1.一种单晶铜镍合金的制备方法，其特征在于，在单晶铜箔上镀镍然后进行退火获得单晶铜镍合金，所述单晶铜箔为Cu(111)单晶铜箔。
2.一种多层单晶石墨烯的制备方法，其特征在于，选用单晶铜镍合金作为衬底，在其表面生长出高质量多层单晶石墨烯。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，超大尺寸多层单晶石墨烯层数为2～10层，堆垛方式为AB堆垛。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在单晶铜箔上镀镍的方法包括电化学沉积镀膜、真空蒸发镀膜、溅射镀膜、真空离子镀膜；优选的是，以铜箔和所镀镍的总厚度为100％计所镀镍的厚度为1％～20％；退火后，以铜和镍的总重量为100％计镍占比为1wt％～20wt％；优选的是，铜箔的厚度为10－100μm，镍的厚度为0.1－20μm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
(一)、将所述镀镍单晶铜箔平置于耐高温衬底上，放入化学气相沉积设备中，通入惰性气体及H2，然后开始升温，所述的惰性气体为N2或Ar；
(二)、温度升至800～1100℃时，保持温度恒定，进行退火过程，退火结束后即得到所述单晶铜镍合金。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
(一)、将镀镍单晶铜箔平置于耐高温衬底上，放入化学气相沉积设备中，通入惰性气体及H2，然后开始升温，所述的惰性气体为N2或Ar；
(二)、温度升至800～1100℃时，保持温度恒定，进行退火过程；
(三)、退火结束后，调整温度为800～1100℃，开始通入CH4和惰性气体的混合气体，混合气体流量为0.2～50sccm(CH4占整个混合气体的体积含量为200～20000ppm)，同时调节H2的流量为0.2～50sccm，生长时间为10min～20h；
(四)、生长结束后，冷却至室温，即得到超大尺寸多层单晶石墨烯；
优选的是，所述方法包括如下步骤：
(一)、将镀镍单晶铜箔放在耐高温衬底上，放入化学气相沉积设备中，通入惰性气体，流量为300sccm以上，通入H2气体，H2流量为2～500sccm，然后开始升温，升温过程持续50～70min，所述的惰性气体为N2或Ar；
(二)、温度升至800～1100℃时，惰性气体及H2流量保持不变，进行退火过程，退火持续时间30min～10h；
(三)、退火结束后，调整温度为800～1100℃，开始通入CH4和惰性气体的混合气体，混合气体流量为0.2～50sccm(CH4占整个混合气体的体积含量为200～20000ppm)，同时调节H2流量为0.2～50sccm，惰性气体流量保持不变，生长时间为10min～20h；
(四)、生长结束后，关闭加热电源，停止通入CH4气体，以惰性气体和H2为保护气体，自然冷却至室温，在铜箔表面生长出高质量超大尺寸多层单晶石墨烯。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，制备出的单晶铜镍合金取向与单晶铜箔取向一致，为(111)方向，用来生长晶体结构具有三重对称性的超大尺寸单晶二维材料；优选的是，所述二维材料为石墨烯或BN(氮化硼)。
8.根据权利要求1－7任一项所述的方法，其特征在于，制备出的单晶铜镍合金径向尺寸为1～5cm。
9.根据权利要求2－6任一项所述的方法，其特征在于，超大尺寸多层单晶石墨烯由小尺寸石墨烯畴区融合而成，石墨烯畴区取向与单晶铜镍合金取向一致，融合后形成无晶界的高质量超大尺寸多层石墨烯单晶；优选的是，制备的石墨烯单晶尺寸与铜镍合金单晶尺寸一致，径向尺寸为1～5cm。
10.一种超大尺寸多层单晶石墨烯，其特征在于，所述超大尺寸多层单晶石墨烯是由权利要求2-9任一项所述的方法所制备，所述超大尺寸多层单晶石墨烯的径向尺寸为1～5cm；优选的是，超大尺寸多层单晶石墨烯层数为2～10层，堆垛方式为AB堆垛。