本实用新型属于磁控溅射领域，具体涉及一种对置靶座磁控溅射装置。
背景技术：
在对一些金属材料表面进行磁控溅射镀膜时，由于金属材料在大气中存放时会在表面形成氧化层而难以获得结合力较好的镀层薄膜，为此最佳的办法是在真空腔体内镀膜前进行在线清洗，目前清洗的方法等离子体轰击需镀膜材料表面。传统的做法是在溅射装置中配置等离子枪，一般等离子枪价格都较高，且需要配置相应的控制电源。
除了在线清洗外，有些高分子材料在电子轰击下容易产生一些反应，造成材料的损伤。这时必须采用方案对射向基片的电子进行阻挡，传统的办法包括采用接地金属网对电子进行一定的收集。
技术实现要素：
针对上述问题，本实用新型提出一种对置靶座磁控溅射装置，它既可以实现对基片材料的在线等离子清洗功能，同时可以减小电子对基片的轰击。
实现上述技术目的，达到上述技术效果，本实用新型通过以下技术方案实现：
一种对置靶座磁控溅射装置，包括磁控溅射靶座、磁控溅射基台座、夹持压片和挡板组件；
所述磁控溅射靶座安装在真空室上方；
所述磁控溅射基台座安装在真空室下方，其与所述磁控溅射靶座之间的具有夹角，所述夹角为锐角；
所述夹持压片设于磁控溅射基台座的顶表面，用于夹持固定待溅射基片；
所述挡板组件包括多个挡板，其中一个挡板设于磁控溅射基台座的上方，其余的挡板分别设于对应的磁控溅射靶座下方，用于隔开磁控溅射靶座和磁控溅射基台座。
作为本实用新型的进一步改进，所述对置靶座磁控溅射装置包括至少一个磁控溅射靶座，各磁控溅射靶座沿着圆周方向均匀排布。
作为本实用新型的进一步改进，所述挡板组件中的各个挡板的结构和尺寸均相同。
作为本实用新型的进一步改进，所述挡板组件中设于磁控溅射基台座的上方的挡板的结构和尺寸与设于磁控溅射靶座下方的挡板的尺寸不同。
作为本实用新型的进一步改进，所述挡板包括相互垂直的第一段和第二段，所述第一段的长度大于第二段的长度。
作为本实用新型的进一步改进，所述夹持压片由石墨材料制成。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果：
本实用新型设计了对置的磁控溅射靶座和磁控溅射基台座，其中，磁控溅射靶座设置至少一个。本实用新型的对置靶座磁控溅射装置工作时，首先可解决基片真空在线等离子清洗问题，相对与采用等离子源而言不需要额外配置成本较高的等离子枪；其次在基片后方设置的磁场可有效减少电子对基片的轰击。
附图说明
图1为本实用新型一种实施例的结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
下面结合附图对本实用新型的应用原理作详细的描述。
如图1所示，一种对置靶座磁控溅射装置，包括至少磁控溅射靶座1、磁控溅射基台2座、夹持压片4和挡板组件；
所述磁控溅射靶座1安装在真空室上方；当磁控溅射靶座1的数目大于2时，各磁控溅射靶座1沿着圆周均匀排布；
所述磁控溅射基台2座用于安装在真空室下方，其与所述磁控溅射靶座1之间的具有夹角，所述夹角为锐角；
所述夹持压片4设于磁控溅射基台2座的顶表面，用于夹持固定待溅射基片；
所述挡板组件包括多个挡板3，其中一个挡板3设于磁控溅射基台2座的上方，其余的挡板3分别设于对应的磁控溅射靶座1下方，用于隔开磁控溅射靶座1和磁控溅射基台座2，挡板组件中的各个挡板的控制是相互独立的；优选地，所述挡板3包括相互垂直的第一段和第二段，所述第一段的长度大于第二段的长度，且所述第一段和第二段一体成型，参见图1中，各挡板呈L型。
在本实用新型的一种具体实施例中，所述挡板组件中的各个挡板3的结构和尺寸均相同。
在本实用新型的另一种具体实施例中，所述挡板组件中设于磁控溅射基台2座的上方的挡板3的结构和尺寸与设于磁控溅射靶座1下方的挡板3的尺寸不同。
在本实用新型的一种具体实施例中，所述夹持压片4由石墨材料制成。
综上所述，本实用新型的工作原理是：
将本实用新型的对置靶座磁控溅射装置安装在真空室内，置于真空室上方的磁控溅射靶座用于安装磁控溅射靶材，置于真空室下方的磁控溅射基台座上放置待镀膜衬底材料，且用夹持压片压住。
默认状态下各个磁控溅射靶座的下方均设置有独立的挡板，且挡板都处于关闭状态，即挡住各自对应的磁控溅射靶座。
正常镀膜时，首先在保持各个挡板处于关闭状态下，先将磁控溅射基台座挡板打开，并通电将衬底溅射，起到等离子清洗的效果，然后关闭电源。然后打开衬底所在磁控溅射基台座前端的挡板（即使得磁控溅射靶座与磁控溅射基台座之间没有遮挡物）；然后开始正常的溅射工序。
以上工序中磁控溅射基台座电源可通过接触器切换与置于上方的磁控溅射靶座共享溅射电源，从而无需单独配置等离子电源而节约了成本。另一方面，由于衬底材料放置在磁控溅射基台座上，衬底平面垂直方向有磁力线穿过，在上方磁控溅射靶座工作时，跑向衬底的电子被磁场改变方向，从而减少电子对衬底的轰击，尤其适用于对电子轰击敏感的衬底材料。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。