技术总结
本发明公开了一种金刚石薄膜的制备方法，属于金刚石制备技术领域。该制备方法包括如下步骤：将预处理过的多孔金属基体置于热丝化学气相沉积装置的反应室中，向反应室中充入反应气体，令反应气体在多孔金属基体表面生长形成金刚石/碳化硅/金属复合薄膜；腐蚀获得的金刚石/碳化硅/金属复合薄膜，除去其中的金属相和碳化硅相，得到金刚石薄膜；在含氧氛围内煅烧金刚石薄膜，得到具有多级孔结构的成品金刚石薄膜。该方法能够制备出具有多级孔结构的金刚石薄膜。
技术研发人员：托马斯·斌·余;余海粟;朱轶方;陆骁莹
受保护的技术使用者：杭州超然金刚石有限公司
技术研发日：2019.11.06
技术公布日：2020.01.24