用于管式低频pecvd双层的炉门的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供了用于管式低频PECVD的双层炉门，包括第一层炉门(1)、第二层炉门(2)、阀门(3、4)、气管(5)、真空泵(6)，所述的第一层炉门(1)与第二层炉门(2)之间设有空腔，所述的空腔通过气管(5)与真空泵(6)连接。该双层炉门中间设有真空保温隔绝腔体，该设计改善管式低频直接法PECVD镀膜反应炉炉口温区的保温效果，保证了炉口温区温度的稳定性和升温效率。
【专利说明】
用于管式低频PECVD双层的炉门
技术领域
[0001] 本实用新型属于光伏技术领域，具体涉及一种用于管式低频PECVD的双层炉门。
【背景技术】
[0002] 目前晶体硅太阳电池凭借着强大的生命力和竞争力依然占据市场主流地位。在其 传统制备工艺中，使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法在发射极表面沉积一层 SiN x薄膜是其中一个必须。SiNx薄膜具有钝化硅片表面和减反射的作用。决定SiNx薄膜钝化 及减反射效果的主要因素有:SiN x薄膜成膜致密性;薄膜中硅氮比例以及薄膜的厚薄度。
[0003] 目前实际生产中常用的管式低频直接法PECVD采用电阻式加热将整个腔体加热到 所需的温度，腔体中放置具有夹板的石墨舟，夹板的两侧放置硅片，利用两片硅片之间形成 电势差与反应气体完成辉光放电进行镀膜，这种方法具有钝化效果好，同时成膜致密性高 等优点。
[0004] 然而这种镀膜方法辉光等离子体在空间的分布受炉管内温区分布影响，温区不均 易导致不同温区硅片镀膜厚薄不同，产生色差，而厚薄偏离较大的硅片对于电池效率以及 电池外观有较大影响。温区不均通常为炉口位置的温度偏低导致成膜膜厚偏薄，硅片发红。 其中一个主要原因是炉口处的炉门保温效果不是很好，导致炉口区域的实际温度无法达到 镀膜所需的最佳温度。
[0005] 因此，需要通过改善炉口保温能力以提高炉口区域的镀膜沉积厚度及镀膜均匀 性。 【实用新型内容】
[0006] 实用新型目的：提供一种提高炉口区域的镀膜沉积厚度及镀膜均匀性的管式低频 PECVD双层的炉门。
[0007] 技术方案：用于管式低频PECVD的双层炉门，包括第一层炉门、第二层炉门、阀门、 气管、真空栗，所述的第一层炉门与第二层炉门之间设有空腔，所述的空腔通过气管与真空 栗连接。
[0008] 作为本实用新型的优选，所述第一层炉门与第二层炉门之间的距离为15~25cm， 第一层炉门与第二层炉门之间的距离优选20cm。
[0009] 作为本实用新型的优选，所述第一层炉门与第二层炉门均为保温材料制成。
[0010] 作为本实用新型的优选，所述的阀门为电子阀门。
[0011] 作为本实用新型的优选，真空栗通过气管与炉管连接。
[0012] 有益效果：
[0013]本实用新型提供了一种用于管式低频PECVD的双层炉门，该双层炉门中间设有真 空保温隔绝腔体，该设计改善管式低频直接法PECVD镀膜反应炉炉口温区的保温效果，保证 了炉口温区温度的稳定性和升温效率。
【附图说明】
[0014] 图1本实用新型提供的用于管式低频PECVD的双层炉门的结构示意图。
【具体实施方式】
[0015] 根据下述实施例，可以更好地理解本实用新型。然而，本领域的技术人员容易理 解，实施例所描述的内容仅用于说明本实用新型，而不应当也不会限制权利要求书中所详 细描述的本实用新型。
[0016] 图1中，1为第一层炉门，2为第二层炉门，3为阀门，4为阀门，5为气管，6为真 空栗，7炉管，8石墨舟。
[0017]用于管式低频PECVD的双层炉门，包括第一层炉门1、第二层炉门2、阀门3、4、气管 5、真空栗6,所述的第一层炉门1与第二层炉门2之间设有空腔，所述的空腔通过气管5与真 空栗6连接。
[0018]在一个实施例中，所述第一层炉门1与第二层炉门2之间的距离为15~25cm，所述 第一层炉门1与第二层炉门2之间的距离优选为20cm。
[0019] 在一个实施例中，所述第一层炉门（1)与第二层炉门（2)均为保温材料制成。
[0020] 在一个实施例中，所述的阀门3、4为电子阀门。
[0021] 在一个实施例中，真空栗6)通过气管5与炉管7连接。
[0022]采用在管式低频PECVD原有炉门的基础上增加为双层炉门结构，同时两层炉门之 间留有一定的密闭空腔。在镀膜准备阶段对于炉管进行抽真空处理时，将双层炉门之间空 腔内一并进行抽真空处理 [0023] 实施例1:
[0024]选用上述结构设计的匀气板装置对捷佳创管式PECVD进行改造，在原有炉门基础 上添加一个相同结构的炉门，形成双炉门结构（参照附图1)，两炉门的距离为20cm。反应开 始后对两炉门间的空腔进行1 Omin的抽真空处理。
[0025]本实用新型在原有设备基础上改造为双层炉门结构，之后采用常规多晶硅沉积氮 化硅工艺对156_X156mm多晶硅片进行氮化硅薄膜沉积工艺，石墨舟选用240片舟(一舟可 承载硅片240片）。观察沉积刚反应开始时的炉门处温区温度，并在工艺完成后对石墨舟靠 近炉口位置的多晶硅片发红片比例进行统计，发红片比例明显下降。
[0027]本实用新型通过双层炉门结构设计，并在双层炉门之间增加了一个真空腔室。该 腔室在镀膜工艺过程中伴随着对炉管抽真空的过程被一同抽成真空状态，这种双层结构的 炉门外加真空隔绝层能有效隔断炉管与外界环境的热交换，保证了炉口附近区域的升温速 率和温场均匀性。
【主权项】
1. 用于管式低频PECVD的双层炉门，其特征在于，包括第一层炉门（1)、第二层炉门（2)、 阀门（3、4)、气管(5)、真空栗(6)，所述的第一层炉门（1)与第二层炉门（2)之间设有空腔，所 述的空腔通过气管(5)与真空栗(6)连接。2. 根据权利要求1所述的用于管式低频PECVD的双层炉门，其特征在于，所述第一层炉 门（1)与第二层炉门（2)之间的距离为15~25cm〇3. 根据权利要求1所述的用于管式低频PECVD的双层炉门，其特征在于，所述第一层炉 门（1)与第二层炉门（2)均为保温材料制成。4. 根据权利要求1所述的用于管式低频PECVD的双层炉门，其特征在于，所述的阀门（3、 4)为电子阀门。5. 根据权利要求1所述的用于管式低频PECVD的双层炉门，其特征在于，真空栗(6)通过 气管(5)与炉管(7)连接。
【文档编号】C30B25/08GK205653507SQ201521028413
【公开日】2016年10月19日
【申请日】2015年12月11日 公开号201521028413.7, CN 201521028413, CN 205653507 U, CN 205653507U, CN-U-205653507, CN201521028413, CN201521028413.7, CN205653507 U, CN205653507U
【发明人】陈文浩, 刘仁中, 张斌
【申请人】奥特斯维能源（太仓）有限公司