一种温控陶瓷的加工方法
【技术领域】
[0001]本发明属于陶瓷领域，具体涉及一种温控陶瓷的加工方法。
【背景技术】
[0002]陶瓷是以粘土为主要原料以及各种天然矿物经过粉碎混炼、成型和煅烧制得的材料以及各种制品。人们把一种陶土制作成的在专门的窑炉中高温烧制的物品叫陶瓷。现在在电学领域，也有很多电学应用的陶瓷，如用于绝缘的绝缘陶瓷、导电陶瓷等，在温控装置领域，有很多温控传感器，但是在一些特殊领域，如高温高压条件下，传感器精度较差达不到精确控温的效果。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是提供一种温控陶瓷的加工方法，使用导电陶瓷进行温度控制，提升了温度控制的精度。
[0004]本发明通过以下技术方案实现:
一种温控陶瓷的加工方法，按重量计由以下原料制备而成:氢氧化铝13-16份、多晶硅21-26份、氧化铁33-42份、天青石35-42份、石墨12-15份、铟15-17份；
具体步骤如下:(I)、将天青石、多晶硅、石墨使用球磨机研磨，过200目筛，然后混合均匀；
(2)、将上述原料在氮气保护下在1215-1285°C下煅烧30_50min，然后缓慢降温，降温幅度为2.50C /min，降温后使用球磨机研磨，过320目筛；
(3)、将步骤(2)得到的粉末与氧化铁、氢氧化铝、铟粉碎、混合，模压制坯，模压压强为500Mpa，然后在1320-1350°C下灼烧1-1.5h，升温幅度为12.6°C /min，然后降温，降温幅度为3.8°C /min，得到温控陶瓷。
[0005]优选地，各原料重量配比如下:氢氧化铝15份、多晶硅22份、氧化铁39份、天青石35份、石墨12份、铟16份。
[0006]本发明得到的温控陶瓷控制温度范围为1225_1260°C之间，此范围的温度为陶瓷导电转换的临界点，在此温度范围内可以导电，超出此范围不导电。
[0007]本发明的有益效果:本发明的方法简单，处理后的陶瓷温度控温精度高，温控陶瓷在1225-1260°C间为导体，超出此温度范围为绝缘体，通过将温控陶瓷连接在加热电路中实现控温，控温精度达到±0.001°C。
【具体实施方式】
[0008]实施例1
一种温控陶瓷的加工方法，按重量计由以下原料制备而成:氢氧化铝13份、多晶硅25份、氧化铁42份、天青石37份、石墨13份、铟16份；
具体步骤如下:(I)、将天青石、多晶硅、石墨使用球磨机研磨，过200目筛，然后混合均匀；
(2)、将上述原料在氮气保护下在1245.8°C下煅烧35min，然后缓慢降温，降温幅度为
2.50C /min,降温后使用球磨机研磨，过320目筛；
(3)、将步骤(2)得到的粉末与氧化铁、氢氧化铝、铟粉碎、混合，模压制坯，模压压强为500Mpa，然后在1338°C下灼烧1-1.5h，升温幅度为12.6°C /min，然后降温，降温幅度为3.8°C /min，得到温控陶瓷。
[0009]此温控陶瓷转变临界温度为1233-1245°C，温度控制精度±0.08°C。
[0010]实施例2
一种温控陶瓷的加工方法，各原料重量配比如下:氢氧化铝15份、多晶硅22份、氧化铁39份、天青石35份、石墨12份、铟16份。
[0011]具体步骤如下:(1)、将天青石、多晶硅、石墨使用球磨机研磨，过200目筛，然后混合均匀；
(2)、将上述原料在氮气保护下在1267°C下煅烧48min，然后缓慢降温，降温幅度为
2.50C /min,降温后使用球磨机研磨，过320目筛；
(3)、将步骤(2)得到的粉末与氧化铁、氢氧化铝、铟粉碎、混合，模压制坯，模压压强为500Mpa，然后在1341°C下灼烧1.2h,升温幅度为12.6°C /min,然后降温，降温幅度为3.8°C /min，得到温控陶瓷。
[0012]此温控陶瓷转变临界温度为1225-1264°C，温度控制精度±0.001°C。
[0013]实施例3
一种温控陶瓷的加工方法，按重量计由以下原料制备而成:氢氧化铝15份、多晶硅26份、氧化铁40份、天青石40份、石墨15份、铟16.5份；
具体步骤如下:(I)、将天青石、多晶硅、石墨使用球磨机研磨，过200目筛，然后混合均匀；
(2)、将上述原料在氮气保护下在1264°C下煅烧50min，然后缓慢降温，降温幅度为
2.50C /min,降温后使用球磨机研磨，过320目筛；
(3)、将步骤(2)得到的粉末与氧化铁、氢氧化铝、铟粉碎、混合，模压制坯，模压压强为500Mpa，然后在1342°C下灼烧1.2h,升温幅度为12.6°C /min,然后降温，降温幅度为3.8°C /min，得到温控陶瓷。
[0014]此温控陶瓷转变临界温度为1248-1260°C，温度控制精度±0.001°C。
[0015]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
【主权项】
1.一种温控陶瓷的加工方法，其特征在于，按重量计由以下原料制备而成:氢氧化铝13-16份、多晶硅21-26份、氧化铁33-42份、天青石35-42份、石墨12-15份、铟15-17份； 具体步骤如下:(I)、将天青石、多晶硅、石墨使用球磨机研磨，过200目筛，然后混合均匀； (2)、将上述原料在氮气保护下在1215-1285°C下煅烧30_50min，然后缓慢降温，降温幅度为2.50C /min，降温后使用球磨机研磨，过320目筛； (3)、将步骤(2)得到的粉末与氧化铁、氢氧化铝、铟粉碎、混合，模压制坯，模压压强为500Mpa，然后在1320-1350°C下灼烧1-1.5h，升温幅度为12.6°C /min，然后降温，降温幅度为3.8°C /min，得到温控陶瓷。
2.根据权力要求I所述的一种温控陶瓷的加工方法，其特征在于:各原料重量配比如下:氢氧化铝15份、多晶硅22份、氧化铁39份、天青石35份、石墨12份、铟16份。
【专利摘要】本发明涉及一种温控陶瓷的加工方法，按重量计由以下原料制备而成：氢氧化铝13-16份、多晶硅21-26份、氧化铁33-42份、天青石35-42份、石墨12-15份、铟15-17份；本发明的温控陶瓷在1225-1260℃间为导体，超出此温度范围为绝缘体，通过将温控陶瓷连接在加热电路中实现控温，控温精度达到±0.001℃。
【IPC分类】C04B35-622, C04B35-26
【公开号】CN104556993
【申请号】CN201410782728
【发明人】曹艺佳
【申请人】曹艺佳
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2014年12月18日