一种可改善设备的工作效率的传感器单晶硅蚀刻装置的制作方法

本发明是一种可改善设备的工作效率的传感器单晶硅蚀刻装置，属于单晶硅蚀刻装置领域。

背景技术：

蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻和干蚀刻两类。最早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版，也广泛地被使用于减轻重量仪器镶板，铭牌及传统加工法难以加工之薄形工件等的加工；经过不断改良和工艺设备发展，亦可以用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密蚀刻产品的加工，特别在半导体制程上，蚀刻更是不可或缺的技术。侧蚀产生突沿。通常印制板在蚀刻液中的时间越长，(或者使用老式的左右摇摆蚀刻机)侧蚀越严重。侧蚀严重影响印制导线的精度，严重侧蚀将使制作精细导线成为不可能。当侧蚀和突沿降低时，蚀刻系数就升高，高的蚀刻系数表示有保持细导线的能力，使蚀刻后的导线接近原图尺寸。电镀蚀刻抗蚀剂无论是锡－铅合金，锡，锡－镍合金或镍，突沿过度都会造成导线短路。因为突沿容易断裂下来，在导线的两点之间形成电的桥接。

但是，现有设备工作时在排水的过程中药液任然在对硅片进行刻蚀，会导致产品的良品率下降的问题，工况难以控制。

技术实现要素：

针对现有技术存在的不足，本发明目的是提供一种可改善设备的工作效率的传感器单晶硅蚀刻装置，以解决现有设备工作时在排水的过程中药液任然在对硅片进行刻蚀，会导致产品的良品率下降的问题，工况难以控制。

为了实现上述目的，本发明是通过如下的技术方案来实现：一种可改善设备的工作效率的传感器单晶硅蚀刻装置，其结构包括主机体、排气设备、冲洗设备、电动杆、传动装置、排水管、加工仓，所述主机体的顶部设有排气设备，所述排气设备通过螺栓和主机体固定连接，所述主机体的左部设有冲洗设备，所述冲洗设备通过连接管与加工仓连接，所述加工仓通过焊接固定在主机体的内部，所述加工仓的底部设有排水管，所述排水管上设有阀门，所述加工仓通过排水管连接至废水管，所述传动装置与电动杆、排水管连接，所述主机体包括主机体控制设备、人机交互面板、工作监视窗、主机体外壳，所述主机体外壳的右部设有工作监视窗，所述工作监视窗通过胶条与主机体外壳固定连接，所述工作监视窗为倾斜布置，所述工作监视窗与水平面的夹角为60°，所述工作监视窗的下方设有人机交互面板，所述人机交互面板通过螺栓和主机体外壳连接，所述主机体外壳的内部设有控制设备，所述控制设备设在主机体外壳的内部，所述排气设备包括排气口、排气管连接口、排气泵箱，所述排气泵箱的上部设有圆形的排气口，所述排气泵箱的进气口和排气口连接，所述冲洗设备包括连接管、抽水增压泵、增压泵控制连接线，所述抽水增压泵的和主机体外壳固定连接，所述抽水增压泵的左端设有进水连接口，所述抽水增压泵的右端通过连接管与加工仓连接，所述抽水增压泵通过增压泵控制连接线与传动装置连接，所述电动杆包括电动杆底座、电动杆动力电机、电动杆主体、电动杆连接线，所述电动杆底座通过螺栓固定在主机体外壳的内部，所述电动杆底座设在加工仓的下方，所述电动杆底座的右边设有电动杆动力电机、电动杆主体，所述电动杆动力电机、电动杆主体均与电动杆底座固定连接，所述电动杆动力电机、电动杆主体之间通过链条传动，所述电动杆主体的输出端与传动装置配合，所述加工仓包括喷水头、加工仓主体、蚀刻液进入连接管、单晶硅片放置架、搅动电动机、搅拌杆、温度检测器，所述加工仓主体的上部通过连接杆和喷水头固定连接，所述喷水头与连接管连接，所述加工仓主体的内部设有单晶硅片放置架，所述加工仓主体的左部和蚀刻液进入连接管连接，所述加工仓主体的底部设有搅动电动机，所述搅动电动机通过螺栓和加工仓主体连接，所述搅动电动机的右边设有温度检测器，所述传动装置包括排水管阀门、接触片、接触头、支撑杆，所述排水管阀门包括电动杆输出齿、阀门连接轴、阀门连接轴齿轮、阀门主体，所述电动杆输出齿杆连接在电动杆的输出杆上，所述电动杆输出齿杆的右端设有接触片，所述接触片的右边设有支撑杆，所述支撑杆上设有接触头，所述接触头通过电路和增压泵控制连接线连接，所述排水管阀门固定在排水管上。

