Pecvd用石墨舟卡点的制作方法

文档序号:10260184阅读:1560来源:国知局
Pecvd用石墨舟卡点的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本实用新型涉及硅片镀膜技术领域,特别涉及一种PECVD用石墨舟卡点。
【背景技术】
[0002]PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit1n,等离子体增强化学气相沉积法)其原理为借助微波或射频等方法使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,由于等离子提化学性很强,很容易发生反应,因此在基片上沉积出所期待的薄膜。PECVD在镀膜过程中利用石墨为材料制备的石墨舟盛装硅片,为了将硅片稳定的固定在石墨舟内,在石墨舟壁上设有用于固定硅片的石墨舟卡点。
[0003]如图1和图2所示,石墨舟卡点包括圆柱固定部03及对称设置在圆柱固定部03两侧的圆柱卡接部,其中圆柱卡接部包括第一圆柱卡接部01和两端分别与第一圆柱卡接部01和圆柱固定部03连接的第二圆柱卡接部02,第一圆柱卡接部01、第二圆柱卡接部02和圆柱固定部03同轴布置。具体的,第一圆柱卡接部01的直径为7.5mm,第二圆柱卡接部02的直径为
6.3mm,圆柱固定部03的厚度为9.03mm。
[0004]然而,尽管硅片与第一圆柱卡接部01的接触面积理论足够,但是由于硅片大部分面积近与第一圆柱卡接部01的边沿部位接触,而由于边沿部位与硅片接触不稳定,硅片与石墨舟卡点的有效接触面积较小,导致硅片与石墨舟卡点边沿接触不良,石墨舟卡点与硅片接触位置温度升高,容易导致石墨舟卡点烧焦的情况,使得石墨舟卡点的使用寿命缩短。
[0005]因此,如何延长石墨舟卡点的使用寿命,是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
【实用新型内容】
[0006]本实用新型的目的是提供一种PECVD用石墨舟卡点,该石墨舟卡点的使用寿命延长。
[0007]为实现上述目的,本实用新型提供一种PECVD用石墨舟卡点,包括圆柱固定部及对称设置在圆柱固定部两侧的圆柱卡接部,所述圆柱卡接部包括第一圆柱卡接部和两端分别与所述第一圆柱卡接部和所述圆柱固定部连接的第二圆柱卡接部,所述第一圆柱卡接部、所述第二圆柱卡接部和所述圆柱固定部同轴布置,所述第一圆柱卡接部的直径为5.6mm,所述第二圆柱卡接部的直径为4.3mm。
[0008]优选地,所述第一圆柱卡接部的端部设有倒角。
[0009]优选地,所述圆柱固定部的端部设有倒角。
[0010]优选地,所述圆柱固定部的直径为6.03mm。
[0011 ]优选地,所述第二圆柱卡接部的厚度为0.37mm。
[0012]优选地,所述第一圆柱卡接部的厚度为1.3mm。
[0013]优选地,所述圆柱固定部的厚度为2.78mm。
[0014]优选地,所述圆柱卡接部和所述圆柱固定部为一体式结构。
[0015]在上述技术方案中,本实用新型提供的PECVD用石墨舟卡点包括圆柱固定部及对称设置在圆柱固定部两侧的圆柱卡接部,圆柱卡接部包括第一圆柱卡接部和两端分别与第一圆柱卡接部和圆柱固定部连接的第二圆柱卡接部,第一圆柱卡接部、第二圆柱卡接部和圆柱固定部同轴布置,第一圆柱卡接部的直径为5.6mm,第二圆柱卡接部的直径为4.3_。
[0016]通过上述描述可知,在本实用新型提供的PECVD用石墨舟卡点中,由于第一圆柱卡接部的直径为5.6mm,第二圆柱卡接部的直径为4.3mm,沿直径方向第一圆柱卡接部相对于第二圆柱卡接部外露部位长度为0.65mm,相对于【背景技术】中第一圆柱卡接部相对于第二圆柱卡接部外部位长度0.6mm,增大了娃片与石墨舟卡点的接触深度,同时缩小第一圆柱卡接部和第二圆柱卡接部的直径,减少硅片与石墨舟卡点边沿的接触,进而降低硅片与石墨舟卡点接触不良的情况,因此,本申请提供的石墨舟卡点的使用寿命延长。
【附图说明】
[0017]图1为传统的石墨舟卡点的结构示意图;
[0018]图2为图1为所示的石墨舟卡点的侧视图;
[0019]图3为本实用新型实施例所提供的石墨舟卡点的结构示意图;
[0020]图4为图3所示石墨舟卡点的侧视图。
[0021]其中图1-4中:01_第一圆柱卡接部、02-第二圆柱卡接部、03-圆柱固定部;
[0022]1-第一圆柱卡接部、2-第二圆柱卡接部、3-圆柱固定部。
【具体实施方式】
[0023]本实用新型的核心是提供一种PECVD用石墨舟卡点,该石墨舟卡点的使用寿命延长。
[0024]为了使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案,下面结合附图和实施方式对本实用新型作进一步的详细说明。
