一种低钴碳化钨的烧结方法与流程

文档序号:12089495阅读:877来源:国知局

本发明属于硬质合金粉末烧结领域,涉及一种低钴碳化钨的烧结方法,具体是以纳米碳化钨(WC)和二硼化钛(TiB2)为主要原料,采用放电等离子烧结(SPS)。



背景技术:

碳化钨(WC)是最常用的硬质合金材料。硬质合金的机械性能与WC的粒度及合金的成份密切相关,一般认为当晶粒度由微米级降至亚微米级(<0.5μm),合金的硬度、断裂韧性、冲击韧性可明显改善。在制取WC晶粒度小于亚微米的硬质合金时,原始WC粉末越细,其表面积越大,活性也就越大,在烧结过程中更易于长大。由于WC的熔点高达2870℃,通常以WC-Co的方式进行烧结,为了防止在烧结过程WC晶粒长大,通常使用各种抑制晶粒长大的添加剂。但是Co等粘结相的添加降低了材料的硬度,耐腐蚀性、耐高温性和耐氧化性,并且由于与WC的热膨胀系数的差异而容易引起热应力。

二硼化钛(TiB2)是硼和钛最稳定的化合物,为C32型结构,以其价键形式结合,属六方晶系的准金属化合物。TiB2具有高硬度、高熔点、高强度和高弹性模量,因此在结构材料中作为硬质相而被广泛使用。

经对现有技术文献的检索发现,公开号为 CN104232967A的中国专利公开了一种放电等离子烧结低钴碳化钨的方法,该方法的不足在于除了Co外并无其他粘结相,Co的加入使得烧结所得试样的硬度变低,在2400-2700HV。经文献检索还发现,朱启扣等在《稀有金属与硬质合金》(2012年6月,第40卷第3期,第58-62)发表了“超细WC-Co复合粉热压烧结制备亚微米硬质合金”,具体方法为:将复合粉装入石墨模具后置于热压炉中,抽真空至10Pa,然后以24℃/min的加热速率将温度升至1200℃,加热期间用热电偶测温。超过1200℃开始启用红外测温并经10min加热至1370℃(此温度下为液相烧结),保温1.5h即烧结完毕。此后以约9℃/min速率冷却至室温。其所使用的烧结方法为热压烧结,由于热压的升温速率慢,烧结时间长,溶解−析出过程进行得很充分,因此WC 晶粒尺寸长大较明显,并且晶粒尺寸不均匀,有部分异常长大的晶粒,所以使其烧结所得的硬质合金硬度较低,在1800-2000HV;断裂韧性也不高,在7.5-9.5MPa∙m1/2



技术实现要素:

本发明的目的在于克服上述现有技术的不足,提供一种性能优越的硬质合金材料的制备方法,采用SPS技术烧结低钴碳化钨材料,从而克服随着Co含量的增加,WC的硬度逐渐减小的缺点,又保证了有Co烧结时WC断裂韧性增强的优点。

为达到上述目的,本发明提供了一种低钴碳化钨的烧结方法,该方法包含:

步骤1,将纳米WC粉、TiB2、Co粉采用球磨混合均匀,烘干得混合粉体,其中,TiB2的含量为0.1-0.7w%,Co粉的含量为0.2-0.8w%;

步骤2,将步骤1烘干的混合粉体置于石墨模具中压实后,连同模具一起置于SPS装置的上下电极之间,抽取真空后,通电以200-250℃/min的速度升温并加压,达到烧结温度1500-1700℃,轴向压力50MPa后保温5-10分钟,断电冷却后将试样取出;

步骤3,对出炉后的产品进行打磨清理,去除表面碳纸渣,得到成品。

所述的WC粒度为20-30nm。

所述的TiB2纯度为99.9% 、粒度为40-50nm。

所述的Co粉的纯度为99.9%、粒度为20-30nm。

步骤1中,球磨的转速为400-500 rad/min。

步骤1中,烘干是指90℃烘24小时。

步骤2中,抽真空使真空度达到6Pa。

步骤2中,烧结温度1500℃。

步骤2中,石墨模具的内径为20mm。

本发明的关键在于将TiB2加入WC。在WC烧结时加入Co能增强硬质合金的断裂韧性,但WC中Co含量的增加会导致其硬度逐渐减小,采用低钴烧结时加入TiB2时利用了其具有高硬度的特性,能确保硬质合金的硬度不受Co的影响,TiB2的加入还可以改变粉体的导电性,改变烧结性能。TiB2的中硼原子层状结构类似石墨的特性,这种类似石墨的晶体结构使TiB2有了良好的导电性,因为放电等离子烧结时粉体是放在石墨模具中上下通电的,所以TiB2增强了粉体的导电性,改变了烧结性能,烧结效果更好。

