复合结构的电子设备外壳的制造方法

文档序号:10707355
复合结构的电子设备外壳的制造方法
【专利摘要】本发明提供了一种复合结构的电子设备外壳的制造方法,其包括以下步骤:S1、制备二氧化锆陶瓷后盖,并将所述二氧化锆陶瓷后盖装配到压铸模具中;S2、将按照一定成分配比的且均匀混合的锆基合金熔炼成液态,并将该液态的锆基合金压铸到所述压铸模具中,制备得到与所述二氧化锆陶瓷后盖咬合式连接的锆基非晶合金边框。采用本发明的制造方法制造的电子设备外壳能够充分发挥锆基非晶合金和二氧化锆陶瓷材料的优异性能。
【专利说明】
复合结构的电子设备外壳的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种电子设备外壳的制造方法,尤其涉及一种复合结构的电子设备外壳的制造方法。
【【背景技术】】
[0002]锆基非晶合金材料具有断裂韧性高、硬度高、耐摩擦磨损、抗腐蚀性强、热膨胀系数小等突出的力学性能。制备锆基非晶合金的合金母料熔点较低,在100tC左右即能熔融流动,易于通过压铸成形方法制备三维复杂形状的非晶合金结构件。但是非晶合金在高于玻璃化转变温度时,材料会出现晶化现象,严重影响非晶合金的力学性能,因此,传统的焊接方法难以将非晶合金与其它晶态金属或非金属结构部件形成高强度连接。
[0003 ]陶瓷材料的耐摩擦磨损性能优异,尤其二氧化锆陶瓷材料可通过相变增韧的方法提高陶瓷的综合力学性能,同时,结构型二氧化锆陶瓷材料不会对手机的信号传输产生影响。
[0004]基于此,可将锆基非晶合金与二氧化锆陶瓷两种材料的力学性能及优异的成形性能相结合起来,设计并制备含有锆基非晶合金及二氧化锆陶瓷两种材料的一体化复合结构的电子设备外壳。

