技术总结
本实用新型公开了一种动态电弧生长仪，包括高压正极、高压负极、控制处理器、第一IGBT、第二IGBT、限流电阻、正钨电极杆组和负钨电极杆组，正钨电极杆组和负钨电极杆组呈上下排列，正钨电极杆组依次通过限流电阻、第一IGBT和高压正极相连，负钨电极杆组为横向排列，负钨电极杆组通过第二IGBT与高压负极相连，所述控制处理器分别与第一IGBT和第二IGBT相连。本实用新型避免直流电弧生长法衬底温度波动大，避免温度中心到边缘的温度梯度不足的问题，该动态电弧生长仪具有高电弧温度，稳定温度场和可调节的温度梯度，便于制备大面积均匀金刚石膜。
技术研发人员：陈海勇;陈熙野;姜志刚
受保护的技术使用者：吉林大学
文档号码：201720021514
技术研发日：2017.01.09
技术公布日：2017.08.11