本实用新型涉及真空镀铝薄膜技术领域，尤其涉及一种双面真空薄膜镀铝装置。
背景技术：
现有技术中，真空薄膜镀铝装置只能单面镀膜，但是很多应用场合需要双面镀膜的片状基材，这时候现有技术中的真空薄膜镀铝装置只能分别单面镀膜，分两次镀膜造成加工效率低下，无法满足生产需要。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种双面真空薄膜镀铝装置，所要解决的技术问题是如何提高成膜效率，一次完成双面镀膜。
本实用新型所述的双面真空薄膜镀铝装置包括真空室，真空室内设置有开卷机、收卷机、片状基材、第一冷却滚筒、第一铝蒸镀源、第二铝蒸镀源、第二冷却滚筒、气体喷嘴和隔板，所述隔板将真空室分隔成上层和下层，第一铝蒸镀源和第二铝蒸镀源位于下层，开卷机、收卷机和气体喷嘴位于上层；隔板上设置有两个平行的条形孔，第一冷却滚筒和第二冷却滚筒分别位于其中一个条形孔内，开卷机、第一冷却滚筒、第二冷却滚筒和收卷机组成传动系统，片状基材设置在该传动系统上；开卷机的旋转方向与第一冷却滚筒的旋转方向相反；第一冷却滚筒的旋转方向与第二冷却滚筒的旋转方向相反；第二冷却滚筒的旋转方向与收卷机的旋转方向相反；第一铝蒸镀源设置在第一冷却滚筒的正下方；第二铝蒸镀源设置在第二冷却滚筒的正下方；第一铝蒸镀源与第一冷却滚筒的下表面上的片状基材的正面相对；第二铝蒸镀源与第二冷却滚筒的下表面上的片状基材的反面相对。
所述的气体喷嘴设置在收卷机的斜上方，气体喷嘴与氧化气体配管连接，所述的氧化气体配管上设置有流量阀。
所述的第一冷却滚筒和第二冷却滚筒的温度维持在-10℃至-15℃之间。
所述的第一冷却滚筒和第二冷却滚筒的旋转速度维持在300至900厘米/秒之间。
所述真空室内的压力维持在2.66×10-5KPa至2.66×10-6KPa之间。
本实用新型的技术方案具有如下优点：
本实用新型所述的双面真空薄膜镀铝装置能够一次完成双面镀膜，成膜效率高，而且通过设置隔板，有效防止了片状基材上吸附的气体和水分造成的蒸发装置附近的真空度变差。
附图说明
图1是本实用新型所述的双面真空薄膜镀铝装置的结构示意图。
具体实施方式
以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。
如图1所示，本实用新型所述的双面真空薄膜镀铝装置包括真空室1，真空室1内设置有开卷机2、收卷机3、片状基材4、第一冷却滚筒5、第一铝蒸镀源6、第二铝蒸镀源7、第二冷却滚筒8、气体喷嘴9和隔板16，所述隔板16将真空室1分隔成上层和下层，第一铝蒸镀源6和第二铝蒸镀源7位于下层，开卷机2、收卷机3和气体喷嘴9位于上层；隔板16上设置有两个平行的条形孔，第一冷却滚筒5和第二冷却滚筒8分别位于其中一个条形孔内，开卷机2、第一冷却滚筒5、第二冷却滚筒8和收卷机3组成传动系统，片状基材4设置在该传动系统上；开卷机2的旋转方向与第一冷却滚筒5的旋转方向相反；第一冷却滚筒5的旋转方向与第二冷却滚筒8的旋转方向相反；第二冷却滚筒8的旋转方向与收卷机3的旋转方向相反；第一铝蒸镀源6设置在第一冷却滚筒5的正下方；第二铝蒸镀源7设置在第二冷却滚筒8的正下方；第一铝蒸镀源6与第一冷却滚筒5的下表面上的片状基材4的正面相对；第二铝蒸镀源7与第二冷却滚筒8的下表面上的片状基材4的反面相对。
所述的气体喷嘴9设置在收卷机3的斜上方，气体喷嘴9与氧化气体配管14连接，所述的氧化气体配管14上设置有流量阀15。
所述的第一冷却滚筒5和第二冷却滚筒8的温度维持在-10℃至-15℃之间。
所述的第一冷却滚筒5和第二冷却滚筒8的旋转速度维持在300至900厘米/秒之间。
所述真空室1内的压力维持在2.66×10-5KPa至2.66×10-6KPa之间。
本实用新型所述的双面真空薄膜镀铝装置在运行时，开卷机2旋转带动片状基材4沿着第一冷却滚筒5、第二冷却滚筒8和收卷机3组成的传动系统运动，由于开卷机2的旋转方向与第一冷却滚筒5的旋转方向相反；第一冷却滚筒5的旋转方向与第二冷却滚筒8的旋转方向相反；第二冷却滚筒8的旋转方向与收卷机3的旋转方向相反；因此如图1所示，第一铝蒸镀源6与第一冷却滚筒5的下表面上的片状基材4的正面相对；第二铝蒸镀源7与第二冷却滚筒8的下表面上的片状基材4的反面相对，也就是说，第一铝蒸镀源6对片状基材4的正面进行蒸镀，第二铝蒸镀源7对片状基材4的反面进行蒸镀，从而实现一次完成双面镀膜。
第一铝蒸镀源6和第二铝蒸镀源7蒸发出的铝蒸汽沉积在片状基材4的正面和反面上。第一冷却滚筒5和第二冷却滚筒8持续在旋转，同时第一冷却滚筒5和第二冷却滚筒8冷却到-10℃至-15℃，促进铝蒸汽在片状基材上的冷凝沉积。沉积了铝膜的片状基材由收卷机3收卷，缠绕成筒状的复合基材。在收卷机3收卷之前，通过气体喷嘴9将氧化性气体(例如氧气)喷射到片状基材上的铝膜中，能够提高铝膜与片状基材之间的粘着力，避免铝膜脱落。虽然，上文中已经用一般性说明及具体实施例对本实用新型作了详尽的描述，但在本实用新型基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本实用新型精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本实用新型要求保护的范围。