技术总结
本公开提供一种竖直石墨烯及其生长方法，该竖直石墨烯的生长方法包括：提供一基底，所述基底置于反应腔室；通入碳源并额外引入竖直方向的电场于所述反应腔室，以在所述基底表面进行气相沉积反应生长竖直石墨烯。通过向气相沉积反应体系引入竖直电场，使石墨烯可以严格沿竖直方向生长，得到完全垂直于基底的竖直石墨烯。该方法简单、高效，可实现快速生长竖直石墨烯。
技术研发人员：张锦;许世臣;孙阳勇;高振飞;罗家俊
受保护的技术使用者：北京石墨烯研究院;北京大学
技术研发日：2019.11.26
技术公布日：2020.04.03