一种氧化镁晶体粉制备方法
【技术领域】
[0001]本发明属于晶体制备领域，特别涉及一种氧化镁晶体粉制备方法。
【背景技术】
[0002]高纯电熔氧化镁具有优良的耐高温和电绝缘性能，广泛应用于国防军工、耐火材料、耐高温、耐绝缘仪表、电器、铠装热电偶、铠装式加热器等。其一般采用优质纯碱和卤水合成高纯氧化镁，再经电熔，制取高纯度、高密度和低硼的优质电熔氧化镁。
[0003]高纯氧化镁棒是专用于高功率单端电热管的产品，具有绝缘、耐压性能、传热效果好等优点。高纯氧化镁棒采用高纯电熔氧化镁经过粉碎、挤压成型，再经高温煅烧而成。
[0004]从高纯氧化镁到电熔氧化镁，需要经过电熔冶炼过程，电熔过程中，原料损耗大，电极周围容易引进杂质，最重要的是需要消耗大量电能。因此，为高纯氧化镁棒提供优质的电熔氧化镁粉的同时，需要提高原料的投入产出比和降低电能消耗。
【发明内容】
[0005]为了降低优质的电熔氧化镁粉的制备成本，本发明提供一种氧化镁晶体粉制备方法。
[0006]本发明的目的是通过以下措施来达到:提供一种氧化镁晶体粉制备方法，其使用高纯氧化镁为原料，采用球磨水化、干燥、烧结后降温、粉粹来获得氧化镁晶体粉。
[0007]—优选方案为:球磨水化的用水量与氧化镁的重量比大于1:2。
[0008]—优选方案为:球磨水化温度在50?100°C之间。
[0009]—优选方案为:所用球磨水化过程中加入表面活性剂；表面活性剂优选碱性阴离子表面活性剂，如十二烷基苯磺酸钠、甲基苯磺酸钠等的一种或任意组合的混合物。。
[0010]一优选方案为:干燥温度在100?150°C之间进行。
[0011]—优选方案为:烧结温度1600?1750°C，停留2?30小时；烧结后降温速率为20?100°C每小时，400°C后自然降温。
[0012]有益效果:本发明制备过程中具有原料损耗低、流程简单、低能耗的特点。
【具体实施方式】
[0013]下面结合实施例对本发明进行详细说明。
[0014]本发明提供一种氧化镁晶体粉制备方法，其使用高纯氧化镁为原料，采用球磨水化、干燥、烧结后降温、粉粹来获得氧化镁晶体粉。
[0015]—优选方案为:球磨水化的用水量与氧化镁的重量比大于1:2。
[0016]—优选方案为:球磨水化温度在50?100°C之间。
[0017]—优选方案为:所用球磨水化过程中加入表面活性剂；表面活性剂优选碱性阴离子表面活性剂，如十二烷基苯磺酸钠、甲基苯磺酸钠等的一种或任意组合的混合物。
[0018]—优选方案为:干燥温度在100?150°C之间进行。
[0019]—优选方案为:烧结温度1600?1750°C，停留2?30小时；烧结后降温速率为20?100°C每小时，400°C后自然降温。
[0020]采用球磨设备进行水化，可以使氧化镁颗粒外层水化生成的氢氧化镁快速剥离。球磨水化过程中为使氧化镁充分水化，使用超过氧化镁水化所需的水量。球磨水化过程中加入表面活性剂，将水化生成的纳米级氢氧化镁包覆，防止其结合成大粒径颗粒，影响其烧结活性。
[0021]实施例
[0022]100g高纯氧化镁、100ml 80°C去离子水、lg十二烷基苯磺酸钠，在球磨机中进行水化，运行30分钟。球磨后的浆料在马弗炉中，120°C烘干。再升温至1600°C进行烧结，停留5小时。烧结后以每小时30°C的速率进行降温，400°C后自然冷却降温。再将所得物料粉碎，即得到氧化镁晶体粉末。
[0023]以上内容是结合优选技术方案对本发明所做的进一步详细说明，不能认定发明的具体实施仅限于这些说明。对本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明的构思的前提下，还可以做出简单的推演及替换，都应当视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种氧化镁晶体粉制备方法，其特征在于，使用高纯氧化镁为原料，采用球磨水化、干燥、烧结后降温、粉粹来获得氧化镁晶体粉。2.根据权利要求1所述的一种氧化镁晶体粉制备方法，其特征在于，所用球磨水化的用水量与氧化镁的重量比大于1:2。3.根据权利要求1所述的一种氧化镁晶体粉制备方法，其特征在于，所用球磨水化温度在50?100°C之间。4.根据权利要求1-3任一所述的球磨水化，其特征在于，所用球磨水化过程中加入表面活性剂；表面活性剂优选碱性阴离子表面活性剂，如十二烷基苯磺酸钠、甲基苯磺酸钠等的一种或任意组合的混合物。5.根据权利要求1所述的一种氧化镁晶体粉制备方法，其特征在于，所用干燥温度在100?150°C之间进行。6.根据权利要求1所述的一种氧化镁晶体粉制备方法，其特征在于，所用烧结温度1600?1750°C，停留2?30小时；烧结后降温速率为20?100°C每小时，400°C后自然降温。
【专利摘要】本发明公开了一种氧化镁晶体粉制备方法，使用高纯氧化镁为原料，采用球磨水化获得浆体，球磨水化的用水量与氧化镁的重量比大于1:2，水化温度在50～100℃之间；球磨水化过程中需要加入表面活性剂。在100～150℃之间对浆体进行干燥、烧结温度1600～1750℃，停留2～30小时；烧结后降温速率为20～100℃每小时，400℃后自然降温烧结后降温。最后将所得物料粉粹来获得氧化镁晶体粉。本发明制备过程中具有原料损耗低、流程简单、低能耗的特点，可广泛应用于氧化镁晶体粉的制备。
【IPC分类】C01F5/02
【公开号】CN105329922
【申请号】CN201510931207
【发明人】曾卫军
【申请人】营口镁质材料研究院有限公司
【公开日】2016年2月17日
【申请日】2015年12月15日