一种高阻片式薄膜电阻及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于电子生产技术领域，具体设及一种高阻片式薄膜电阻及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 薄膜电阻器是高精度电阻器的一种，薄膜电阻器为由导电电阻材料薄膜形成的半 导体电阻器，与W常规方式形成的离散电阻器一样，薄膜电阻器经形成W对电流穿过电阻 器的流动提供预定义电阻。
[0003] 薄膜电阻器是一种具有很高阻值精度和极低的溫度系数的片式电阻器，薄膜电阻 器是用类蒸发的方法将一定电阻率材料蒸锻于绝缘材料表面制成，一般运类电阻常用的绝 缘材料是陶瓷基板。
[0004] 对于如何实现高阻片式薄膜电阻的低电阻溫度系数，一直是行业内的技术难题， 现有技术真空瓣射工艺技术中，大部分厂家采用磁控瓣射方式，在实现高阻方面主要采取 了低瓣射速率或射频瓣射的沉积方式，也有一部分厂家采用离子瓣射的方式。上述两种方 法虽然可W实现高阻片式薄膜电阻的低电阻溫度系数，但是最终制备得到的薄膜电阻器产 品阻值的稳定性较差。
【发明内容】
阳〇化]本发明提供了一种高阻片式薄膜电阻的制备方法，可W实现高阻片式薄膜电阻的 低电阻溫度系数，并且使得最终制备得到的薄膜电阻器产品阻值保持很好的稳定性。
[0006] 一种高阻片式薄膜电阻的制备方法，包括W下步骤：
[0007] (1)将印刷有阻挡层或掩膜层的基片，安装于双离子瓣射锻膜机上，装入高阻 化Si祀材，开启双离子瓣射锻膜机； 阳00引 似当本底真空度达到5.OX10-4化~2.OX10-3Pa，开启基片旋转装置，使得基 片旋转；
[0009] (3)通入Ar气体，开启清洗离子源各级电源，开始对基片进行清洗；
[0010] (4)基片清洗完毕后，基片加热溫度设置为150°C~250°C;
[0011] (5)通入Ar气体、氮气，同时开启瓣射离子源各级电源W及辅助离子源各级电源， 瓣射 3min~20min;
[0012] (6)瓣射后的基片在溫度为350°C~450°C下烘烤化~化；
[0013] (7)采用薄膜激光调阻机对产品进行调阻，制得所述高阻片式薄膜电阻。
[0014] 本发明主要应用了真空瓣射原理，采用瓣射离子源产生高能的Ar+离子，对高阻 CrSi祀材进行轰击，使祀材的成分瓣射至基片上，同时用辅助离子源形成较低能量的等离 子体，对基片进行轰击，使基片表面结合力低的粒子飞瓣出来，结合力高的粒子逐渐沉积在 基片上，瓣射同时通入一定量的氮气，使电阻体膜层成分形成更加稳定的化合键，从而得到 致密性均匀、稳定性高的电阻体膜层。最后通过热处理工艺对电阻体进行热处理，最终获得 低电阻溫度系数的高阻薄膜电阻层。
[0015] 作为优选，所述步骤（3)中Ar气体气流量为20sccm~50sccm。
[0016] 作为优选，所述步骤（3)中清洗离子源各级电源的阳极电压为40V~60V，加速电 压80V~120V，屏栅电压300V~500V，屏栅电流为30mA~50mA。
[0017] 作为优选，所述步骤巧）中Ar气体气流量为20sccm~SOsccm，氮气气流量为 1.Osccm~3.Osccm〇
[001引作为优选，所述步骤巧）中瓣射离子源各级电源的阳极电压为40V~60V，加速电 压80V~120V，屏栅电压500V~700V，屏栅电流为50mA~70mA。
[0019] 作为优选，所述步骤巧）中辅助离子源各级电源的阳极电压为40V~60V，加速电 压80V~120V，屏栅电压150V~250V，屏栅电流为25mA~40mA。
[0020] 作为优选，所述步骤化）中瓣射后的基片在热风烤箱中进行热处理。
[0021] 本发明提供了上述的制备方法制备得到的高阻片式薄膜电阻。
[0022] 与现有技术相比，本发明的有益效果体现在：
[0023] 本发明采用双离子束辅助反应瓣射的方式，得到致密性均匀、稳定性高的电阻体 膜层，最后通过热处理工艺对电阻体进行热处理，最终获得低电阻溫度系数的高阻薄膜电 阻层。本发明制备得到的高阻片式薄膜电阻具有较低的低溫度系数而且具有很好的稳定 性。
【具体实施方式】
[0024] 下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述， 显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的 实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都 属于本发明保护的范围。 阳〇2引实施例1
[00%] -种高阻片式薄膜电阻的制备方法，包括W下步骤：
[0027](1)将印刷有阻挡层或掩膜层的基化安装于双离子瓣射锻膜机上，装入高阻 化Si祀材，开启双离子瓣射锻膜机；
[0028] 似当本底真空度达到2. OX 10中曰，开启基片旋转装置，使得基片旋转；
[0029] (3)通入气流量为20sccm的Ar气体，开启清洗离子源各级电源，开始对基片进行 清洗其中阳极电压为60V，加速电压80V，屏栅电压500V，屏栅电流为30mA;
[0030] (4)基片清洗完毕后，基片加热溫度设置为250°C;
[0031] (5)通入气流量为20sccm的Ar气体、气流量为3.Osccm的氮气，同时开启瓣射离 子源各级电源W及辅助离子源各级电源，瓣射3min，其中瓣射离子源各级电源的阳极电压 为60V，加速电压80V，屏栅电压700V，屏栅电流为50mA，辅助离子源各级电源的阳极电压为 60V，加速电压80V，屏栅电压250V，屏栅电流为25mA;
[0032] (6)瓣射后的基片在溫度为450°C下烘烤化；
[0033] (7)高阻膜层采用高溫精密热风烤箱对产品进行调阻，制得所述高阻片式薄膜电 阻。
[0034] 实施例2
[0035] 一种高阻片式薄膜电阻的制备方法，包括W下步骤：
[0036] (I)将印刷有阻挡层或掩膜层的基化安装于双离子瓣射锻膜机上，装入高阻 化Si祀材，开启双离子瓣射锻膜机；
[0037] 似当本底真空度达到5. OX 10 4Pa,开启基片旋转装置，使得基片旋转；
[0038] (3)通入气流量为SOsccm的Ar气体，开启清洗离子源各级电源，开始对基片进行 清洗