技术特征：
技术总结
本发明涉及一种大尺寸碳化硅晶体原位热处理方法，在生长结束后向生长室充压避免晶体烧蚀，之后通过改变热场，即锁定功率、提升线圈、封堵测温孔来实现恒温处理，最后进行定速降温，待炉内温度降至室温结束晶体的原位热处理，封堵测温孔使用自行设计的保温桶测温孔封堵装置，技术效果是，实现晶体生长结束后不取出的原位处理，大幅降低晶体内应力，提高了后续晶片加工成品率；且避免了后续热处理对效率以及电阻率的影响，缩短单锭制备周期1天以上。
技术研发人员：张皓;徐永宽;徐所成;李璐杰;郭森;张政
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第四十六研究所
技术研发日：2017.10.30
技术公布日：2018.01.09