一种浇铸成型的熔剂坩埚及其制备方法
【专利摘要】本发明涉及一种浇铸成型的熔剂坩埚及其制备方法。其技术方案是：步骤一、将熔剂置于铂金容器中，再将所述铂金容器置于熔融炉中，在1000~1050℃保温3~60分钟，得到熔融的熔剂。步骤二、将制备坩埚的坩埚模具预热至600~700℃，再将熔融的熔剂浇铸于所述坩埚模具中，然后将浇铸有熔剂的坩埚模具在600~920℃条件下转入退火炉，在600~700℃保温5~60分钟；随炉冷却至80~100℃，出炉，脱模，得到浇铸成型的熔剂坩埚。所述熔剂为四硼酸锂、偏硼酸锂中的一种以上。本发明具有制作简单、生产周期短、设备使用效率高、节省成本和熔剂坩埚使用寿命长的特点。
【专利说明】
一种浇铸成型的熔剂坩埚及其制备方法
技术领域
[0001]本发明属于坩祸技术领域。具体涉及一种浇铸成型的熔剂坩祸及其制备方法。
【背景技术】
[0002]目前，铁合金和含碳化硅耐火材料在X射线荧光光谱分析(XRF)中熔融制备玻璃片样品时，需要用四硼酸锂在铂金坩祸的内壁制备一层内衬，以保护铂金坩祸。其方法是在1050°C条件下，将四硼酸锂熔化，在熔体失去流动性前旋转坩祸，使熔剂附着在坩祸的下部和底部，形成对铂金坩祸的保护。
[0003]上述方法的技术缺陷在于:1、制备坩祸内衬必须冷却后才能使用，操作时间长;2、坩祸内衬无法批量制作，效率低。
【发明内容】
[0004]本发明旨在克服现有技术缺陷，目的是提供制作简单、设备使用效率高的浇铸成型的熔剂坩祸及其制备方法。
[0005]为实现上述目的，本发明采用的技术方案的步骤是:
步骤一、先将熔剂置于铂金容器中，再将所述铂金容器置于熔融炉中，升温至1000?1050°C，保温3?60分钟，得到熔融的熔剂。
[0006]步骤二、先将制备坩祸的坩祸模具预热至600?700°C，再将所述熔融的熔剂浇铸于所述坩祸模具中，然后将浇铸有熔剂的坩祸模具在600?920°C条件下转入退火炉中，在600?700°C条件下保温5?60分钟;随炉冷却至80?100°C，出炉，脱模，得到浇铸成型的熔剂坩祸。
[0007]所述熔剂为四硼酸锂、偏硼酸锂中的一种以上，所述熔剂的纯度多99.9wt%。
[0008]所述铂金容器的材质为铂金合金，其中:铂为95wt%，金为5wt%;所述铂金合金的纯度>99.99wt%0
[0009]所述坩祸模具的表层材质为铂、金、铂金合金和石墨中的一种，铂、金、铂金合金和石墨的纯度>99wt%。
[0010]由于采用上述技术方案，本发明与现有技术相比，具有如下积极效果:
1、本发明充分利用四硼酸锂和偏硼酸锂易于玻璃化的特点，浇铸成型，直接制得熔剂坩祸，制作简单和生产周期短。
[0011]2、本发明制备的熔剂坩祸能批量生产，直接使用，提高了熔融制片设备的使用效率。
[0012]3、本发明能在石墨材质的模具中成型，可减少贵金属坩祸熔蚀，节省成本。
[0013]因此，本发明具有制作简单、生产周期短、设备使用效率高、节省成本和熔剂坩祸使用寿命长的特点。
【具体实施方式】
[0014]下面结合【具体实施方式】对本发明做进一步描述，并非对其保护范围的限制。
[0015]本【具体实施方式】中:
所述四硼酸锂和偏硼酸锂的纯度多99.9wt%。
[0016]所述铂金容器的材质为铂金合金，其中:铂为95wt%，金为5wt%;所述铂金合金的纯度>99.99wt%0
[0017]所述坩祸模具的表层材质为铂、金、铂金合金和石墨中的一种，铂、金、铂金合金和石墨的纯度>99wt%。
[0018]实施例中不再赘述。
[0019]实施例1
一种浇铸成型的熔剂坩祸及其制备方法。本实施例所述制备方法的具体步骤是:步骤一、将熔剂置于铂金容器中，再将所述铂金容器置于熔融炉中，升温至1000?1030°C，保温20?60分钟，得到熔融的熔剂。
[0020]步骤二、先将制备坩祸的坩祸模具预热至600?680°C，再将熔融的熔剂浇铸于所述坩祸模具中，然后将浇铸有熔剂的坩祸模具在600?820°C条件下转入退火炉中，在600?680°C条件下保温30?60分钟；随炉冷却至80?90°C，出炉，脱模，得到浇铸成型的熔剂坩祸。
[0021]本实施例中:所述熔剂为四硼酸锂;所述坩祸模具的表层材质为铂。
[0022]实施例2
一种浇铸成型的熔剂坩祸及其制备方法。本实施例所述制备方法的具体步骤是:步骤一、将熔剂置于铂金容器中，再将所述铂金容器置于熔融炉中，升温至1020?1050°C，保温3~40分钟，得到熔融的熔剂。
[0023]步骤二、先将制备坩祸的坩祸模具预热至620?700°C，再将熔融的熔剂浇铸于所述坩祸模具中，然后将浇铸有熔剂的坩祸模具在700?920°C条件下转入退火炉中，在620?700°C条件下保温5?40分钟;随炉冷却至90?100°C，出炉，脱模，得到浇铸成型的熔剂坩祸。
[0024]本实施例中:所述熔剂为四硼酸锂;所述坩祸模具的表层材质为金。
[0025]实施例3
