1.一种用于氮化物外延生长的叠层基板，其特征在于，包括：
至少一组堆叠结构，所述堆叠结构包括氮化铪层和氮化铝层，所述氮化铪层和氮化铝层相互堆叠；
所述叠层基板具有六方晶体结构。
2.根据权利要求1所述的叠层基板，其特征在于，所述氮化铪层的厚度为1nm～500nm；所述氮化铝层的厚度为1nm～500nm。
3.根据权利要求1所述的叠层基板，其特征在于，所述堆叠结构的数量为1～500组。
4.根据权利要求1所述的叠层基板，其特征在于，所述堆叠结构位于半导体衬底表面。
5.根据权利要求1所述的叠层基板，其特征在于，所述外延生长的工艺包括金属有机化学气相沉积、分子束外延或氢化物气相外延。
6.一种用于氮化物外延生长的叠层基板的形成方法，其特征在于，包括：
采用真空沉积工艺形成至少一组堆叠结构，所述堆叠结构包括氮化铪层和氮化铝层，所述氮化铪层和氮化铝层相互堆叠，使得形成的叠层基板具有六方晶体结构。
7.根据权利要求6所述的叠层基板的形成方法，其特征在于，所述真空沉积工艺包括离子束沉积工艺、磁控溅射工艺或原子层外延工艺。
8.根据权利要求6所述的叠层基板的形成方法，其特征在于，所述氮化铪层的厚度为1nm～500nm；所述氮化铝层的厚度为1nm～500nm。
9.根据权利要求6所述的叠层基板的形成方法，其特征在于，形成1～500组所述堆叠结构。
10.根据权利要求6所述的叠层基板的形成方法，其特征在于，在半导体衬底上形成所述堆叠结构。