专利名称：一种固相合成含乙氧基聚三联噻吩/石墨烯复合材料的方法
技术领域：
本发明涉及一种制备含乙氧基聚三联噻吩/石墨烯复合材料的方法，属于导电聚合物/无机纳米复合材料制备领域。
背景技术：
近年来，聚噻吩及其衍生物因具有很高的化学和电化学稳定性，其掺杂水平较高，而且掺杂和去掺杂过程可逆，所以在导电聚合物中占有重要地位。聚噻吩的衍生物因其性能在原有的基础上可能会产生不同的效果也引起了人们的广泛关注。但是噻吩的2、5位的活性点会致使聚噻吩和聚噻吩的衍生物产生很多种的立体异构现象，所以含乙氧基三联聚噻吩为聚噻吩的性能带来了一定的改善。石墨烯由于比表面积大、机械性能好、电导率高等优点，可以作为电极材料、传感器、储氢材料等优点已经引起人们的极大兴趣。石墨烯独特的平面结构和其特殊的性能与聚噻吩的复合材料可以扩大复合材料的应用广度等。
发明内容
本发明人发现在固相反应中单体3’ , 4’ -ethylenedioxy-2, 2’ 5’，2〃_terthiophene (TET)中加入氧化剂和石墨烯在100°C真空干燥箱内发生自由基聚合，该方法反应具有操作简单、反应快、能耗低、产率高、无污染的特点。本发明的目的在于提供一种成本廉价、耗时短、易于操作、对环境无污染的合成PTET/石墨烯复合材料的方法。
图I为所制得PTET/石墨烯的红外光谱图。其中a)是TET-OTS-空白试验，b)是TET-OTS和4mg的石墨烯的复合，c)是TET-OTS和8mg的石墨烯的复合，d)是TET-OTS和4mg的石墨烯的复合。图2为所制得PTET/石墨烯的恒电流下的充放电图。图3为所制得PTET/石墨烯的放电寿命图。图4为所制得PTET/石墨烯的XRD图。其中a)是TET-OTS-空白试验，b)是TET-OTS和4mg的石墨烯的复合，c)是TET-OTS和8mg的石墨烯的复合，d)是TET-OTS和4mg的石墨烯的复合。从表征图中可以看出PTET/石墨烯复合材料的比电容较好而且在循环使用过程中的稳定性较好。
具体实施例方式实施实例
分别称取三份O. Ig的TET单体置于玛瑙研钵中，分别称取4mg、8mg、12mg、的石墨烯之混合，研磨均匀，然后称取O. 88g的对甲苯磺酸铁，快速研磨15min。而后放入100°C真空干燥箱内4h。用氯仿溶解，用乙醇、水、和氯仿洗涤后放入60°C真空干燥箱内干燥48h既得PTET/石墨烯纳米复合材料。
权利要求
1.以聚噻吩的衍生物-poly (3，，4’-ethylenedioxy-2, 2’ :5’，2"-terthiophene)(PTET)为基体材料和石墨烯复合制备PTET/石墨烯纳米复合材料。
2.按权利要求书I所述，用单体TET和石墨烯为原料在一定比例的氧化剂的作用下制备PTET/石墨烯纳米复合材料可用于电极材料。
全文摘要
固相法制备PTET/石墨烯复合材料的方法，是将单体TET和石墨烯在研钵内混合均匀后加入氧化剂在室温条件下研磨反应一定时间，后放入真空干燥箱内4h。用乙醇和蒸馏水洗涤，干燥即得PTET/石墨烯复合材料粉体。该方法反应操作简单、反应快、能耗低，所制得的复合材料的循环寿命较好，有很好的稳定性。有望应用于工业大规模生产。
文档编号C08G61/12GK102942768SQ20121045799
公开日2013年2月27日 申请日期2012年11月15日 优先权日2012年11月15日
发明者吐尔逊·阿不都热依木, 张渝, 邵伟伟 申请人:新疆大学