lt;基座>
在单晶硅提拉时支持氧化硅玻璃坩祸的基座的内表面的三维形状可以利用与上述方法相同的原理测量。
[0031]〈成型体〉
是如下所示地形成的成型体，即，基于可以支持氧化硅玻璃坩祸的基座的内面形状的三维数据和上述坩祸的三维数据形成，并且当铺设于上述基座的内表面与上述坩祸的外表面之间时，上述基座的中心轴与上述坩祸的中心轴就会实质上一致。根据基座的内表面和氧化硅玻璃坩祸的内表面及外表面的三维形状数据，算出用于使各自的中心轴一致的成型体的位置和/或形状。此处，氧化硅玻璃坩祸的中心轴是与坩祸侧壁部的内表面大致平行并且通过开口部的中心的轴。由于也有坩祸的外表面与内表面并非大致平行的情况，因此优选以内表面为基准的中心轴。这是因为，坩祸同基座一起一般与单晶硅反向旋转，因此坩祸的内表面的偏心会扰乱硅熔液面。基座的中心轴是沿着使基座沿水平方向旋转的近似垂直方向通过的轴。由此，由于坩祸的内表面与基座的中心轴大致平行，因此在基座的中心轴相对于水平面大致垂直的情况下，坩祸内表面也相对于水平面垂直，硅熔液面与坩祸内表面垂直，从而可以防止熔液面紊乱。上述成型体也可以不将基座内表面或坩祸外表面全部覆盖。也可以是覆盖坩祸外表面或基座内表面的一部分的形状，例如也可以是覆盖氧化硅玻璃坩祸的底部、角部及侧壁部的一部分以及底部及角部的形状。此外，还可以是仅覆盖坩祸底部的形状。这是因为，在将坩祸外表面或基座内表面的全部覆盖的形状的情况下，成型体的费用就会增加。覆盖坩祸外表面或基座内表面的成型体的厚度不均匀，也可以是与基座的内表面和氧化硅玻璃坩祸的内表面及外表面的三维形状匹配地厚度发生变化的形状。另外，成型体也可以是多个。该情况下，也可以在坩祸外表面或基座内表面，针对使得彼此的中心轴一致的位置铺设各个成型体。在坩祸外表面与基座内表面之间铺设成型体的情况下，如果彼此的中心轴一致，则也可以存在有坩祸外表面与基座内表面的间隙。另外，也可以将一部分的成型体预先铺设在基座内表面，在将剩下的成型体铺设在坩祸的外表面后，将该氧化硅玻璃坩祸装填到上述基座中。
[0032]<成型体的形状及材质>
成型体的加工方法没有特别限定，然而例如也可以采用使用NC加工之类的机械来削出的方法。由于可以使用三维形状的数据来加工，因此有利。另外，也可以将板、薄片或布状的成型体层叠而制成成型体。对于将局部的间隙填满而言有利。另外，也可以将上述削出而得的成型体与上述层叠而得的成型体组合使用。此外，也可以将铺设在坩祸外表面的上述削出而得的成型体和/或上述层叠而得的成型体用薄片或布状的成型体覆盖，还可以通过使用纤维编入来覆盖。也可以将相同的操作应用于铺设在基座的内表面的情况。也可以利用加热或药剂处理使覆盖后的薄片或布固化。成型体的材质没有特别限定，然而也可以是耐热性材料。由于单晶硅提拉是在约1450?1600°C左右的高温条件下实行，因此如果成型体不是耐热性材料，则在单晶提拉中成型体的形状就会溃损而使中心轴错移。另外，耐热性材料也可以是碳。碳是也被用于基座中的材料，由于耐热性优异，因此合适。此外，还可以是碳材料或陶瓷、或它们的组合。
[0033]<成型体的设置1 >
关于本实施方式，使用图3，对成型体的设置进行详细说明。图3(a)是表示从坩祸底部到角部地具有变形部24的氧化硅玻璃坩祸21的图。图3(b)是表示基座31的剖面视图和回转轴34的图。利用上述的测量方法计测氧化硅玻璃坩祸的三维形状23(图3(c))和基座的内表面三维形状33(图3(d))。当基于计测出的数据将氧化硅玻璃坩祸的三维形状23插入基座的内表面三维形状33中时，即如图3(e)所示，显而易见，氧化硅玻璃坩祸的中心轴22与基座的中心轴32不一致。如图3(f)所示，当以使中心轴22与中心轴32 —致的方式挪动氧化硅玻璃坩祸的三维形状23时，就会在坩祸底部与基座中产生间隙41。制成中心轴22与中心轴23 —致的成型体42。如图3(g)所示，通过在氧化硅玻璃坩祸21与基座31之间铺设成型体42，就可以使中心轴22与中心轴32 —致。通过预先铺设成型体，就可以省去调节中心轴的工序，将氧化硅玻璃坩祸装填到基座中。