进一步的，所述接触头一共设有2个，所述接触头一个连接电源的正极，另外一个连接电源的负极，所述接触头为凸起的圆形结构，上述结构可以提高接触的效果防止接触不良。

进一步的，所述接触片为长条状的纯铜结构，所述接触片为实心结构，所述接触片的厚度为1mm，上述结构可以有效的保证电路的连通，电阻较小。

进一步的，所述电动杆输出齿与阀门连接轴齿轮配合，所述电动杆输出齿为长条形结构，工作的稳定性较高。

进一步的，所述支撑杆为空心的铝合金结构，所述支撑杆为四棱柱结构，所述支撑杆的壁厚为1mm，电路可以从杆内通过，同时强度不变，使设备内部变得简洁。

有益效果

本发明提供一种可改善设备的工作效率的传感器单晶硅蚀刻装置的方案，通过设有传动装置，当检测器检测到蚀刻的溶液的ph值达到蚀刻工作结束时，检测器发出电信号到电动杆，电动杆开始工作，电动杆的输出杆推动电动杆输出齿向右运动，从而带动阀门连接轴、阀门连接轴齿轮转动，打开设备的排水管的阀门，将废液排出，同时电动杆输出齿的右端的接触片与接触头接触，连通冲洗水泵的电路，之后水泵开始抽纯水对单晶硅片进行清洗，当ph值恢复到7之后，检测器发出电信号到电动杆，电动杆开始工作，电动杆的输出杆推动电动杆输出齿向左运动，从而带动阀门连接轴、阀门连接轴齿轮转动，关闭设备的排水管的阀门，同时电动杆输出齿的右端的接触片与接触头断开，连通冲洗水泵的电路断开，之后水泵开始抽纯水对单晶硅片进行清洗的工作结束，可以有效的控制设备的刻蚀时间，防止刻蚀时间或者刻蚀浓度的差异导致的良品率不稳定的问题，提高了设备的工作的稳定性和可靠性，提高了设备的经济效益。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本发明一种可改善设备的工作效率的传感器单晶硅蚀刻装置的结构示意图。

图2为本发明一种可改善设备的工作效率的传感器单晶硅蚀刻装置的结构示意图。

图3为本发明工作状态的结构示意图。

图4为本发明传动装置的结构示意图。

图5为本发明排水管阀门传动的结构示意图。

图中：主机体-1、排气设备-2、冲洗设备-3、电动杆-4、传动装置-5、排水管-6、加工仓-7、主机体控制设备-11、人机交互面板-12、工作监视窗-13、主机体外壳-14、排气口-21、排气管连接口-22、排气泵箱-23、连接管-31、抽水增压泵-32、增压泵控制连接线-33、电动杆底座-41、电动杆动力电机-42、电动杆主体-43、电动杆连接线-44、喷水头-71、加工仓主体-72、蚀刻液进入连接管-73、单晶硅片放置架-74、搅动电动机-75、搅拌杆-76、温度检测器-77、排水管阀门-51、接触片-52、接触头-53、支撑杆-54、电动杆输出齿-511、阀门连接轴-512、阀门连接轴齿轮-513、阀门主体-514。

