1.一种多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，
所述方法，包括：离子渗碳处理、混合、模压成型步骤。
2.根据权利要求1所述的一种多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，
所述的离子渗碳处理，真空离子渗碳热处理的温度为720-980℃，升温速率为5-20℃/min，保温时间5-30min。
3.根据权利要求1所述的一种多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，
所述的混合，sic微珠、sio2粉、al2o3粉的质量配比为(90-98):(2-6):(1-5)。
4.根据权利要求1所述的一种多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，
所述的混合，sio2粉平均粒度为85nm，纯度大于99.5%；al2o3粉平均粒度为0.1μm，纯度大于99.9%；pva溶液的浓度0.3-2.5%。
5.根据权利要求1所述的一种多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，
所述的离子渗碳处理，碳源气体为甲烷、丙烷、乙炔，碳源气压为120-1100pa。
6.根据权利要求1所述的一种多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，
所述的模压成型，模压成型的压力为10-50mpa，保压时间为5-10s。
7.根据权利要求1所述的一种多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，
所述方法还包括醇洗，所述醇洗，空心二氧化硅微珠粒径为5-25μm，壳壁厚为0.2-7.5μm，纯度大于99%。
8.根据权利要求1或7所述的一种多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，
所述的醇洗，洗涤的次数为1-3次，干燥温度为50-120℃，时间为6-12h。
9.根据权利要求1所述的一种多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，
所述方法还包括烧结，所述烧结，升温速率的3-8℃/min，最高温度保温时间为15-60min。
10.根据权利要求1所述的一种多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所得到的多孔碳化硅陶瓷材料，孔隙率为72.5-86.8%，比表面积为1.38-7.63m2/g，一级孔平均直径为3.4-10.9μm，二级孔平均尺寸为115-180nm，弯曲强度为106.2-154.7mpa，压缩强度为20.5-36.6mpa。