一种用于多晶铸锭的陶瓷坩埚的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种陶瓷坩祸，特别涉及一种用于多晶铸锭的陶瓷坩祸。
【背景技术】
[0002]不可再生能源的不断枯竭使可再生能源受到广泛的关注，尤以太阳能特别受到关注，太阳能的利用成为了可再生资源利用的主力军。
[0003]当前的多晶铸锭技术多采用定向凝固生长的方法，为了获得低缺陷的硅锭，多采用沿着生长方向整齐排列的柱状晶结构，在铸锭生长的初期为了减少缺陷的分布，使用减小晶粒大小增加晶界的长度的方式，应力释放进入晶界而降低缺陷的产生，达到后期提高制成后的电池效率。
[0004]通过在坩祸底部增加小的颗粒层能够得到一定的效果，但目前由于受热场因素的影响，在生长过程中坩祸侧壁的温度下降较快，熔融的硅液在坩祸侧壁开始形核并由此出现横向生长的晶粒，通过对热场的优化可以减少横向生成晶粒的现象过程，但无法完全避免坩祸侧壁横向生长晶粒。
【发明内容】
[0005]本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种结构合理、能够降低由侧壁横向生长的缺陷的用于多晶铸锭的陶瓷坩祸。
[0006]本实用新型所要解决的技术问题是通过以下的技术方案来实现的，本实用新型是一种用于多晶铸锭的陶瓷坩祸，其特点是:包括锅底和侧壁，所述锅底的上表面和侧壁的内表面上均匀镶嵌有一层颗粒层，颗粒层包括若干个硅颗粒或硅的化合物颗粒。
[0007]本实用新型所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现，所述的用于多晶铸锭的陶瓷坩祸中:所述侧壁的壁厚由上至下逐渐增加5-8mm。
[0008]本实用新型所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现，所述的用于多晶铸锭的陶瓷坩祸中:所述硅颗粒或硅的化合物颗粒的纯度大于4N。
[0009]本实用新型所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现，所述的用于多晶铸锭的陶瓷坩祸中:所述颗粒层的厚度为0.1-3_。
[0010]本实用新型所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现，所述的用于多晶铸锭的陶瓷坩祸中:所述硅颗粒或硅的化合物颗粒的粒径为60 μπι~2_。
[0011]与现有技术相比，本实用新型通过在坩祸的锅底和侧壁上镶嵌一层颗粒层，颗粒层为若干个硅颗粒或硅的化合物颗粒，因此在锅底能够对硅晶体的形貌进行引导，同时侧壁也能够引导晶粒的生长，使得从坩祸侧壁横向生产出来的晶粒拥有更低的缺陷密度，减少侧壁晶粒形状的素乱，并得到更为优质的尚品质的多晶娃徒，提尚娃徒外围部分制成电池的效率。
【附图说明】
[0012]图1是本实用新型的一种结构示意图。
【具体实施方式】
[0013]以下参照附图，进一步描述本实用新型的具体技术方案，以便于本领域的技术人员进一步地理解本发明，而不构成对其权利的限制。
[0014]实施例1，参照图1，一种用于多晶铸锭的陶瓷坩祸，包括锅底3和侧壁1，所述锅底3的上表面和侧壁1的内表面上均匀镶嵌有一层颗粒层2，颗粒层2包括若干个硅颗粒或硅的化合物颗粒。所述侧壁1的壁厚由上至下逐渐增加5-8_。所述硅颗粒或硅的化合物颗粒的纯度大于4N。所述颗粒层2的厚度为0.1-3_。所述硅颗粒或硅的化合物颗粒的粒径为 60 μ m~2mm0
