述基板固定部件SP。
[0050]所述被气化的蒸镀物TF-G到达所述一面而形成所述蒸镀薄膜TF。虽然未图示，所述蒸镀装置还可包括布置于所述基板BS及所述蒸镀源200之间的至少一个掩模。利用所述掩模，在所述基板BS上形成被图案化的蒸镀薄膜。
[0051]所述蒸镀薄膜TF可以是构成显示基板的像素的一部分，所述基板BS可以是显示基板的基底基板。或者，所述基板BS可以是保护所述基板固定部件SP不受异物影响的盖部件，所述蒸镀薄膜TF可以是为了调节所述被气化的蒸镀物TF-G的气化量而预备形成的样品的一部分，然而并不局限于某一个实施例
[0052]虽然未图示，还可包括布置在所述基板固定部件SP上且用于连接所述基板固定部件SP和所述真空腔室100的基板支撑部件(未图示)。所述基板支撑部件可控制所述基板BS的位移。
[0053]所述气化量计算单元300在所述真空腔室100的内部从所述蒸镀源200沿所述第一方向分隔而布置。所述气化量计算单元300对一个位置上的所述被气化的蒸镀物TF-G的气化量进行计算。所述气化量计算单元300包括隔着所述被气化的蒸镀物TF-G而分开布置的能量照射部310和至少一个测量部。在图1中示出了包括第一测量部320的实施例。
[0054]所述能量照射部310朝所述被气化的蒸镀物TF-G照射能量束EB。所述能量束EB向所述被气化的蒸镀物TF-G提供能量。所述能量被所述被气化的蒸镀物TF-G吸收，从而激活被气化的蒸镀物TF-G。例如，所述能量束EB可以是紫外线束。
[0055]反应区域RA定义在所述被气化的蒸镀物TF-G中的被所述能量束照射的区域。所述反应区域RA可以是所述被气化的蒸镀物TF-G与所述能量束EB重叠的区域。
[0056]所述能量在所述反应区域RA被构成所述有机分子的原子吸收。所述能量使存在于所述原子内的电子中的最外层的电子从基态(ground state)跃迁至激发态(excitedstate)。激发态的电子为了变得稳定化而重新返回到基态(ground state),同时释放预定波长的电磁波。在本实施例中，所述电磁波可至少包含突光(fluorescence light)FL。
[0057]所述突光FL在电子从单重激发态(singlet excited state)迅速地变为基态而变稳定时被释放出来。通常，所述荧光FL在短时间内被释放，当去除所照射的能量时所述荧光将消失。即，对于所述被气化的蒸镀TF-G而言，即便被所述能量束EB照射，也会释放所述荧光FL之后迅速地变得稳定，维持既存的上升气流。因此，根据本发明的蒸镀装置，即便在进行蒸镀工艺的过程中也能够计算出蒸镀薄膜的厚度。
[0058]所述第一测量部320从所述蒸镀源200沿所述第一方向Dl分隔而布置。所述第一测量部320以在与所述第一方向Dl交叉的第二方向D2上与所述能量照射部310相面对的方式布置。所述第一测量部320接收被释放的所述荧光。所述第一测量部320测量所接收的所述荧光的强度(intensity)。例如，所述第一测量部320可包括电荷耦合器件照相机。
[0059]所述气化量计算单元300还包括未图示的计算部。所述计算部可以独立于所述第一测量部320而配备，也可以作为所述第一测量部320的一个构成部分而配备。
[0060]所述计算部计算所述被气化的蒸镀物TF-G的气化量。所述荧光的强度可对应于经过所述反应区域RA的所述被气化的蒸镀物TF-G的气化量。所述被气化的蒸镀物TF-G的气化量越大，则有更多的有机分子与所述能量束EB反应。所述计算部根据所释放出的所述荧光的强度来计算所述被气化的蒸镀物TF-G的蒸气量。
[0061]另一方面，虽然未图示，在另一实施例中，可在所述真空腔室100的外部提供所述气化量计算单元300。此时，所述真空腔室100可包括布置于设置有所述能量照射部310及所述第一测量部320的区域的透明的窗口等。由于从所述能量照射部310照射的紫外线束是光(light)，因而可穿过所述窗口而到达至所述反应区域RA，所述释放的荧光FL也可穿过所述窗口而到达至所述第一测量部320。
[0062]图2为概略地示出根据本发明的一实施例的蒸镀厚度计算单元的图，图3为概略地示出根据本发明的另一实施例的蒸镀厚度计算单元的图。以下，参照图2、图3对所述蒸镀厚度计算单元进行更加详细的说明。
