技术特征：
技术总结
一种控制碳化硅单晶生长装置，其感应线圈(1)、坩埚(2)、气路系统和升降旋转控制系统均位于真空腔室内。坩埚(2)位于升降旋转控制系统的上托盘(8)和下托盘(10)之间，放置在感应线圈(1)内的中央位置。坩埚(2)外包覆有保温层(4)。感应线圈(1)位于真空腔室中心位置，用以加热坩埚(2)。坩埚(2)内装有碳化硅粉料和籽晶，用于碳化硅晶体生长。气路系统连接在真空腔室侧壁上。通过上、下托盘的移动，控制坩埚与线圈的相对位置；调整坩埚下部和坩埚锅盖的旋转速度和方向，控制碳化硅晶体生长时原料区和晶体生长区的距离；通过原料区和晶体生长区距离的控制，实现晶体生长温度的精确控制。
技术研发人员：张贺;古宏伟;丁发柱;屈飞;李辉;张慧亮;董泽斌;商红静
受保护的技术使用者：中国科学院电工研究所
技术研发日：2017.05.17
技术公布日：2017.09.08