蒸镀装置及利用该蒸镀装置的蒸镀量控制方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种蒸镀装置及利用该蒸镀装置的蒸镀量控制方法，尤其涉及显示基板蒸镀装置及利用该显示基板蒸镀装置的蒸镀量控制方法。
【背景技术】
[0002]显示面板包括液晶显示面板、有机发光显示面板、等离子体显示面板。这种显示面板由多个薄膜构成。多个薄膜大部分通过蒸镀工艺来形成。在进行蒸镀工艺之后，测量是否按所设定的基准厚度形成薄膜，当所设定的基准厚度与实际厚度不同时，校正蒸镀比率。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于提供一种能够从气化的蒸镀物预测将形成于基板的蒸镀薄膜的厚度的蒸镀装置及蒸镀量控制方法。
[0004]并且，本发明的目的在于提供一种在形成蒸镀薄膜之前预测将形成于显示面板的蒸镀薄膜的厚度以形成均匀的蒸镀薄膜的蒸镀装置及蒸镀量控制方法。
[0005]根据本发明的一实施例的蒸镀装置包括:真空腔室；蒸镀源，布置于所述真空腔室的内部，释放被气化的蒸镀物；以及气化量计算单元，向所述被气化的蒸镀物提供能量，以由所述被气化的蒸镀物释放荧光，且根据释放的所述荧光的强度计算所述被气化的蒸镀物的气化量。
[0006]所述气化量计算单元可包括:能量照射部，向所述被气化的蒸镀物照射能量束；第一测量部，接收释放的所述荧光，并测量所接收的所述荧光的强度；以及计算部，从所测量的所述荧光的强度计算所述被气化的蒸镀物的气化量。
[0007]所述第一测量部包括电荷耦合器件照相机。
[0008]所述能量束可以是紫外线束或电子束。
[0009]根据本发明的一实施例的蒸镀装置还可包括阳极电极模块，与所述能量束照射部相面对而布置，且使所述电子束朝所述第一测量部发射。
[0010]通过所述电子束而由所述被气化的蒸镀物生成等离子体，所述气化量计算单元还可包括检测所生成的所述等离子体的第二测量部。
[0011]所述第二测量部可包括用于测量所检测到的所述等离子体的离子量的离子质谱仪。此时，所述能量束可以是X射线束。
[0012]所述荧光包括荧光X射线，所述气化量计算单元还可包括测量所述荧光X射线的强度的第二测量部。
[0013]所述第二测量部可包括X射线荧光光谱仪，所述第二测量部还可包括至少一个聚光透镜，该聚光透镜将所释放的所述荧光X射线聚光之后提供给所述X射线荧光光谱仪。
[0014]所述蒸镀源包括:至少一个收容部，内部收容有蒸镀物；以及温度控制单元，根据所算出的所述气化量调节所述收容部的温度，所述温度控制单元包括:加热部，使所述收容部的温度增加以使所述蒸镀物气化；冷却部，降低所述收容部的温度。
[0015]所述冷却部可包括使冷却流体沿互不相同的方向移动的第一冷却线路和第二冷却线路。
[0016]所述第一冷却线路和第二冷却线路分别包括用于使所述冷却流体流入的入口和用于使所述冷却流体流出的出口，且可布置成在平面上具有至少一个弯曲的形状。
[0017]所述第一冷却线路和所述第二冷却线路并排地布置，所述第一冷却线路的入口和所述第二冷却线路的出口可相邻而布置。
[0018]还包括在所述真空腔室的内部从所述蒸镀源沿第一方向分隔而布置的基板支撑部，所述蒸镀源包括:沿与所述第一方向交叉的第二方向分隔而布置的第一排出口及第二排出口，所述被气化的蒸镀物通过所述第一排出口及所述第二排出口朝所述基板支撑部释放，所述能量照射部和所述第一测量部布置于所述基板支撑部及所述蒸镀源之间且沿着与所述第二方向交叉的第三方向相面对且分隔，所述气化量计算单元计算所述第一排出口上侧的气化量，且可顺序地计算所述第二排出口上侧的气化量。
[0019]根据本发明的一实施例的蒸镀量控制方法包括如下步骤:使蒸镀物气化；向被气化的所述蒸镀物提供能量；基于荧光的强度预测将要形成的蒸镀薄膜的厚度，所述荧光是被气化的所述蒸镀物借助所述能量而释放的荧光；根据预测的所述蒸镀薄膜的厚度控制所述蒸镀物的气化量。
[0020]预测所述蒸镀薄膜的厚度的步骤可包括如下步骤:检测所述荧光；测量所检测的所述荧光的强度；由所测量的所述荧光的强度算出气化量；以及预测对应于所算出的所述气化量的蒸镀薄膜的厚度。