一种浇铸成型的熔剂坩祸及其制备方法。本实施例所述制备方法的具体步骤是:步骤一、将熔剂置于铂金容器中，再将所述铂金容器置于熔融炉中，升温至1000?1030°C，保温20?60分钟，得到熔融的熔剂。
[0026]步骤二、先将制备坩祸的坩祸模具预热至600?680°C，再将熔融的熔剂浇铸于所述坩祸模具中，然后将浇铸有熔剂的坩祸模具在600?820°C条件下转入退火炉中，在600?680°C条件下保温30?60分钟；随炉冷却至80?90°C，出炉，脱模，得到浇铸成型的熔剂坩祸。
[0027]本实施例中:所述熔剂为四硼酸锂;所述坩祸模具的表层材质为铂金合金。
[0028]实施例4
一种浇铸成型的熔剂坩祸及其制备方法。本实施例所述制备方法的具体步骤是:步骤一、将熔剂置于铂金容器中，再将所述铂金容器置于熔融炉中，升温至1020?1050°C，保温3~40分钟，得到熔融的熔剂。
[0029]步骤二、先将制备坩祸的坩祸模具预热至620?700°C，再将熔融的熔剂浇铸于所述坩祸模具中，然后将浇铸有熔剂的坩祸模具在700?920°C条件下转入退火炉中，在620?700°C条件下保温5?40分钟;随炉冷却至90?100°C，出炉，脱模，得到浇铸成型的熔剂坩祸。
[0030]本实施例中:所述熔剂为四硼酸锂;所述坩祸模具的材质为石墨。
[0031]实施例5
一种浇铸成型的熔剂坩祸及其制备方法。本实施例所述制备方法的具体步骤是:步骤一、将熔剂置于铂金容器中，再将所述铂金容器置于熔融炉中，升温至1000?1030°C，保温20?60分钟，得到熔融的熔剂。
[0032]步骤二、先将制备坩祸的坩祸模具预热至600?680°C，再将熔融的熔剂浇铸于所述坩祸模具中，然后将浇铸有熔剂的坩祸模具在600?820°C条件下转入退火炉中，在600?680°C条件下保温30?60分钟；随炉冷却至80?90°C，出炉，脱模，得到浇铸成型的熔剂坩祸。
[0033]本实施例中:所述熔剂为四硼酸锂和偏硼酸锂的混合物;所述坩祸模具的材质为石墨。
[0034]实施例6
一种浇铸成型的熔剂坩祸及其制备方法。本实施例所述制备方法的具体步骤是:步骤一、将熔剂置于铂金容器中，再将所述铂金容器置于熔融炉中，升温至1020?1050°C，保温3~40分钟，得到熔融的熔剂。
[0035]步骤二、先将制备坩祸的坩祸模具预热至620?700°C，再将熔融的熔剂浇铸于所述坩祸模具中，然后将浇铸有熔剂的坩祸模具在700?920°C条件下转入退火炉中，在620?700°C条件下保温5?40分钟;随炉冷却至90?100°C，出炉，脱模，得到浇铸成型的熔剂坩祸。
[0036]本实施例中:所述熔剂为四硼酸锂和偏硼酸锂的混合物;所述坩祸模具的材质为石墨。
[0037]
本【具体实施方式】与现有技术相比，具有如下积极效果:
1、本【具体实施方式】充分利用四硼酸锂和偏硼酸锂易于玻璃化的特点，浇铸成型，直接制得熔剂坩祸，制作简单和生产周期短。
[0038]2、本【具体实施方式】制备的浇铸成型的熔剂坩祸能批量生产，直接使用，提高了熔融制片设备的使用效率。
[0039]3、本【具体实施方式】亦能在石墨材质的模具中成型，可减少贵金属坩祸熔蚀，节省成本。
[0040]因此，本【具体实施方式】具有制作简单、生产周期短、设备使用效率高、节省成本和熔剂坩祸使用寿命长的特点。
【主权项】
1.一种浇铸成型的熔剂坩祸的制备方法，其特征在于所述制备方法的步骤是: 步骤一、将熔剂置于铂金容器中，再将所述铂金容器置于熔融炉中，升温至1000?1050°C，保温3~60分钟，得到熔融的熔剂； 步骤二、先将制备坩祸的坩祸模具预热至600?700°C，再将所述熔融的熔剂浇铸于所述坩祸模具中，然后将浇铸有熔剂的坩祸模具在600?920°C条件下转入退火炉中，在600?700°C条件下保温5?60分钟;随炉冷却至80?100°C，出炉，脱模，得到浇铸成型的熔剂坩祸。2.根据权利要求1所述的浇铸成型的熔剂坩祸的制备方法，其特征在于所述熔剂为四硼酸锂和偏硼酸锂中的一种以上，所述熔剂的纯度多99.9wt%。3.根据权利要求1所述的浇铸成型的熔剂坩祸的制备方法，其特征在于所述铂金容器的材质为铂金合金，其中:铂为95wt%，金为5wt%;所述铂金合金的纯度>99.99wt%04.根据权利要求1所述的浇铸成型的熔剂坩祸的制备方法，其特征在于所述坩祸模具的表层材质为铀、金、铀金合金和石墨中的一种，铀、金、铀金合金和石墨的纯度>99wt%。5.—种浇铸成型的熔剂坩祸，其特征在于所述的浇铸成型的熔剂坩祸是根据权利要求1?4项中任一项所述的的浇铸成型的熔剂坩祸的制备方法所制备的浇铸成型的熔剂坩祸。
【文档编号】C03C3/14GK106082642SQ201610406209
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年6月12日
【发明人】徐建平, 王周福, 王玺堂, 刘浩
【申请人】武汉科技大学