一种碳化硅基复相压敏陶瓷及其液相烧结制备方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明涉及一种碳化硅基复相压敏陶瓷及其液相烧结制备方法，所述碳化硅基复相压敏陶瓷的组成包括SiC基体、以及分散于SiC基体中的MoSi2第二相、AlN和Y2O3；所述MoSi2第二相的含量不超过17.5wt%，所述AlN的含量为1～5wt%，Y2O3的含量为1～2wt%，各组分含量之和为100wt%。

技术研发人员：陈健;郑嘉棋;黄政仁;陈军军
受保护的技术使用者：中国科学院上海硅酸盐研究所
技术研发日：2018.06.19
技术公布日：2018.11.02