本实用新型涉及真空镀铝薄膜技术领域，尤其涉及一种能够提高附着力的真空薄膜镀铝装置。
背景技术：
现有技术中，真空薄膜镀铝装置利用电阻加热法将待沉积的铝加热到熔融状态，在熔融状态的铝发生蒸发，蒸发的铝沉积在片状基材上，形成真空镀铝薄膜，但是这种电阻加热法需要耗费大量电能。另外，这种蒸镀方法形成的薄膜多为多孔性结构，蒸发的铝蒸汽与片状基材之间的粘着力较小，容易脱落。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种能够提高附着力的真空薄膜镀铝装置，所要解决的技术问题是如何提高成膜的质量，使薄膜的粘着力增强，同时降低能耗。
本实用新型所述的能够提高附着力的真空薄膜镀铝装置包括真空室，真空室内设置有开卷机、第一导向辊、第二导向辊、冷却滚筒、收卷机和蒸镀盘，蒸镀盘设置在真空室的底部，蒸镀盘内设置有待沉积的铝，冷却滚筒设置在蒸镀盘的上方；蒸镀盘的上方还设置有石墨加热器；开卷机设置在蒸镀盘的一侧；第一导向辊设置在开卷机的上方；开卷机和第一导向辊之间设置有等离子体发射装置；第二导向辊设置在第一导向辊与冷却滚筒之间；收卷机设置在真空室的顶部的一侧。
所述的冷却滚筒的温度维持在-10℃至-15℃之间。
所述的冷却滚筒的旋转速度维持在300至900厘米/秒之间。
所述真空室内的压力维持在2.66×10-5KPa至2.66×10-6KPa之间。
所述开卷机、第一导向辊、第二导向辊、冷却滚筒和收卷机组成传动系统，该传动系统上设置有片状基材。
本实用新型的技术方案具有如下优点：
本实用新型所述的能够提高附着力的真空薄膜镀铝装置利用等离子体轰击片状基材的表面，等离子体与片状基材发生持续碰撞，去除片状基材表面上吸附的氧气、湿气和任何其他低分子量的物质。经过等离子体轰击的片状基材表面被明显粗糙化，能够有效地提高铝蒸汽与片状基材表面之间的粘着力，避免铝膜脱落。同时利用石墨加热器加热待沉积的铝，使铝蒸发或或升华成铝蒸汽，减小了能耗。
附图说明
图1是本实用新型所述的能够提高附着力的真空薄膜镀铝装置的结构示意图。
具体实施方式
以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。
如图1所示，本实用新型所述的能够提高附着力的真空薄膜镀铝装置包括真空室11，真空室11内设置有开卷机12、第一导向辊16、第二导向辊17、冷却滚筒18、收卷机26和蒸镀盘24，蒸镀盘24设置在真空室11的底部，蒸镀盘24内设置有待沉积的铝22，冷却滚筒18设置在蒸镀盘24的上方；蒸镀盘24的上方还设置有石墨加热器20；开卷机12设置在蒸镀盘24的一侧；第一导向辊16设置在开卷机12的上方；开卷机12和第一导向辊16之间设置有等离子体发射装置4；第二导向辊17设置在第一导向辊16与冷却滚筒18之间；收卷机26设置在真空室11的顶部的一侧。
所述的冷却滚筒18的温度维持在-10℃至-15℃之间。
所述的冷却滚筒18的旋转速度维持在300至900厘米/秒之间。
所述真空室111内的压力维持在2.66×10-5KPa至2.66×10-6KPa之间。
所述开卷机12、第一导向辊16、第二导向辊17、冷却滚筒18和收卷机26组成传动系统，该传动系统上设置有片状基材13。
本实用新型所述的能够提高附着力的真空薄膜镀铝装置在运行时，开卷机12旋转带动片状基材13沿着第一导向辊16、第二导向辊17、冷却滚筒18和收卷机26组成的传动系统运动，等离子体发射装置4发射的等离子体5轰击开卷机12和第一导向辊16之间的片状基材13，去除片状基材表面上吸附的氧气、湿气和任何其他低分子量的物质。研究发现，片状基材表面上吸附的氧气、湿气和任何其他低分子量的物质是造成蒸发的铝蒸汽与片状基材之间的粘着力较小、容易脱落的重要原因，因此去除这些物质之后能够显著提高铝蒸汽与片状基材之间的粘着力。而且经过等离子体轰击的片状基材表面被明显粗糙化，也能够有效地提高铝蒸汽与片状基材表面之间的粘着力，避免铝膜脱落。
石墨加热器20加热蒸镀盘24内的待沉积的铝22，铝被蒸发或升华成铝蒸汽25，经过等离子体轰击的片状基材运动到冷却滚筒18的底部的时候，铝蒸汽25沉积在冷却滚筒18的底部的片状基材上。冷却滚筒18持续在旋转，同时冷却滚筒18冷却到-10℃至-15℃，促进铝蒸汽在片状基材上的冷凝沉积。沉积了铝膜的片状基材变成复合基材19，由收卷机26收卷，缠绕成筒状的复合基材。
虽然，上文中已经用一般性说明及具体实施例对本实用新型作了详尽的描述，但在本实用新型基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本实用新型精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本实用新型要求保护的范围。