1.一种利用金属辅助在6H/4H-SiC碳面上外延生长石墨烯的方法，包括步骤如下：
(1)将6H/4H-SiC晶片碳面进行抛光、切割、清洗，得厚度为300～400μm的6H/4H-SiC晶片；
(2)将步骤(1)处理后的6H/4H-SiC晶片置于CVD炉腔中，碳面朝上，炉腔中真空度为1～3×10-4Pa，快速升温至1200～1300℃，保温5～20min；
(3)向反应腔内通入高纯氩气和高纯氢气，压力控制在100-800mbar，然后升温至1550～1750℃，对6H/4H-SiC晶片的SiC衬底进行氢刻蚀10～60min，降温到室温，得氢刻蚀后的SiC衬底；
(4)将氢刻蚀后的SiC衬底碳面沉积一层厚度为5nm～200nm的可以溶碳和析碳的金属，得6H/4H-SiC晶片/金属复合衬底；
(5)将步骤(4)得到的6H/4H-SiC晶片/金属复合衬底置于CVD快速生长炉中，碳面朝上；炉腔中真空度为1～3×10-4Pa，快速升温至1200～1300℃，保温1～5in；通入高纯氩气，压力控制在600～800mbar，然后升温至1650～1850℃，保温10～30min进行生长石墨烯；
生长完成后，继续通氩气，快速降温至800～900℃，然后自然降温到室温，在6H/4H-SiC晶片与金属夹层中生长出石墨烯，得到生长出石墨烯的6H/4H-SiC晶片/金属复合衬底；
(6)将步骤(5)生长出石墨烯的6H/4H-SiC晶片/金属复合衬底，放入FeCl3与盐酸或硝酸混合溶液中，搅拌除去6H/4H-SiC表面的金属；然后依次用水、酒精进行清洗，干燥，即得。
2.根据权利1所述的利用金属辅助在6H/4H-SiC碳面上外延生长石墨烯的方法，其特征在于，步骤(1)6H/4H-SiC晶片直径为2～4英寸，抛光、切割要求：使碳面表面粗糙度小于等于0.3nm，不平整度小于等于15μm。
3.根据权利1所述的利用金属辅助在6H/4H-SiC碳面上外延生长石墨烯的方法，其特征在于，步骤(2)，炉腔中真空度为10-4Pa，升温至1250～1280℃，升温速率为300～900℃/min。
4.根据权利1所述的利用金属辅助在6H/4H-SiC碳面上外延生长石墨烯的方法，其特征在于，步骤(3)，高纯氩气、高氢气的通入流量分别为10～100sccm、10～100sccm，高纯氩气、高纯H2为5N以上的高纯氩气、高纯H2；升温速率为300～900℃/min，氢刻蚀时间优选20～50min，氢刻蚀完成后在氩气和氢气气氛下降温。
5.根据权利1所述的利用金属辅助在6H/4H-SiC碳面上外延生长石墨烯的方法，其特征在于，步骤(4)，采用电子束蒸发或等离子体溅射的方式进行沉积金属，沉积厚度优选为20～100nm。
6.根据权利1所述的利用金属辅助在6H/4H-SiC碳面上外延生长石墨烯的方法，其特征在于，所述的金属为铁、钴或镍，优选的，所述的金属为镍。
7.根据权利1所述的利用金属辅助在6H/4H-SiC碳面上外延生长石墨烯的方法，其特征在于，步骤(5)，炉腔中真空度优选为10-4Pa，升温至1250～1280℃，升温速率为300～900℃/min。
8.根据权利1所述的利用金属辅助在6H/4H-SiC碳面上外延生长石墨烯的方法，其特征在于，步骤(5)，高纯氩气通入流量为10～100sccm，通入高纯氩气后压力控制在600～700mbar，升温至1700～1800℃，升温速率为10～60℃/min；生长完成后，氩气通入流量为10～100sccm，压力控制在600～800mbar，快速降温至850～900℃，降温速率为600～900℃/min。
9.根据权利1所述的利用金属辅助在6H/4H-SiC碳面上外延生长石墨烯的方法，其特征在于，步骤(6)，FeCl3与盐酸或硝酸的混合溶液，FeCl3与盐酸或硝酸的体积比为1:1，FeCl3浓度是1mol/L。
10.根据权利1所述的利用金属辅助在6H/4H-SiC碳面上外延生长石墨烯的方法，其特征在于，步骤(6)，所述的干燥采用氮气枪吹干。