2的上侧的所述被气化的蒸镀物TF-G的气化量。所述气化量计算单元300算出多个位置处的气化量，因而可提高预测所述薄膜TF的厚度的可靠性。
[0108]根据本发明的蒸镀装置还包括所述移动部件400，因而可预测沿着所述基板BS的一个方向(例如，所述第三方向D3)的所述蒸镀薄膜TF的厚度。所述蒸镀源200可根据所述预测的厚度来调节所述收容部210的温度，以沿着所述第三方向控制所对应的区域的气化量。
[0109]图9为概略地示出根据本发明的一实施例的蒸镀量控制方法的框图。如图9所示，根据本发明的蒸镀装置，在真空腔室内气化蒸镀物S10。所述蒸镀物以液体或固体状态提供，从外部接收热量而导致其内部能量增加，从而相变成气体。所述蒸镀物包括有机物，例如可包括空穴注入物质或空穴传输物质。所述蒸镀物被气化而朝上侧移动。
[0110]如图9所示，向所述被气化的蒸镀物提供能量S20。在所述被气化的蒸镀气化期间，能量照射部向所述被气化的蒸镀照射能量束，以提供所述能量。
[0111]借助所述能量，从所述被气化的蒸镀物释放荧光。所述能量束具有能够激活所述被气化的蒸镀物而释放出所述荧光的波长的能量。例如，所述能量束可至少包括电子束、紫外线束、X射线束中的任意一个。
[0112]根据本发明的蒸镀装置检测所述荧光，并根据检测到的荧光的强度来预测将由所述被气化的蒸镀物形成的蒸镀薄膜的厚度S30。
[0113]如图9所示，根据本发明的蒸镀装置，根据预测的蒸镀薄膜的厚度控制蒸镀物的气化量S40。对于所述蒸镀物的气化量，可在与所述蒸镀薄膜相同的平面上按照各个位置分别不同地进行控制。
[0114]图10为概略地示出根据本发明的一实施例的蒸镀方法。参照图10，对预测所述蒸镀薄膜的厚度的步骤S30以及控制所述蒸镀物的气化量的步骤S40进行详细说明。
[0115]如图10所示，在预测所述蒸镀薄膜的厚度的步骤S30中，首先检测由所述被气化的蒸镀物TF-G释放的荧光S32。所述蒸镀装置测量所述检测到的荧光的强度S34。所述荧光的强度可对应于所释放的能量的量。
[0116]根据本发明的蒸镀装置由所述荧光的强度计算所述蒸镀物的气化量S36。当提供给所述被气化的蒸镀物的能量均匀时，所述荧光的强度可根据与所述能量束冲突的所述被气化的蒸镀物的气化量而变得不同。因此，所述蒸镀装置由所述算出的气化量来预测蒸镀薄膜的厚度D1S38。所述蒸镀薄膜的厚度Dl对应于所述算出的气化量。
[0117]在控制所述蒸镀物的气化量的步骤S40中，比较所述预测的蒸镀薄膜的厚度Dl与基准厚度Dk S42。所述基准厚度Dk被定义为期望形成的厚膜的厚度。所述蒸镀装置控制为减少所述预测的蒸镀薄膜的厚度较大的位置的气化量，且增加所述预测的蒸镀薄膜的厚度较小的位置的气化量。
[0118]例如，当所述预测的蒸镀薄膜的厚度Dl大于所述基准厚度Dk时，所述蒸镀装置冷却收容有所述蒸镀物的蒸镀源的温度，以减少所述蒸镀物的气化量。当所述预测的蒸镀薄膜的厚度Dl处于与所述基准厚度Dk大致相同的范围内时，所述蒸镀装置维持所述蒸镀源的温度。并且，当所述预测的蒸镀薄膜的厚度Dl小于所述基准厚度Dk时，所述蒸镀装置使所述蒸镀源的温度升高，以增加所述蒸镀物的气化量。
[0119]根据本发明的一实施例的蒸镀装置，可控制蒸镀量以使蒸镀薄膜在平面上按均匀的厚度形成。所述蒸镀装置由被气化的蒸镀物预测将要形成的蒸镀薄膜的厚度，而不是由已形成的薄膜来测量厚度，从而可以控制蒸镀薄膜的厚度。因此，根据本发明的一实施例的蒸镀装置及蒸镀量控制方法，可在无需制造样品薄膜的情况下实时地控制蒸镀薄膜的厚度，而且对于大型基板，也能够按照各区域分别形成具有均匀的厚度的蒸镀薄膜。
【主权项】
1.一种蒸镀装置，包括: 真空腔室； 蒸镀源，布置于所述真空腔室的内部，释放被气化的蒸镀物；以及 气化量计算单元，向所述被气化的蒸镀物提供能量，以由所述被气化的蒸镀物释放荧光，且根据释放的所述荧光的强度计算所述被气化的蒸镀物的气化量。
2.如权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述气化量计算单元包括: 能量照射部，向所述被气化的蒸镀物照射能量束； 第一测量部，接收释放的所述荧光，并测量所接收的所述荧光的强度；以及 计算部，从所测量的所述荧光的强度计算所述被气化的蒸镀物的气化量。