[0021]在向被气化的所述蒸镀物提供能量的步骤中，可向被气化的所述蒸镀物照射电子束、X射线束、紫外线束中的至少一个。
[0022]因此，根据本发明的一实施例的蒸镀装置无需制造用于测量厚度的样品薄膜也能够实时地预测并控制薄膜的厚度，从而可以节省显示基板的制造成本。
[0023]并且，在根据本发明的一实施例的蒸镀量控制方法中，测量从气化的蒸镀物所释放的光或等离子体，从而在进行蒸镀工艺的过程中也能够控制蒸镀薄膜的厚度。并且，根据本发明的一实施例的蒸镀量控制方法，可局部地控制气化量，因而可在基板的整个面形成均匀厚度的薄膜。
【附图说明】
[0024]图1为涉及根据本发明的一实施例的蒸镀装置的图。
[0025]图2为概略地示出根据本发明的一实施例的蒸镀厚度计算单元的图。
[0026]图3为概略地示出根据本发明的另一实施例的蒸镀厚度计算单元的图。
[0027]图4为根据本发明的一实施例的蒸镀源的立体图。
[0028]图5为沿图4的1-1 ’线截取的剖面图。
[0029]图6为根据本发明的一实施例的加热部的平面图。
[0030]图7为根据本发明的一实施例的冷却部的平面图。
[0031]图8为根据本发明的一实施例的蒸镀装置的侧面图。
[0032]图9为概略地示出根据本发明的一实施例的蒸镀量控制方法的框图。
[0033]图10为概略地示出根据本发明的一实施例的蒸镀方法的框图。
[0034]符号说明:
[0035]100:真空腔室200:蒸镀源
[0036]300:气化量计算单元310:能量照射部
[0037]320:第一测量部RA:反应区域
[0038]TF:蒸镀薄膜TF-G:被气化的蒸镀物
[0039]FL:荧光EB:能量束
[0040]400:移动部件
【具体实施方式】
[0041]图1为涉及根据本发明的一实施例的蒸镀装置的图。如图1所示，根据本发明的蒸镀装置包括真空腔室100、蒸镀源200以及气化量计算单元300。
[0042]所述真空腔室100提供真空状态的内部空间。所述真空腔室100包括未图示的真空泵。所述真空泵(未图示)将所述真空腔室100的内部空气排出到外部，使内部形成真空。
[0043]所述蒸镀源200布置于所述真空腔室100的所述内部的下侧。所述蒸镀源200将被气化的蒸镀物TF-G朝所述真空腔室100的所述内部释放。所述蒸镀源200包括收容部210和温度控制单元220。
[0044]所述收容部210在未图示的内部空间收容蒸镀物。所述蒸镀物可主要包括有机物。例如，所述蒸镀物TF-G可包括诸如如聚亚苯基亚乙烯(PPV:Poly-PhenylenevinyIene)系高分子、聚荷(Polyfluorene)系发光高分子、聚对亚苯基PPP (poly ( P-phenylene))系高分子、聚噻吩(polyth1phene)系高分子、磷光系列高分子的有机发光物质和电子注入物质、空穴注入物质、电子传输物质、空穴传输物质等的多种种类的有机物质。
[0045]所述收容部210包括导热性高的物质。所述收容部210将来自外部的热传递给收容于内部的蒸镀物。另一方面，在本发明的另一实施例中，所述蒸镀源200可包括多个收容部。
[0046]所述温度控制单元220布置于所述收容部210的外侧。所述温度控制单元220包裹所述收容部210的外周面的至少一部分。所述温度控制单元220控制所述收容部210的温度以调节所述蒸镀物的气化量。
[0047]所述温度控制单元220可包括第一温度控制部221至第三温度控制部223。所述第一温度控制部221至第三温度控制部223可各自独立驱动。所述第一温度控制部221至第三温度控制部223对其被布置的区域的温度进行控制。
[0048]所述被气化的蒸镀物TF-G的所述有机分子整体沿预定方向移动的同时形成所述被气化的蒸镀物TF-G的整体的流动(即，气流)。在本实施例中，所述被气化的蒸镀物TF-G从所述蒸镀源200释放，从而形成所述蒸镀源200的上侧方向Dl (以下，记载为“第一方向”)的气流。
[0049]在所述蒸镀源200上可布置基板固定部件SP。所述基板固定部件SP支撑基板BS。所述基板BS包括待形成蒸镀薄膜的一面和背对所述一面且与所述基板固定部件SP接触的另一面。所述基板BS的所述另一面被吸附于所述基板固定部件SP，或者可借助由所述基板固定部件SP提供的专门的挂接台而固定于所