技术特征：
技术总结
本发明涉及一种电子封装用多层累积SiC颗粒增强镁基复合材料的真空压力浸渗制备工艺，所述材料主要按照以下工艺实现制备。步骤一：SiC预制体的制备。首先通过控制造孔剂的含量制备SiCp含量为Avol％、Bvol％、Cvol％及Dvol％的预制体坯料。其次将四个不同体积分数的预制体坯料在模具中拼装并进一步压制成形为多层累积预制体坯料。然后将多层累积预制体坯料烧结成增强体体积分数不同的多孔预制体。步骤二：将烧结好的多层累积预制体坯料和镁合金一起放入真空压力浸渗装置中制备成多层累积镁基复合材料。步骤三：对制备好的多层累积镁基复合材料进行定向凝固以消除铸造缺陷。
技术研发人员：夏凯欣;管志平
受保护的技术使用者：吉林大学
技术研发日：2018.10.17
技术公布日：2019.01.29