具体实施方式

为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。

请参阅图1-图5，本发明提供一种可改善设备的工作效率的传感器单晶硅蚀刻装置方案：其结构包括主机体1、排气设备2、冲洗设备3、电动杆4、传动装置5、排水管6、加工仓7，所述主机体1的顶部设有排气设备2，所述排气设备2通过螺栓和主机体1固定连接，所述主机体1的左部设有冲洗设备3，所述冲洗设备3通过连接管与加工仓7连接，所述加工仓7通过焊接固定在主机体1的内部，所述加工仓7的底部设有排水管6，所述排水管6上设有阀门，所述加工仓7通过排水管6连接至废水管，所述传动装置5与电动杆4、排水管6连接，所述主机体1包括主机体控制设备11、人机交互面板12、工作监视窗13、主机体外壳14，所述主机体外壳14的右部设有工作监视窗13，所述工作监视窗13通过胶条与主机体外壳14固定连接，所述工作监视窗13为倾斜布置，所述工作监视窗13与水平面的夹角为60°，所述工作监视窗13的下方设有人机交互面板12，所述人机交互面板12通过螺栓和主机体外壳14连接，所述主机体外壳14的内部设有控制设备11，所述控制设备11设在主机体外壳14的内部，所述排气设备2包括排气口21、排气管连接口22、排气泵箱23，所述排气泵箱23的上部设有圆形的排气口21，所述排气泵箱23的进气口和排气口21连接，所述冲洗设备3包括连接管31、抽水增压泵32、增压泵控制连接线33，所述抽水增压泵32的和主机体外壳14固定连接，所述抽水增压泵32的左端设有进水连接口，所述抽水增压泵32的右端通过连接管31与加工仓7连接，所述抽水增压泵32通过增压泵控制连接线33与传动装置5连接，所述电动杆4包括电动杆底座41、电动杆动力电机42、电动杆主体43、电动杆连接线44，所述电动杆底座41通过螺栓固定在主机体外壳14的内部，所述电动杆底座41设在加工仓7的下方，所述电动杆底座41的右边设有电动杆动力电机42、电动杆主体43，所述电动杆动力电机42、电动杆主体43均与电动杆底座41固定连接，所述电动杆动力电机42、电动杆主体43之间通过链条传动，所述电动杆主体43的输出端与传动装置5配合，所述加工仓7包括喷水头71、加工仓主体72、蚀刻液进入连接管73、单晶硅片放置架74、搅动电动机75、搅拌杆76、温度检测器77，所述加工仓主体72的上部通过连接杆和喷水头71固定连接，所述喷水头71与连接管31连接，所述加工仓主体72的内部设有单晶硅片放置架74，所述加工仓主体72的左部和蚀刻液进入连接管73连接，所述加工仓主体72的底部设有搅动电动机75，所述搅动电动机75通过螺栓和加工仓主体72连接，所述搅动电动机75的右边设有温度检测器77，所述传动装置5包括排水管阀门51、接触片52、接触头53、支撑杆54，所述排水管阀门51包括电动杆输出齿511、阀门连接轴512、阀门连接轴齿轮513、阀门主体514，所述电动杆输出齿杆511连接在电动杆4的输出杆上，所述电动杆输出齿杆511的右端设有接触片52，所述接触片52的右边设有支撑杆54，所述支撑杆54上设有接触头53，所述接触头53通过电路和增压泵控制连接线33连接，所述排水管阀门51固定在排水管6上，所述接触头53一共设有2个，所述接触头53一个连接电源的正极，另外一个连接电源的负极，所述接触头53为凸起的圆形结构，所述接触片52为长条状的纯铜结构，所述接触片52为实心结构，所述接触片52的厚度为1mm，所述电动杆输出齿511与阀门连接轴齿轮513配合，所述电动杆输出齿511为长条形结构，所述支撑杆54为空心的铝合金结构，所述支撑杆54为四棱柱结构，所述支撑杆54的壁厚为1mm。