[0015]实施例2，一种用于多晶铸锭的陶瓷坩祸，在陶瓷坩祸胚体进行高温烧结后，制成成品，选用粒径大小为100 μ m的碳化硅颗粒，碳化硅颗粒的纯度为6N，通过使用陶瓷粘结剂，将以上选用的碳化硅颗粒均匀的刷涂在坩祸的侧壁1内表面及锅底3的上表面上，颗粒层2较坩祸平面凸出2_，待碳化硅颗粒牢固的粘粘在坩祸侧壁1及锅底3上，形成颗粒层2，将以上坩祸进行正常的喷涂后进行使用。侧壁1和锅底3颗粒层能够择优的生长，使得侧壁1和锅底3优先生长出来的晶粒具有较低的缺陷密度，提高硅片品质。
[0016]实施例3，一种用于多晶铸锭的陶瓷坩祸，在陶瓷坩祸胚体尚未烧结，制成成品前，选用粒径大小为80 μ m的二氧化娃颗粒，二氧化娃的纯度为7N，将以上选用的二氧化娃颗粒均匀的刷涂在坩祸胚体的侧壁1的内表面上及锅底3的上表面上，颗粒层2较坩祸平面凸出1.5mm，待二氧化硅颗粒牢固的粘贴在坩祸侧壁1及锅底3上，将以上坩祸在进行烧结成型，在侧壁1和锅底3形成颗粒层2，成型后的坩祸进行正常的喷涂工艺进行使用。侧壁1和锅底3的颗粒层2能够择优的生长，使得侧壁1和锅底3优先生长出来的晶粒具有较低的缺陷密度，提尚娃片品质。
[0017]实施例4，一种用于多晶铸锭的陶瓷坩祸，在陶瓷坩祸胚体进行高温烧结后，制成成品，选用粒径大小为70 μ m的硅颗粒，硅颗粒的纯度为5N，通过使用粘结剂，将以上选用的硅颗粒均匀的刷涂在坩祸的侧壁1的内表面上及锅底3的上表面上，颗粒层2较坩祸平面凸出3_，待硅颗粒牢固的粘贴在陶瓷坩祸侧壁1及锅底3上，在侧壁1和锅底3形成颗粒层2。将以上坩祸进行正常的喷涂工艺后进行使用。侧壁1和锅底3颗粒层2能够择优的生长，使得侧壁1和锅底3优先生长出来的晶粒具有较低的缺陷密度，提高硅片品质。
【主权项】
1.一种用于多晶铸锭的陶瓷坩祸，其特征在于:包括锅底和侧壁，所述锅底的上表面和侧壁的内表面上均匀镶嵌有一层颗粒层，颗粒层包括若干个硅颗粒或硅的化合物颗粒，所述侧壁的壁厚由上至下逐渐增加5-8_。2.根据权利要求1所述的用于多晶铸锭的陶瓷坩祸，其特征在于:所述硅颗粒或硅的化合物颗粒的纯度大于4N。3.根据权利要求1所述的用于多晶铸锭的陶瓷坩祸，其特征在于:所述颗粒层的厚度为 0.l_3mm。4.根据权利要求1所述的用于多晶铸锭的陶瓷坩祸，其特征在于:所述硅颗粒或硅的化合物颗粒的粒径为60 ym~2mm。
【专利摘要】本实用新型是一种用于多晶铸锭的陶瓷坩埚，包括锅底和侧壁，所述锅底的上表面和侧壁的内表面上均匀镶嵌有一层颗粒层，颗粒层包括若干个硅颗粒或硅的化合物颗粒。本实用新型通过在坩埚的锅底和侧壁上镶嵌一层颗粒层，颗粒层为若干个硅颗粒或硅的化合物颗粒，因此在锅底能够对硅晶体的形貌进行引导，同时侧壁也能够引导晶粒的生长，使得从坩埚侧壁横向生产出来的晶粒拥有更低的缺陷密度，减少侧壁晶粒形状的紊乱，并得到更为优质的高品质的多晶硅锭，提高硅锭外围部分制成电池的效率。
【IPC分类】C30B29/06, C30B28/06
【公开号】CN205011860
【申请号】CN201520685126
【发明人】潘欢欢, 魏国, 吴金友
【申请人】韩华新能源科技有限公司
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2015年9月7日