【发明内容】

[0005]本发明的目的在于提供一种非晶合金及陶瓷一体化的复合结构的电子设备外壳,结合非晶合金及陶瓷材料的成形性能,制备含以上非晶合金及陶瓷复合结构电子设备外壳,并在电子设备外壳产品上发挥锆基非晶合金及二氧化锆陶瓷优异的材料性能。
[0006]本发明的技术方案如下:一种复合结构的电子设备外壳的制造方法,其包括以下步骤:
[0007]S1、制备二氧化锆陶瓷后盖,并将所述二氧化锆陶瓷后盖装配到压铸模具中;
[0008]S2、将按照一定成分配比的且均匀混合的锆基合金熔炼成液态,并将该液态的锆基合金压铸到所述压铸模具中,制备得到与所述二氧化锆陶瓷后盖咬合式连接的锆基非晶合金边框。
[0009]优选的,所述步骤SI进一步包括以下步骤:S11、制备一定厚度的片式二氧化锆陶瓷生坯;
[0010]SI 2、初步裁切所述二氧化锆陶瓷生坯;
[0011]S13、对步骤S12中得到的生坯进行预烧结得到二氧化锆陶瓷棕坯;
[0012]S14、对步骤S13中得到的二氧化锆陶瓷棕坯进行三维加工;
[0013]S15、对步骤S14所得的二氧化锆陶瓷棕坯进行高温烧结。
[0014]优选的,步骤SI3的预烧结温度为800-1200°C。
[0015]优选的,步骤Sll的二氧化锆陶瓷生坯采用干压或流延的方法制备。
[0016]优选的,步骤S14中的三维加工包括采用数控机床加工或激光切割的方法在所述二氧化锆陶瓷棕坯上加工出用于增强所述二氧化锆陶瓷后盖与所述锆基非晶合金连接强度的凹槽或凸起结构。
[0017]优选的,所述凹槽或凸起结构的孔径为0.l_2mm。
[0018]优选的,步骤SI5中的烧结温度为1350-1550°C。
[0019]优选的,该制造方法还进一步包括在步骤S2之前,对所述压铸模具进行加热的步骤。
[0020]优选的,所述加热温度为150_400°C。
[0021 ]优选的,该制造方法还包括快速降温、开模、切浇口并去毛刺的步骤。
[0022]本发明的有益效果在于:采用本发明的制造方法制造的电子设备外壳能够充分发挥锆基非晶合金和二氧化锆陶瓷材料的优异性能。
【【附图说明】】
[0023]图1为本发明一种复合结构的电子设备外壳的制造方法的流程图。
【【具体实施方式】】
[0024]下面结合附图和实施方式对本发明作进一步说明。
[0025]如I所示,一种复合结构的电子设备外壳的制造方法包括以下步骤:
[0026]S1、制备二氧化锆陶瓷后盖。这一步骤又可以包括以下几个步骤:
[0027]S11、制备一定厚度的片式二氧化锆陶瓷生坯。该二氧化锆陶瓷生坯可以采用干压或流延的方式制备。采用流延方法更适合制备厚度较薄的二氧化锆陶瓷生坯。
[0028]SI 2、初步裁切二氧化锆陶瓷生坯。
[0029]S13、对步骤S12中得到的生坯进行预烧结得到二氧化锆陶瓷棕坯。根据二氧化锆陶瓷中添加组分的不同预烧结温度为800-1200°C。
[0030]S14、对步骤S13中得到的二氧化锆陶瓷棕坯进行三维加工。三维加工包括采用数控机床加工或激光切割的方法在二氧化锆陶瓷棕坯上加工出用于增强二氧化锆陶瓷后盖与错基非晶合金连接强度的凹槽或凸起结构。凹槽或凸起结构的孔径为0.1-2mm。
[0031]S15、对步骤S14中得到的二氧化锆陶瓷棕坯进行高温烧结从而实现结构陶瓷的力学性能,烧结温度为1350-1550 °C。
[0032]S2、将制备好的二氧化锆陶瓷后盖装配到压铸模具中。
[0033]S3、对压铸模具进行加热,加热温度为150_400°C。
[0034]S4、将按照一定成分配比的且均匀混合的非晶合金熔炼成液态,并将该液态非晶合金压铸到所述压铸模具中,此时,液态非晶合金会流入到二氧化锆陶瓷后盖的凹槽或凸起结构中,从而制备得到与所述二氧化锆陶瓷后盖咬合式连接的锆基非晶合金边框。这种咬合式的结构能够增强二氧化锆陶瓷后盖与锆基非晶合金边框之间的连接力。
[0035]S5、快速降温、开模、切浇口并去毛刺,得到二氧化锆陶瓷后盖和锆基非晶合金边框的复合结构外壳。
[0036]下面通过两个实施例来进一步说明本发明的制备方法:
[0037]实施例1
[0038]干压制备厚度为0.8mm的二氧化锆陶瓷压坯,在高温炉中将陶瓷压坯升温到1200°C保温I小时,对二氧化锆陶瓷压坯进行预烧结。采用CNC加工的方法对预烧结的二氧化锆陶瓷压坯进行三维结构造型,包括利用高速铣削在预烧结二氧化锆陶瓷棕坯上钻孔,孔径为0.6mm;高速铣削在预烧结二氧化锆陶瓷棕坯上切削凹槽,最大深度处为0.12mm。对含有三维结构的氧化锆陶瓷手机后盖预烧结棕坯放入高温烧结炉中,1450 °C烧结2h ο得到二氧化错陶瓷手机后盖部分。
[0039]将上述二氧化锆陶瓷手机后盖装配到压铸模具中,模具材料采用H13模具钢。在真空条件下,将模具预热到200°C,将熔融状态的非晶合金压铸到上述模具中,快速冷却得到锆基非晶合金。在低于100°C条件下,开模,去浇口毛刺,得到含有非晶合金手机边框及二氧化锆陶瓷后盖一体化复合结构的电子设备外壳。
[0040]实施例2
[0041 ] 流延的方法制备200μπι厚度的流延生坯,将4层流延片叠层,在高温炉中450°C脱月旨,随后在1100°c下保温2h对氧化锆陶瓷压坯进行预烧结。采用CNC加工的方法对预烧结的二氧化锆陶瓷压坯进行三维结构造型,包括利用高速铣削在预烧结二氧化锆陶瓷棕坯上钻孔,通孔直径为0.5mm;高速铣削在预烧结氧化锆陶瓷棕坯上切削凹坑,最大深度处为
0.2mm。对含有三维结构的二氧化锆陶瓷手机后盖预烧结棕坯放入高温烧结炉中,1430°C烧结2h。得到二氧化锆陶瓷手机后盖部分。
[0042]将上述二氧化锆陶瓷手机后盖装配到压铸模具中,模具材料采用H13模具钢。在氮气环境下,将模具预热到250°C,将熔融状态的非晶合金压铸到上述模具中,快速冷却得到锆基非晶合金。在低于100°C条件下,开模,去浇口毛刺,得到含有非晶合金手机边框及二氧化锆陶瓷后盖一体化复合结构的电子设备外壳。
[0043]以上所述的仅是本发明的实施方式,在此应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明创造构思的前提下,还可以做出改进,但这些均属于本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种复合结构的电子设备外壳的制造方法,其特征在于,其包括以下步骤: 51、制备二氧化锆陶瓷后盖,并将所述二氧化锆陶瓷后盖装配到压铸模具中; 52、将按照一定成分配比的且均匀混合的锆基合金熔炼成液态,并将该液态的锆基合金压铸到所述压铸模具中,制备得到与所述二氧化锆陶瓷后盖咬合式连接的锆基非晶合金边框。2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述步骤SI进一步包括以下步骤: SI 1、制备一定厚度的片式二氧化锆陶瓷生坯; 512、初步裁切所述二氧化锆陶瓷生坯; 513、对步骤S12中得到的生坯进行预烧结得到二氧化锆陶瓷棕坯; 514、对步骤S13中得到的二氧化锆陶瓷棕坯进行三维加工; 515、对步骤S14所得的二氧化锆陶瓷棕坯进行高温烧结。3.根据权利要求2所述的制造方法,其特征在于,步骤S13的预烧结温度为800-1200V。4.根据权利要求2所述的制造方法,其特征在于,步骤Sll的二氧化锆陶瓷生坯采用干压或流延的方法制备。5.根据权利要求2所述的制造方法,其特征在于,步骤S14中的三维加工包括采用数控机床加工或激光切割的方法在所述二氧化锆陶瓷棕坯上加工出用于增强所述二氧化锆陶瓷后盖与所述锆基非晶合金连接强度的凹槽或凸起结构。6.根据权利要求5所述的制造方法,其特征在于,所述凹槽或凸起结构的孔径为0.1-2mm ο7.根据权利要求2所述的制造方法,其特征在于,步骤SI5中的烧结温度为1350-1550Γ。8.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,该制造方法还进一步包括在步骤S2之前,对所述压铸模具进行加热的步骤。9.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于,所述加热温度为150-400°C。10.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,该制造方法还包括快速降温、开模、切浇口并去毛刺的步骤。
【文档编号】B22D17/00GK106077580SQ201610579580
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年7月21日 公开号201610579580.3, CN 106077580 A, CN 106077580A, CN 201610579580, CN-A-106077580, CN106077580 A, CN106077580A, CN201610579580, CN201610579580.3
【发明人】邬海燕
【申请人】瑞声科技(新加坡)有限公司
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