技术总结
本申请公开了一种碳化硅粉料及其制备方法、使用的装置，属于半导体材料制备领域。该碳化硅粉料的制备方法包括下述步骤：将碳粉在1800‑2000℃除杂后，在惰性气体环境下向碳粉内通入硅烷气，在合成腔内进行一次合成和二次合成后，制得碳化硅粉料；其中，所述一次合成包括：以X流量向合成腔内通入硅烷气，在压力为500‑800mbar和温度为1800‑2300℃，一次合成时间t1为5‑25h；所述二次合成包括：以X+Y*△t的流量向合成腔内通入硅烷气，在压力为500‑800mbar和温度为1800‑2300℃，二次合成时间t2为45‑125h；其中，所述Y为正数，△t为0～t2随着时间一直增长。该碳化硅粉料的制备方法制得的碳化硅粉料的纯度高、粒度均匀，而且可以调节制得的碳化硅粉料的粒径。
技术研发人员：李加林;李斌;张红岩;高超;刘家朋;李长进
受保护的技术使用者：山东天岳先进材料科技有限公司
技术研发日：2019.12.24
技术公布日：2020.04.03