一种用于玻璃磁控溅射镀膜的方法与流程

本发明涉及一种用于玻璃磁控溅射镀膜的方法。

背景技术：

目前，导电玻璃广泛的使用于各类带有屏幕的电子产品中。氧化铟锡透明导电膜玻璃是在玻璃上溅射氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。氧化铟锡是靶材通过磁场中磁力线的作用溅射至玻璃上进行镀膜的。

现有的玻璃镀膜生产过程中，靶材一般是整块分布，当其不满足生产要求时，对其进行更换。而由于磁力线本身是一个闭合的环，因此靶材上部分区域的电子始终不会出射，直接遗弃会造成资源的浪费，且靶材本身的成本也相对较高。

技术实现要素：

本发明的目的是提供一种用于玻璃磁控溅射镀膜的方法，提高了对靶材的利用率，减少了玻璃镀膜的成本。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种用于玻璃磁控溅射镀膜的方法，包括以下步骤：

（1）将靶材分割成多个呈矩形的单元块，每个所述单元块均具有沿水平方向分布的第一中线和沿竖直方向分布的第二中线；

（2）排列用于形成磁场的多个磁块，使多个所述磁块两两依次首尾衔接形成闭合磁力线；

（3）调节所述磁块的位置，使所述闭合磁力线对应在所述单元块上的单元磁力线位于所述第一中线的一侧或所述第二中线的一侧；

（4）对玻璃进行磁控溅射镀膜，当靶材不满足生产要求时，将所述单元块绕其中心点旋转180°，继续对玻璃进行磁控溅射镀膜，直至靶材再次不满足生产要求，更换靶材。

优选地，取出没有出射过电子的所述单元块，将其与相同形状的不满足生产要求的所述单元块进行替换，并重复步骤（4）。

由于上述技术方案的运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：本发明一种用于玻璃磁控溅射镀膜的方法，通过将靶材分割成多个单元块，并调节磁块的位置使磁力线位于对应的单元块上第一中线的一侧或第二中线的一侧，当靶材不满足生产要求时，将对应的单元块绕其中心点旋转180°即可继续使用，提高了对靶材的利用率，减少了玻璃镀膜的成本。

附图说明

附图1为本发明方法一种实施例中对靶材的分割示意图；

附图2为用于形成附图1中磁力线的磁块排列示意图。

其中：1、单元块；2、第一中线；3、第二中线；4、磁块；5、闭合磁力线；6、单元磁力线。

具体实施方式

下面结合附图来对本发明的技术方案作进一步的阐述。

参见图1-2所示，为上述一种用于玻璃磁控溅射镀膜的方法的一个具体实施例，该实施例中的方法包括以下步骤：

（1）在真空腔室内设置用于输送玻璃的输送轨道，将靶材和磁块4整体设于该输送轨道的一侧或两侧，通过磁场将靶材中的电子溅射到玻璃上进行镀膜；

（2）将靶材分割成多个呈矩形的单元块1，每个单元块1均具有沿水平方向分布的第一中线2和沿竖直方向分布的第二中线3，第一中线2和第二中线3均沿长度方向分布，等分其宽边；在本实施例中，靶材被等分为十三块相同的矩形单元块1；其中最上行（参见图1，图1中的上方即为这里的上）和最下行均具有沿长度方向排列的两块单元块1，中间三行均具有沿宽度方向排列的三块单元块1；该单元块1的长和宽的比例为3:2，使靶材整体形成一个矩形；

（3）排列用于形成磁场的多个磁块4，使多个磁块4两两依次首尾衔接形成闭合磁力线5；

（4）调节该磁块4的位置，使闭合磁力线5对应在单元块1上的单元磁力线6位于该第一中线2的一侧或该第二中线3的一侧；在本实施例中，最上行两块单元块1上对应的单元磁力线6位于第一中线2的下方；最下行两块单元块1上对应的单元磁力线6位于第一中线2的上方；中间三行最左侧（参见图1，图1中的左方即为这里的左侧）的三块单元块1上对应的单元磁力线6位于第二中线3的左方；中间三行最右侧的三块单元块1上对应的单元磁力线6位于第二中线3的右方；中间三行中间的三块单元块1上没有单元磁力线6；

（5）对玻璃进行磁控溅射镀膜，当靶材不满足生产要求时，将上方两块单元块1、下方两块单元块1、左侧三块单元块1和右侧三块单元块1绕自身中心点旋转180°，此时，单元磁力线6对应的单元块1上的区域为没有出射过电子的区域，继续对玻璃进行磁控溅射镀膜，直至靶材再次不满足生产要求，更换靶材；

（6）取出中间三行中间的三块单元块1，由于这三块单元块1上始终没有出射过电子，可以将其与相同形状的不满足生产要求的单元块1进行替换之后，继续使用。

通过这种对靶材的切割方法，提高了对靶材的利用率，减少了玻璃镀膜的成本。其具体切割的形状和数量可以根据实际生产过程的需要进行调整，切割的靶材的大小也可以相同或不同。

上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种用于玻璃磁控溅射镀膜的方法，通过将靶材分割成多个单元块，并调节磁块的位置使磁力线位于对应的单元块上第一中线的一侧或第二中线的一侧，当靶材不满足生产要求时，将对应的单元块绕其中心点旋转180°即可继续使用，提高了对靶材的利用率，减少了玻璃镀膜的成本。

技术研发人员：朱杰
受保护的技术使用者：张家港市铭斯特光电科技有限公司
技术研发日：2017.04.26
技术公布日：2017.08.11