[0034]另外，如图4所示，成型体也可以是覆盖氧化硅玻璃坩祸的一部分的成型体51 (图4(b))。而且，图4(b)及(c)的成型体51为了说明简便而设为局部的剖面图。位于变形部24中的成型体43与成型体51 —体化。将氧化硅玻璃坩祸21装填到成型体51中，通过将装填到成型体51中的氧化硅玻璃坩祸21装填到基座31中，就可以使中心轴22与中心轴32 —致。通过用可以使中心轴22与中心轴32 —致的成型体预先覆盖氧化硅玻璃坩祸，在使用时就可以省去铺设成型体的工序和调节中心轴的工序，将氧化硅玻璃坩祸插入基座中。
[0035]另外，如图5所示，成型体也可以是覆盖基座的内表面的成型体51 (图5(a))。而且，图5(a)及(c)的成型体51为了说明简便而设为局部的剖面图。对应于变形部24的成型体43与成型体51 —体化。将成型体51铺设在基座31中，通过向铺设有成型体51的基座31中装填氧化硅玻璃坩祸21，就可以使中心轴22与中心轴32 —致。通过用会将成为间隙的部分填满的成型体预先覆盖基座的内表面，在使用时就可以省去铺设成型体的工序和调节中心轴的工序，将氧化硅玻璃坩祸装填到基座中。
[0036]<成型体的设置2 >
关于其他的实施方式，使用图6，对成型体的设置进行详细说明。图6(a)中，在氧化硅玻璃坩祸21中，安装有成型体42。成型体42为碳。将安装有成型体42的氧化硅玻璃坩祸21装填到基于氧化硅玻璃坩祸的三维形状23和基座的内表面三维形状33制造的薄片状成型体52中。由此，就可以防止在向基座31中的装填工序之前氧化硅玻璃坩祸21与成型体42的位置发生错移。通过将由薄片状成型体52覆盖了的氧化硅玻璃坩祸21和成型体42装填到基座31中，就可以使中心轴22与中心轴32 —致。
【主权项】
1.一种单晶硅提拉方法，具备将成型体铺设在基座的内表面与氧化硅玻璃坩祸的外表面之间的工序，所述成型体基于可以支持所述氧化硅玻璃坩祸的所述基座的内面形状的三维数据和所述坩祸的三维数据形成，并且按照当铺设在所述基座的内表面与所述坩祸的外表面之间时所述基座的中心轴与所述坩祸的中心轴就会实质上一致的方式形成。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于:所述坩祸的中心轴是与所述坩祸的侧壁部的内表面大致平行并且通过开口部的中心的轴。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于:所述成型体没有将所述基座的内表面或所述坩祸的外表面全都覆盖。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于:所述成型体为耐热性材料。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于:所述耐热性材料为碳。
【专利摘要】本发明提供一种单晶硅提拉方法，其具备将成型体铺设在基座的内表面与氧化硅玻璃坩埚的外表面之间的工序，所述成型体基于可以支持上述氧化硅玻璃坩埚的上述基座的内面形状的三维数据和上述坩埚的三维数据形成，并且按照当铺设于上述基座的内表面与上述坩埚的外表面之间时上述基座的中心轴与上述坩埚的中心轴就会实质上一致的方式形成。
【IPC分类】C30B15/10, C30B29/06
【公开号】CN105378157
【申请号】CN201380077574
【发明人】须藤俊明, 佐藤忠广, 北原贤, 北原江梨子
【申请人】胜高股份有限公司
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2013年6月29日
【公告号】EP3015574A1, US20160153116, WO2014207942A1