SiC材料外延生长设备的制作方法

文档序号:26080412发布日期:2021-07-30 13:30阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种sic材料外延生长设备,其特征在于,所述设备包括:

至少两个反应腔,各所述反应腔用于进行sic材料的外延生长;

托盘装卸腔,用于放置托盘,所述托盘装卸腔内设有用于存放托盘的托盘支架;

晶圆装卸腔,所述晶圆装卸腔内设有用于存放未外延生长的sic衬底或外延生长之后的sic晶圆的框架盒;

传送腔,所述传送腔与各所述反应腔之间均具有第一隔离阀,所述传送腔与所述托盘装卸腔之间具有第一隔离阀,所述传送腔与所述晶圆装卸腔之间具有第一隔离阀,所述传送腔内设有传送组件,所述传送组件用于在所述托盘装卸腔与各所述反应腔之间传送托盘,所述传送组件还用于将未外延生长的sic衬底从所述晶圆装卸腔传送至所述反应腔,以及用于将外延生长之后的sic晶圆从所述反应腔传送至所述晶圆装卸腔。

2.根据权利要求1所述的sic材料外延生长设备,其特征在于,所述托盘装卸腔、晶圆装卸腔以及各所述反应腔沿所述传送腔的外周布置。

3.根据权利要求2所述的sic材料外延生长设备,其特征在于,所述反应腔的数量为偶数个,且偶数个所述反应腔对称的设置在所述托盘装卸腔或晶圆装卸腔的两侧。

4.根据权利要求3所述的sic材料外延生长设备,其特征在于,所述反应腔的数量为两个或四个。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的sic材料外延生长设备,其特征在于,所述托盘装卸腔和晶圆装卸腔均具有真空抽口。

6.根据权利要求1所述的sic材料外延生长设备,其特征在于,各所述反应腔均为化学气相沉积反应腔。

7.根据权利要求1所述的sic材料外延生长设备,其特征在于,所述托盘装卸腔和晶圆装卸腔的与所述第一隔离阀相对的一侧均设有第二隔离阀。

8.根据权利要求1所述的sic材料外延生长设备,其特征在于,

所述传送组件包括机械臂、第一机械手和第二机械手,所述第一机械手用于抓取所述托盘,所述第二机械手用于抓取所述未外延生长的sic衬底或外延生长之后的sic晶圆。

9.根据权利要求8所述的sic材料外延生长设备,其特征在于,所述第一机械手和第二机械手通过同一个机械臂控制。

10.根据权利要求8或9所述的sic材料外延生长设备,其特征在于,所述托盘支架具有多层搁板,所述机械臂可进行升降运动。


技术总结
本实用新型提供一种SiC材料外延生长设备,所述设备包括至少两个反应腔,各反应腔用于进行SiC材料的外延生长;托盘装卸腔,用于放置托盘,其内设有托盘支架;晶圆装卸腔,其内设有用于存放未外延生长的SiC衬底或外延生长之后的SiC晶圆的框架盒;传送腔与托盘装卸腔、晶圆装卸腔以及各反应腔之间均具有第一隔离阀,传送腔内设有传送组件,传送组件用于在托盘装卸腔与各反应腔之间传送托盘,及将未外延生长的SiC衬底从晶圆装卸腔传送至反应腔,及用于将外延生长之后的SiC晶圆从反应腔传送至晶圆装卸腔。该SiC材料外延生长设备的至少两个反应腔通过共用传送腔、托盘装卸腔、晶圆装卸腔和传送组件,降低了SiC外延生长的成本,从而提高了SiC器件的制备效率。

技术研发人员:张森;费磊
受保护的技术使用者:宁波沁圆科技有限公司
技术研发日:2020.11.13
技术公布日:2021.07.30
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