1.一种支承玻璃基板，其特征在于，在20℃～200℃的温度范围内的平均线性热膨胀系数超过81×10－7/℃且为110×10－7/℃以下。
2.一种支承玻璃基板，其特征在于，在30～380℃的温度范围内的平均线性热膨胀系数超过85×10－7/℃且为115×10－7/℃以下。
3.根据权利要求1或2所述的支承玻璃基板，其特征在于，其在半导体封装体的制造工序中用于加工基板的支承。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，其是通过溢流下拉法成型而成的。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，杨氏模量为65GPa以上。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，以质量％计含有SiO250％～80％、Al2O3 1％～20％、B2O3 0％～20％、MgO 0％～10％、CaO 0％～10％、SrO 0％～7％、BaO 0％～7％、ZnO 0％～7％、Na2O 0％～25％、K2O 0％～25％作为玻璃组成。
7.根据权利要求6所述的支承玻璃基板，其特征在于，以质量％计含有SiO2 55％～70％、Al2O3 3％～18％、B2O3 0％～8％、MgO 0％～5％、CaO 0％～10％、SrO 0％～5％、BaO 0％～5％、ZnO 0％～5％、Na2O 2％～23％、K2O 0％～20％作为玻璃组成。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，板厚小于2.0mm，板厚偏差为30μm以下，且翘曲量为60μm以下。
9.一种层叠体，其特征在于，其为至少具备加工基板和用于支承加工基板的支承玻璃基板的层叠体，支承玻璃基板为权利要求1～8中任一项所述的支承玻璃基板。
10.根据权利要求9所述的层叠体，其特征在于，加工基板至少具备用密封材料进行了密封的半导体芯片。
11.一种半导体封装体的制造方法，其特征在于，具有如下工序：准备至少具备加工基板和用于支承加工基板的支承玻璃基板的层叠体的工序、
输送层叠体的工序、和
对加工基板进行加工处理的工序；
并且，支承玻璃基板为权利要求1～8中任一项所述的支承玻璃基板。
12.根据权利要求11所述的半导体封装体的制造方法，其特征在于，加工处理包括在加工基板的一个表面进行布线的工序。
13.根据权利要求11或12所述的半导体封装体的制造方法，其特征在于，加工处理包括在加工基板的一个表面形成焊料凸块的工序。
14.一种半导体封装体，其特征在于，其是利用权利要求11～13中任一项所述的半导体封装体的制造方法制作的。
15.一种电子设备，其特征在于，其为具备半导体封装体的电子设备，半导体封装体为权利要求14所述的半导体封装体。