1.一种用于生长大截面钨酸铅晶体的坩埚，其特征在于，所述坩埚包括用于放置籽晶的籽晶段、以及位于所述籽晶段之后交替排列的放肩段和等径段，所述坩埚的放肩段数≥2、且等径段的直径依次递增。
2.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述籽晶段的截面为径向尺寸≤25 mm的矩形或圆形，高度为40～70mm。
3.根据权利要求1或2所述的坩埚，其特征在于，所述放肩段的高度为10～30 mm，放肩角度为30～60°。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的坩埚，其特征在于，所述等径段的高度≥10 mm。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的坩埚，其特征在于，所述坩埚的材料为铂金，厚度为0.1～0.3mm。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的坩埚，其特征在于，所述坩埚还包括顶端盖子。
7.一种生长大截面钨酸铅晶体的方法，其特征在于，将籽晶置于权利要求1-6中任一项所述的坩埚的籽晶段中，然后装填PWO原料并封闭坩埚，采用坩埚下降法进行晶体生长；
所述晶体生长包括：
1）将封闭坩埚的籽晶段朝下装入陶瓷引下管，然后将引下管放置在下降平台上，经10～15小时将炉温升至1200～1280℃，然后保温4～6小时；
2）提升引下管，使得坩埚内PWO原料完全熔化；
3）当接种温度达到1050℃～1130℃时，开始晶体的生长；
4）生长结束后，自然冷却至室温，得到所述大截面钨酸铅晶体。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述籽晶是径向尺寸为≤25 mm，高度为40～70mm的矩形或圆形钨酸铅晶体。
9.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，将高纯PbO、WO3粉料按摩尔比1:1均匀混合，得到PWO原料；或将小块PWO单晶清洗、烘干、粉碎作为PWO原料。
10.根据权利要求6-9中任一项所述的方法，其特征在于，开始晶体生长时，控制生长区域的温度梯度为20～60℃/cm，所述晶体生长过程中放肩段的下降速率为0.2～1 mm/h，所述等径段的下降速率为0.4～2 mm/h。