[0025]请参考图3和图4,在一种【具体实施方式】中,本实用新型提供的PECVD用石墨舟卡点包括圆柱固定部3及对称设置在圆柱固定部3两侧的圆柱卡接部,其中,圆柱固定部3可以通过粘接与圆柱卡接部连接。圆柱卡接部包括第一圆柱卡接部I和两端分别与第一圆柱卡接部I和圆柱固定部3连接的第二圆柱卡接部2,第一圆柱卡接部1、第二圆柱卡接部2和圆柱固定部3同轴布置,第一圆柱卡接部I的直径为5.6mm,第二圆柱卡接部2的直径为4.3mm,圆柱固定部3的直径可以与传统圆柱固定部的直径相同。
[0026]通过上述描述可知,在本实用新型具体实施例所提供的PECVD用石墨舟卡点中,由于第一圆柱卡接部I的直径为5.6mm,第二圆柱卡接部2的直径为4.3mm,沿直径方向第一圆柱卡接部I相对于第二圆柱卡接部2外露部位长度为0.65mm,相对于【背景技术】中第一圆柱卡接部相对于第二圆柱卡接部2外部位长度0.6mm,增大了娃片与石墨舟卡点的接触深度,当硅片与石墨舟卡点的有效接触宽度为Imm时,石墨舟卡点与硅片的有效接触面积近似于
0.65mm2,而传统的有效接触面积为0.60mm2,其中面积公式为第一圆柱卡接部I相对于第二圆柱卡接部2外露长度与有效接触宽度Imm的乘积,保证了电池的转换效率,同时缩小第一圆柱卡接部I和第二圆柱卡接部2的直径,减少硅片与石墨舟卡点边沿的接触,进而降低硅片与石墨舟卡点接触不良的情况,因此,本申请提供的石墨舟卡点的使用寿命延长。
[0027]为了便于工作人员加工石墨舟卡点,优选,第一圆柱卡接部I的端部设有倒角。更为优选的,圆柱固定部3的端部也设有倒角。通过设置倒角,便于第一圆柱卡接部I和圆柱固定部3成型后取出,避免端部折角处损坏的情况,同时避免外界物质损坏第一圆柱卡接部I和圆柱固定部3的情况。
[0028]进一步,圆柱固定部3的直径为6.00mm-6.06mm,优选,圆柱固定部3的直径为6.03mm。由于第一圆柱卡接部I的直径和第二圆柱卡接部2的直径缩小,缩小圆柱固定部3的直径使得石墨舟卡点整体比例协调,同时降低了石墨舟卡点的总体重量,降低了石墨舟卡点的制造成本。
[0029]更进一步,第二圆柱卡接部2的厚度为0.37mm。第一圆柱卡接部I的厚度为1.3mm。圆柱固定部3的厚度为2.78mm。当然根据实际工作情况,可以调节第一圆柱卡接部1、第二圆柱卡接部2和圆柱固定部3的厚度。
[0030]在上述各方案的基础上,为了便于工作人员加工石墨舟卡点,优选,圆柱卡接部和圆柱固定部3为一体式结构。在加工石墨舟卡点时,可以将石墨舟卡点一体成型。
[0031]本说明书中各个实施例采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
[0032]对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
【主权项】
1.一种PECVD用石墨舟卡点,包括圆柱固定部(3)及对称设置在圆柱固定部(3)两侧的圆柱卡接部,所述圆柱卡接部包括第一圆柱卡接部(I)和两端分别与所述第一圆柱卡接部(I)和所述圆柱固定部(3)连接的第二圆柱卡接部(2),所述第一圆柱卡接部(I)、所述第二圆柱卡接部(2)和所述圆柱固定部(3)同轴布置,其特征在于,所述第一圆柱卡接部(I)的直径为5.6mm,所述第二圆柱卡接部(2)的直径为4.3_。2.根据权利要求1所述的PECVD用石墨舟卡点,其特征在于,所述第一圆柱卡接部(I)的端部设有倒角。3.根据权利要求1所述的PECVD用石墨舟卡点,其特征在于,所述圆柱固定部(3)的端部设有倒角。4.根据权利要求1所述的PECVD用石墨舟卡点,其特征在于,所述圆柱固定部(3)的直径为6.0Omm-6.06mm。5.根据权利要求4所述的PECVD用石墨舟卡点,其特征在于,所述第二圆柱卡接部(2)的厚度为0.37mm。6.根据权利要求5所述的PECVD用石墨舟卡点,其特征在于,所述第一圆柱卡接部(I)的厚度为1.3mm。7.根据权利要求6所述的PECVD用石墨舟卡点,其特征在于,所述圆柱固定部(3)的厚度为2.78mm。8.根据权利要求1-7中任一项所述的PECVD用石墨舟卡点,其特征在于,所述圆柱卡接部和所述圆柱固定部(3)为一体式结构。
【专利摘要】本实用新型公开了一种PECVD用石墨舟卡点,包括圆柱固定部及对称设置在圆柱固定部两侧的圆柱卡接部,圆柱卡接部包括第一圆柱卡接部和两端分别与第一圆柱卡接部和圆柱固定部连接的第二圆柱卡接部,第一圆柱卡接部、第二圆柱卡接部和圆柱固定部同轴布置,第一圆柱卡接部的直径为5.6mm,第二圆柱卡接部的直径为4.3mm。本申请提供的石墨舟卡点的使用寿命延长。
【IPC分类】C23C16/458
【公开号】CN205170969
【申请号】CN201520815458
【发明人】叶飞, 蒋方丹, 金浩
【申请人】浙江晶科能源有限公司, 晶科能源有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2015年10月20日
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