1.一种螺旋位错驱动生长螺旋型层状硒化锡纳米片的制备方法，其特征在于：其包括以下步骤：
1）在室温条件下，配置浓度为0.4～1.0mmol/L的氯化亚锡、浓度为0.4～1.0mmol/L的二氧化硒和浓度为160～400g/L的聚乙烯吡咯烷酮的苯甲醇溶液，并混合均匀；
2）将混合均匀后的溶液转移至三颈圆底烧瓶中进行密封和搅拌，并缓慢通入保护气体；
3）在保护气体氛围中，将溶液加热至190～210℃，并恒温保持12～18h；
4）将溶液自然冷却至室温后，在900～1100rpm的转速下进行离心8～12min，所得离心产物用无水乙醇进行洗涤过滤，并保存在无水乙醇溶液中，即制得螺旋位错驱动生长螺旋型层状硒化锡纳米片。
2.根据权利要求1所述的一种螺旋位错驱动生长螺旋型层状硒化锡纳米片的制备方法，其特征在于： 所述步骤1）中氯化亚锡的浓度为0.8mmol/L，二氧化硒的浓度为0.8mmol/L，聚乙烯吡咯烷酮的浓度为320g/L。
3.根据权利要求1所述的一种螺旋位错驱动生长螺旋型层状硒化锡纳米片的制备方法，其特征在于：所述的步骤1）中氯化亚锡、二氧化硒和聚乙烯吡咯烷酮按1mmol/L：1 mmol/L：400g/L的比例混合均匀。
4.根据权利要求1所述的一种螺旋位错驱动生长螺旋型层状硒化锡纳米片的制备方法，其特征在于：所述步骤2）和步骤3）的保护气体为氮气、氦气或氩气。
5.根据权利要求1所述的一种螺旋位错驱动生长螺旋型层状硒化锡纳米片的制备方法，其特征在于：所述的步骤3）在保护气体氛围中，溶液被加热至200℃。
6.根据权利要求1所述的一种螺旋位错驱动生长螺旋型层状硒化锡纳米片的制备方法，其特征在于：所述步骤4）制得的螺旋位错驱动生长螺旋型层状硒化锡纳米片具有原子级厚度的螺旋周期性。
7.根据权利要求1所述的一种螺旋位错驱动生长螺旋型层状硒化锡纳米片的制备方法，其特征在于：所述的螺旋位错驱动生长螺旋型层状硒化锡纳米片的螺旋体由一个以上相互连接的矩形硒化锡纳米片组成，所述相互连接的矩形硒化锡纳米片面积依序递减。