1.一种碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
工序(A)，在碳化硅基板上形成碳化硅的外延膜；
工序(B)，以对所述外延膜的表面进行化学机械研磨的方式进行平坦化处理直到算数平均表面粗糙度Ra成为0.3nm以下为止；
工序(C)，使所述外延膜的表面热氧化而形成牺牲氧化膜；
工序(D)，除去所述牺牲氧化膜；以及
工序(E)，利用去离子水对外延膜的经除去所述牺牲氧化膜的表面进行清洗。
2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，通过化学机械研磨，使所述工序(A)中使用的碳化硅基板平坦化为算数平均表面粗糙度Ra为1nm以下。
3.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述工序(B)中，所述外延膜的研磨量为0.3μm以上且1μm以下。
4.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述工序(C)中，所述牺牲氧化膜的厚度为20nm以上且100nm以下。
5.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述工序(C)中，所述牺牲氧化膜的形成温度为800℃以上且1350℃以下。
6.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述工序(D)中，利用含有氢氟酸的水溶液来除去所述牺牲氧化膜。
7.一种通过权利要求1～6中任一项记载的碳化硅半导体装置的制造方法制造而成的碳化硅半导体装置。