晶体生长装置、碳化硅单晶的制造方法、碳化硅单晶基板和碳化硅外延基板与流程

文档序号:11446646阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
一种晶体生长装置(50),其包含:腔室(20),所述腔室(20)包含进气口(21)、排气口(22)、焊接部、和被构造成能够用水冷却至少包括所述焊接部的部分的水冷部;与所述排气口(22)连接的排气泵(30);配置在所述排气口(22)与所述排气泵(30)之间的露点仪(40),并且所述露点仪(40)被构造成能够测定通过所述排气口(22)的气体的露点。

技术研发人员:原田真;堀勉;佐佐木将;岸田哲也
受保护的技术使用者:住友电气工业株式会社
技术研发日:2015.12.17
技术公布日:2017.08.29
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