3.如权利要求2所述的蒸镀装置，其特征在于，所述第一测量部包括电荷耦合器件照相机。
4.如权利要求3所述的蒸镀装置，其特征在于，所述能量束为紫外线束。
5.如权利要求3所述的蒸镀装置，其特征在于，所述能量束为电子束。
6.如权利要求5所述的蒸镀装置，其特征在于，还包括阳极电极模块，该阳极电极模块与所述能量束照射部相面对而布置，且使所述电子束朝所述第一测量部发射。
7.如权利要求5所述的蒸镀装置，其特征在于，通过所述电子束而由所述被气化的蒸镀物生成等离子体， 所述气化量计算单元还包括检测所生成的所述等离子体的第二测量部。
8.如权利要求7所述的蒸镀装置，其特征在于，所述第二测量部包括用于测量所检测到的所述等离子体的离子量的离子质谱仪。
9.如权利要求3所述的蒸镀装置，其特征在于，所述能量束为X射线束。
10.如权利要求9所述的蒸镀装置，其特征在于，所述荧光包括荧光X射线， 所述气化量计算单元还包括测量所述荧光X射线的强度的第二测量部。
11.如权利要求10所述的蒸镀装置，其特征在于，所述第二测量部包括X射线荧光光谱仪。
12.如权利要求11所述的蒸镀装置，其特征在于，所述第二测量部还包括至少一个聚光透镜，该聚光透镜将所释放的所述荧光X射线聚光之后提供给所述X射线荧光光谱仪。
13.如权利要求2所述的蒸镀装置，其特征在于，所述蒸镀源包括:至少一个收容部，内部收容有蒸镀物；以及温度控制单元，根据所算出的所述气化量局部地调节所述收容部的温度， 所述温度控制单元包括:加热部，使所述收容部的温度增加以使所述蒸镀物气化；冷却部，降低所述收容部的温度。
14.如权利要求13所述的蒸镀装置，其特征在于，所述冷却部包括使冷却流体沿互不相同的方向移动的第一冷却线路和第二冷却线路。
15.如权利要求14所述的蒸镀装置，其特征在于，所述第一冷却线路和第二冷却线路分别包括用于使所述冷却流体流入的入口和用于使所述冷却流体流出的出口，且布置成在平面上具有至少一个弯曲的形状。
16.如权利要求15所述的蒸镀装置，其特征在于，所述第一冷却线路和所述第二冷却线路并排地布置，所述第一冷却线路的入口和所述第二冷却线路的出口相邻而布置。
17.如权利要求13所述的蒸镀装置，其特征在于，所述真空腔室还包括:由第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向定义的底部；布置在所述底部的法线方向上的基板支撑部， 所述收容部包括沿所述第一方向分隔而布置的第一排出口及第二排出口，所述被气化的蒸镀物分别从所述第一排出口及第二排出口排出， 所述能量照射部及所述第一测量部在所述基板支撑部与所述蒸镀源之间沿所述第二方向相面对而布置， 基于在所述第一排出口的上侧算出的气化量控制朝所述第一排出口排出的蒸镀物的气化量，基于在所述第二排出口的上侧顺序地算出的气化量控制朝所述第二排出口排出的蒸镀物的气化量。
18.一种蒸镀量控制方法，包括如下步骤: 使蒸镀物气化； 向被气化的所述蒸镀物提供能量； 基于荧光的强度预测将要形成的蒸镀薄膜的厚度，所述荧光是被气化的所述蒸镀物借助所述能量而释放的荧光； 根据预测的所述蒸镀薄膜的厚度控制所述蒸镀物的气化量。
19.如权利要求18所述的蒸镀量控制方法，其特征在于，预测所述蒸镀薄膜的厚度的步骤包括如下步骤: 检测所述荧光； 测量所检测的所述荧光的强度； 由所测量的所述荧光的强度算出气化量；以及 预测对应于所算出的所述气化量的蒸镀薄膜的厚度。
20.如权利要求19所述的蒸镀量控制方法，其特征在于，在向被气化的所述蒸镀物提供能量的步骤中，向被气化的所述蒸镀物照射电子束、X射线束、紫外线束中的至少一个。
【专利摘要】本发明公开蒸镀装置及利用该蒸镀装置的蒸镀量控制方法，根据本发明的一实施例的蒸镀装置包括：真空腔室；蒸镀源，布置于真空腔室的内部，释放被气化的蒸镀物；以及气化量计算单元，向被气化的蒸镀物提供能量，以由被气化的蒸镀物释放荧光，且根据释放的荧光的强度计算被气化的蒸镀物的气化量。
【IPC分类】C23C14-24, C23C14-54
【公开号】CN104746014
【申请号】CN201410455769
【发明人】李炳哲, 朴简永, 李苍植, 郑兴铁, 崔炫
【申请人】三星显示有限公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2014年9月9日