技术特征：
技术总结
本发明涉及低催化剂含量、不含硫杂质的高质量单壁碳纳米管的可控制备领域，具体为一种生长促进剂可控制备不含硫杂质的单壁碳纳米管方法。以硒吩作为生长促进剂前驱体，二茂铁作为催化剂前驱体，并将两者溶解在甲苯溶剂中，通过超声波喷头将溶液转化为气溶胶，再由载气带入高温区，催化乙烯分解形核生长高质量、高纯度(IG/ID达180，催化剂含量<4.5wt.％)、不含硫杂质的单壁碳纳米管。本发明以硒代替硫作为生长促进剂，实现制备低催化剂残余、不含硫杂质的高质量单壁碳纳米管；同时，避免生长碳纳米管的尾气中含有难以分离的硫化氢气体，便于尾气的处理及循环利用，实现宏量制备低催化剂含量的高质量单壁碳纳米管。
技术研发人员：刘畅;李晓齐;蒋松;侯鹏翔;成会明
受保护的技术使用者：中国科学院金属研究所
技术研发日：2018.11.29
技术公布日：2019.04.12