技术特征：
技术总结
本发明公开一种低成本高致密化ITO靶材的制备方法，包括以下步骤：称取金属In加入到HNO3溶液中完全溶解，称取SnCl4·5H2O白色晶体加入到铟盐溶液中，制备混合盐溶液；取NH4AC缓冲溶液，在缓冲溶液中加入复合分散剂；氨水和混合盐溶液同时滴加入缓冲溶液中，生成铟锡氢氧化物前驱体；反应完全后，陈化，抽滤，分别用水和有机溶剂洗涤；在室温下放置，自然晾干；在高温下煅烧4h，得到黄色ITO粉末；将ITO粉末造粒、预压成型得到素坯，脱脂、烧结，即得高纯高密度的ITO靶材。本发明制备工艺中制得的ITO粉末在无压烧结条件下具有烧结温度低、时间短的特点，可制得接近理论密度具有较低气孔率的ITO靶材。
技术研发人员：张天舒;宋晓超;孔令兵;将卫国;张天宇
受保护的技术使用者：安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司
技术研发日：2017.04.20
技术公布日：2017.07.28