光学晶体AZn4Ga5S12用作红外非线性光学材料的用途的制作方法

技术特征：

1.光学晶体AZn₄Ga₅S₁₂用作红外非线性光学材料的用途，其中，A为K或Rb；

优选地，所述光学晶体的结构属于三方晶系，空间群为R3。

2.根据权利要求1所述的用途，其特征在于，

所述光学晶体的晶胞参数为α＝β＝90，γ＝120°，优选的，晶胞参数为α＝β＝90，γ＝120°。

3.根据权利要求1所述的用途，其特征在于，所述光学晶体AZn₄Ga₅S₁₂的纯度高于95％，优选高于96％；所述晶体的分子式选自KZn₄Ga₅S₁₂和RbZn₄Ga₅S₁₂中的一种。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的用途，其特征在于，所述光学晶体用于红外探测器、红外激光器、激光频率转换、近红外探针、光折变信息处理等中。

5.一种红外探测器，其特征在于，其含有权利要求1-3任一项中所述的光学晶体。

6.一种红外激光器，其特征在于，其含有权利要求1-3任一项中所述的光学晶体。

7.一种权利要求1-6任一项中所述的光学晶体的制备方法，包括：

将碱金属卤化物AR、单质Zn、单质Ga和单质S混合，通过高温固相法制备得到红外非线性光学晶体AZn₄Ga₅S₁₂，其中，A为K或Rb，R代表卤素；

优选地，碱金属卤化物AR、单质Zn、单质Ga和单质S按照摩尔比优选为AR:Zn:Ga:S＝(10～50):4:5:12，更优选为AR:Zn:Ga:S＝(10～20):4:5:12。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，

所述高温固相法为将所述原料混合物置于900～1300℃下，优选1000～1200℃，例如1050-1100℃；

保温时间不少于50小时，优选保温不少于100小时，更优选保温不少于150小时；

例如可以置于1000℃下保温150小时，或者可以置于1050℃下保温150小时；

9.由权利要求7或8所述方法制备得到的光学晶体。

10.根据权利要求9所述的光学晶体，其中，所述光学晶体的纯度高于95％，优选高于96％，更优选高于98％，或高于99％，或高于99.5％。