本发明的另一个关键在于放电等离子烧结技术的有效利用,它利用脉冲直流电在粉末颗粒之间产生火花放电现象,产生局部高温场、放电冲击压力、表面净化作用、电厂扩散等效果来实现快速烧结,其特点是烧结过程升温、降温速率快,保温时间短,烧结温度低,从而有效抑制晶粒长大,在烧结过程中加压,可实现高致密度、超细结构材料的快速制备。

本发明制备的试样相对密度(致密度)高,硬度远高于2000HV,断裂韧性强,均超过73MPa∙m1/2

具体实施方式

为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合本发明的实施例作详细说明:本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施,给出了详细的实施方式和过程,但本发明的保护范围不限于下述的实施例。

实施例中,WC粒度为20nm;TiB2纯度为99.9% 、粒度为40-50nm;Co粉的纯度为99.9%、粒度为20-30nm。

实施例1:

(1)配料:配制TiB2含量为0.1w%,Co含量为0.2w%的WC粉。将49.85g纳米WC粉、0.05gTiB2和0.10g的Co粉装入球磨机,加入适量酒精,设置转速为400 rad/min,48小时后取出浆料放入烘箱,90℃烘24小时,过100目筛网。

(2)烧制:将上述烘干后的粉体取适量放入内径20mm的石墨模具中压实后,连同模具一起置于SPS装置的上下电极之间,抽取真空后(真空度达到6Pa)通电以200℃/min的速度升温并加压,达到烧结温度1700℃,轴向压力50MPa后保温5分钟,断电冷却后将试样取出。

(3)清理:对出炉后的产品进行打磨清理,去除表面碳纸渣,得到成品。

经测定,该试样的相对密度为99.58%,硬度约为2663HV,断裂韧性约为10.73MPa∙m1/2

实施例2:

(1)配料:配制TiB2含量为0.4w%,Co含量为0.5w%的WC粉。将49.55g纳米WC粉、0.20gTiB2和0.25g的Co粉装入球磨机,加入适量酒精,设置转速为400 rad/min,48小时后取出浆料放入烘箱,90℃烘24小时,过100目筛网。

(2)烧制:将上述烘干后的粉体取适量放入内径20mm的石墨模具中压实后,连同模具一起置于SPS装置的上下电极之间,抽取真空后(真空度达到6Pa)通电以200℃/min的速度升温并加压,达到烧结温度1600℃,轴向压力50MPa后保温5分钟,断电冷却后将试样取出。

(3)清理:对出炉后的产品进行打磨清理,去除表面碳纸渣,得到成品。

经测定,该试样的相对密度为99.32%,硬度约为2739HV,断裂韧性约为11.34MPa∙m1/2

实施例3:

(1)配料:配制TiB2含量为0.7w%,Co含量为0.8w%的WC粉。将49.25g纳米WC粉、0.35gTiB2和0.40g的Co粉装入球磨机,加入适量酒精,设置转速为400 rad/min,48小时后取出浆料放入烘箱,90℃烘24小时,过100目筛网。

(2)烧制:将上述烘干后的粉体取适量放入内径20mm的石墨模具中压实后,连同模具一起置于SPS装置的上下电极之间,抽取真空后(真空度达到6Pa)通电以200℃/min的速度升温并加压,达到烧结温度1500℃,轴向压力50MPa后保温5分钟,断电冷却后将试样取出。

(3)清理:对出炉后的产品进行打磨清理,去除表面碳纸渣,得到成品。

经测定,该试样的相对密度为98.68%,硬度约为2818HV,断裂韧性约为11.98MPa∙m1/2

本发明用经过真空或惰性气体保护的无粘结相的纳米WC粉为原料,WC粒度为20nm,加入0.1-0.7w%的纯度为99.9% 、粒度为3-5μm的二硼化钛,0.2-0.8w%的纯度为99.9%、粒度为20-30nm的Co粉,其中,二硼化钛、Co粉作为助烧结剂。因为TiB2中硼原子层状结构(硼原子面和钛原子面交替出现构成二维网状结构,其中的B与另外3个B以共价键相结合,多余的一个电子形成大π键)类似石墨,B原子周围的Ti外层电子也具有导电性,从而使得TiB2具有了良好的导电性。在SPS烧结时,粉体是装在石墨模具中的,在模具的上下通电升温,TiB2中类似石墨的晶体结构会使粉体的导电性更好,相较不导电的物质是电流先通过石墨模具使模具升温再对粉体升温,粉体具有导电性后可以在通电后粉体和石墨模具一起升温,在升温的过程中粉体能更快速稳定的达到设定温度,从而使烧结的效果更好,晶粒不长大、致密度更高、硬度也会较高。

尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍,但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后,对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此,本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

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