极杆组通过第二IGBT与高压负极相连，所述控制处理器分别与第一IGBT和第二IGBT相连。
2.根据权利要求1所述一种动态电弧生长仪，其特征在于，正钨电极杆组和负钨电极杆组中，相邻两钨电极杆的间距为4mm，每个钨电极杆的直径为1mm。
3.根据权利要求1所述一种动态电弧生长仪，其特征在于，两个钨电极杆组之间的间隙d为1mm。
4.根据权利要求1所述一种动态电弧生长仪，其特征在于，高压正极为1千伏高压正极，高压负极为1千伏高压负极。
5.根据权利要求1所述一种动态电弧生长仪，其特征在于，第一IGBT和第二IGBT的放电频率为40KHz。