技术特征：
技术总结
本发明提供一种n型单晶硅制造方法，在硅单晶提拉生长过程中，将1300℃‑1100℃温度范围的降温速率控制在3℃/min‑1℃/min；将600℃‑400℃温度范围内的降温速率控制在3℃/min‑1.5℃/min。本发明还提供了实现该方法的装置，在炉体的上腔体内安置一个环形散热盘，对应硅单晶棒的温度范围为600℃‑400℃，环形散热盘内部为双螺旋散热管，分别通入冷却水和氩气，炉体的下部安装一个环形控温盘，对应的硅单晶棒的温度范围为1300℃‑1100℃，环形散热盘流出的部分氩气通过分流器进入到环形控温盘中。采用本发明的制造方法和装置，使炉体的有效高度提高，并且避免了OSF的生成。
技术研发人员：张俊宝;宋洪伟;陈猛
受保护的技术使用者：上海超硅半导体有限公司
技术研发日：2016.07.11
技术公布日：2018.01.19