[0063]如图2所示，所述能量照射部310-1可包括电子束发生器EG及偏转线圈DF。此时，所述能量束EB-1可用电子束(electron beam)来说明。
[0064]所述电子束EB-1可具有多种波长，尤其包括能够激活所述被气化的蒸镀物TF-G而产生荧光的波长范围。例如，所述电子束EB-1可具有0.0Olnm?5nm范围的波长。
[0065]所述偏转线圈DF可贴附于所述电子束发生器EG。所述偏转线圈DF布置于发射所述电子束EB-1的部分的周边部且具有包裹所述电子束EB-1的圆形形状。所述偏转线圈DF对从所述电子束发生器EG发射的所述电子束EB-1的方向性进行控制。另一方面，在另一实施例中，可省略所述偏转线圈DF。
[0066]如图2所示，根据本发明的蒸镀装置还可包括阳极电极模块AE。所述阳极电极模块AE与所述能量照射部310-1相面对而布置。所述阳极电极模块AE具有阳极，因而吸引表现阴极的所述电子束EB-1。因此，所述蒸镀装置被设置成将所述阳极电极模块AE布置于第一测量部320侧，以使所述电子束EB-1朝所述第一测量部320发射。
[0067]所述电子束EB-1在反应区域RA-1内激活所述被气化的蒸镀物TF-G。所述荧光FL借助所述电子束EB-1而从所述被气化的蒸镀物TF-G释放出。
[0068]如图2所示，有可能因所述电子束EB-1而由所述被气化的蒸镀物TF-G生成等离子体(Plasma) PL。所述等离子体PL是构成所述被气化的蒸镀物TF-G的有机分子借助所述能量被分离为阳离子、阴离子以及中性粒子而生成的。
[0069]因此，根据本发明的气化量计算单元300-1还可包括第二测量部330-1。所述第二测量部330-1从所述能量照射部310-1沿所述第二方向D2分隔而布置。所述第二测量部330检测所述生成的等离子体PL。
[0070]所述第二测量部330-1测量所述检测到的等离子体PL的量(quantity)。所述第二测量部330-1利用构成所述等离子体PL的阳离子、阴离子或中性粒子的数量、质量等来测量所述等离子体PL的量。例如，所述第二测量部330-1可包括离子质谱仪。
[0071]如图3所示，能量照射部310-2可包括X射线发生器。此时，能量束EB_2可用X射线束(X-ray beam)来说明。所述X射线束EB-2包括能够激活所述被气化的蒸镀物TF-G而产生荧光的波长范围，例如包括波长较短的波段的X射线。
[0072]所述X射线束EB-2在反应区域RA-2中激活所述被气化的蒸镀物TF_G。借助所述X射线束EB-2，可从所述被气化的蒸镀物TF-G释放所述荧光FL以及荧光X射线FL-X。
[0073]与所述荧光FL不同，所述荧光X射线FL-X可以二次地产生。所述荧光X射线FL-X可在所述被气化的蒸镀物TF-G的有机分子内的电子根据较短波长的X射线而变成从较低的能级朝较高的能级跃迁的激发态，且在较短的时间内经过中间能级而稳定化到原来的较低的能级时产生。
[0074]因此，根据本发明的气化量计算单元300-2还可包括第三测量部330-2。所述第三测量部330-2从所述能量照射部310-2沿所述第二方向D2分隔而布置。所述第三测量部330-2对从所述反应区域RA-2释放的荧光X射线FL-X进行检测。
[0075]所述第三测量部330-2测量所述被检测到的荧光X射线FL-X的强度。例如，所述第三测量部330-2测量可包括X射线突光光谱仪(X-Ray Fluorescence Spectrometry) XF。
[0076]并且，所述第三测量部330-2还可包括至少一个的聚光透镜AF。在本实施例中，所述聚光透镜AF可包括视准仪(Collimator)。所述视准仪AF布置于所述X射线荧光光谱仪XF的前面。所述被释放的荧光X射线FL-X经过所述视准仪之后入射到所述X射线荧光光谱仪XF。所述聚光透镜AF将发射过来的光聚光之后使其形成平行的光线。所述第三测量部330-2还包括所述视准仪AF，因而可容易地检测所述荧光X射线。
[0077]所述荧光X射线FL-X的强度可以与在所述反应区域RA-2中与所述能量束EB-2反应的所述被气化的蒸镀物TF-G的气化量对应。根据本发明的蒸镀装置还包括所述测量部330-2，因而可通过对由所述第一测量部320算出的气化量进行补偿而提高所述算出的气化量的可靠性。
[0078]图4为根据本发明的一实施例的蒸镀源的立体图。