本发明属于陶瓷釉料领域，具体是涉及一种中温无铅透明陶瓷釉及其制备方法。
背景技术：
釉是施于陶瓷坏体表面，在高温作用下熔融且能覆盖在坯体表面的富有光泽的玻璃质物质。釉可以改善坯体的表面性能，提高产品的使用性能，增加其美感。釉的种类很多，可根据制品类型、熔剂和原料组成、制造方法、烧成温度及外观特征等不同角度进行分类。
传统的陶瓷釉通常含有铅，这种铅料釉易熔解，流动性好，热膨胀小，抗热震能力强，机械强度大，但铅有毒，对环境及人体健康产生危害。因此，无铅釉的研制已成为陶瓷釉的发展趋势。
但就目前来看，常见的无铅釉的熔融温度较高，烧成温度范围窄，釉面效果不稳定，透明性差。此外，这些釉的制备通常用球磨机研磨，生产成本高，过程复杂。
技术实现要素：
本发明要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提出了一种中温无铅透明陶瓷釉及其制备方法。
为解决本发明的技术问题，所采用的技术方案为：一种中温无铅透明陶瓷釉，其主要成分由如下重量份的原料组成：硅酸钠40～46份、氧化钙3～5份、氧化镁5～8份、碳酸钠3～5份、氧化硼10～15份、硼砂5～7份、氧化锌3～5份、聚乙二醇10～15份。
上述中温无铅透明陶瓷釉的制备方法，步骤如下：
1)、按重量份称取硅酸钠、氧化钙、氧化镁、碳酸钠、氧化硼、硼砂、氧化锌和聚乙二醇于烧瓶中，在搅拌器上搅拌混合；
2)、向烧瓶加入25～35重量份水，在恒温50～80℃下回流、搅拌24小时；
3)、将回流的产品冷却至室温，即得透明陶瓷釉。
优选地，制备方法中，硅酸钠、氧化钙、氧化镁、碳酸钠、氧化硼、硼砂和氧化锌的平均粒径为150～500nm。
一种使用上述中温无铅透明陶瓷釉或上述方法制备的中温无铅透明陶瓷釉对陶瓷瓷坯体施釉的方法，步骤如下：
1)、在烧制好的瓷坯体表面施中温无铅透明陶瓷釉；
2)、将上釉好的瓷坯体放入窑内烧制。
优选地，施釉方法中，烧制工艺为：先在350～450℃下煅烧60分钟，然后在800～900℃下煅烧3小时，最后在1150～1280℃下煅烧2小时，自然冷却到室温。
本发明相对于现有技术的有益效果是：
与传统釉的制备施釉方法及烧成产品相比，方法操作简单，生产成本低。烧成样品的亮度高，透明性好，釉面光滑平整。
附图说明
以下结合实施例和附图对本发明作出进一步的详述。
图1是利用本发明制备的釉对陶瓷瓷坯体施釉后烧成的产品照片(部分)。
具体实施方式
实施例1
一种中温无铅透明陶瓷釉的制备方法，步骤如下：
1)、称取硅酸钠43g、氧化钙4g、氧化镁6.5g、碳酸钠4g、氧化硼12.5g、硼砂6g、氧化锌4g、聚乙二醇10ml于烧瓶中，在搅拌器上搅拌30分钟；各固体粉末的平均粒径为150～500nm。
2)、向烧瓶加入30ml水，在恒温50～80℃下回流、搅拌24小时；
3)、将回流的产品冷却至室温，即得透明陶瓷釉。
一种使用上述中温无铅透明陶瓷釉对陶瓷瓷坯体施釉的方法，步骤如下：
1)、在烧制好的瓷坯体表面施中温无铅透明陶瓷釉；
2)、将上釉好的瓷坯体放入窑内烧制，先在400℃下煅烧60分钟，然后在850℃下煅烧3小时，最后在1200℃下煅烧2小时，自然冷却到室温。
通过图1可以看出，烧成样品的亮度高，透明性好，釉面光滑平整。
实施例2
一种中温无铅透明陶瓷釉的制备方法，步骤如下：
1)、称取硅酸钠40g、氧化钙5g、氧化镁5g、碳酸钠5g、氧化硼10g、硼砂7g、氧化锌3g、聚乙二醇11.5ml于烧瓶中，在搅拌器上搅拌30分钟；各固体粉末的平均粒径为150～500nm。
2)、向烧瓶加入25ml水，在恒温50～80℃下回流、搅拌24小时；
3)、将回流的产品冷却至室温，即得透明陶瓷釉。
一种使用上述中温无铅透明陶瓷釉对陶瓷瓷坯体施釉的方法，步骤如下：
1)、在烧制好的瓷坯体表面施中温无铅透明陶瓷釉；
2)、将上釉好的瓷坯体放入窑内烧制，先在350℃下煅烧60分钟，然后在900℃下煅烧3小时，最后在1150℃下煅烧2小时，自然冷却到室温。
实施例3
一种中温无铅透明陶瓷釉的制备方法，步骤如下：
1)、称取硅酸钠46g、氧化钙3g、氧化镁8g、碳酸钠3g、氧化硼15g、硼砂5g、氧化锌5g、聚乙二醇8ml于烧瓶中，在搅拌器上搅拌30分钟；各固体粉末的平均粒径为150～500nm。
2)、向烧瓶加入35ml水，在恒温50～80℃下回流、搅拌24小时；
3)、将回流的产品冷却至室温，即得透明陶瓷釉。
一种使用上述中温无铅透明陶瓷釉对陶瓷瓷坯体施釉的方法，步骤如下：
1)、在烧制好的瓷坯体表面施中温无铅透明陶瓷釉；
2)、将上釉好的瓷坯体放入窑内烧制，先在450℃下煅烧60分钟，然后在800℃下煅烧3小时，最后在1280℃下煅烧2小时，自然冷却到室温。
以上内容仅仅是对本发明的构思所作的举例和说明，所属本技术领域的技术人员对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，只要不偏离发明的构思或者超越本权利要求书所定义的范围，均应属于本发明的保护范围。