本专利所说的传动装置，当检测器检测到蚀刻的溶液的ph值达到蚀刻工作结束时，检测器发出电信号到电动杆，电动杆开始工作，电动杆的输出杆推动电动杆输出齿向右运动，从而带动阀门连接轴、阀门连接轴齿轮转动，打开设备的排水管的阀门，将废液排出，同时电动杆输出齿的右端的接触片与接触头接触，连通冲洗水泵的电路，之后水泵开始抽纯水对单晶硅片进行清洗，当ph值恢复到7之后，检测器发出电信号到电动杆，电动杆开始工作，电动杆的输出杆推动电动杆输出齿向左运动，从而带动阀门连接轴、阀门连接轴齿轮转动，关闭设备的排水管的阀门，同时电动杆输出齿的右端的接触片与接触头断开，连通冲洗水泵的电路断开，之后水泵开始抽纯水对单晶硅片进行清洗的工作结束，可以有效的控制设备的刻蚀时间，防止刻蚀时间或者刻蚀浓度的差异导致的良品率不稳定的问题，提高了设备的工作的稳定性和可靠性，提高了设备的经济效益。

使用时，首先检查各部分是否稳固连接，确认设备完好之后，将设备放置在合适的位置，连接电源，调节工作状态和工作参数，之后即可开始正常工作，设有传动装置，当检测器检测到蚀刻的溶液的ph值达到蚀刻工作结束时，检测器发出电信号到电动杆，电动杆开始工作，电动杆的输出杆推动电动杆输出齿向右运动，从而带动阀门连接轴、阀门连接轴齿轮转动，打开设备的排水管的阀门，将废液排出，同时电动杆输出齿的右端的接触片与接触头接触，连通冲洗水泵的电路，之后水泵开始抽纯水对单晶硅片进行清洗，当ph值恢复到7之后，检测器发出电信号到电动杆，电动杆开始工作，电动杆的输出杆推动电动杆输出齿向左运动，从而带动阀门连接轴、阀门连接轴齿轮转动，关闭设备的排水管的阀门，同时电动杆输出齿的右端的接触片与接触头断开，连通冲洗水泵的电路断开，之后水泵开始抽纯水对单晶硅片进行清洗的工作结束，可以有效的控制设备的刻蚀时间，防止刻蚀时间或者刻蚀浓度的差异导致的良品率不稳定的问题，提高了设备的工作的稳定性和可靠性，提高了设备的经济效益。。

本发明解决的问题是现有设备工作时在排水的过程中药液任然在对硅片进行刻蚀，会导致产品的良品率下降的问题，工况难以控制，本发明通过上述部件的互相组合，设有传动装置，当检测器检测到蚀刻的溶液的ph值达到蚀刻工作结束时，检测器发出电信号到电动杆，电动杆开始工作，电动杆的输出杆推动电动杆输出齿向右运动，从而带动阀门连接轴、阀门连接轴齿轮转动，打开设备的排水管的阀门，将废液排出，同时电动杆输出齿的右端的接触片与接触头接触，连通冲洗水泵的电路，之后水泵开始抽纯水对单晶硅片进行清洗，当ph值恢复到7之后，检测器发出电信号到电动杆，电动杆开始工作，电动杆的输出杆推动电动杆输出齿向左运动，从而带动阀门连接轴、阀门连接轴齿轮转动，关闭设备的排水管的阀门，同时电动杆输出齿的右端的接触片与接触头断开，连通冲洗水泵的电路断开，之后水泵开始抽纯水对单晶硅片进行清洗的工作结束，可以有效的控制设备的刻蚀时间，防止刻蚀时间或者刻蚀浓度的差异导致的良品率不稳定的问题，提高了设备的工作的稳定性和可靠性，提高了设备的经济效益。

以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点,对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。