一种耐高温抗中子辐照型聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法与流程

技术特征：

1.一种含硼聚酰亚胺，它含有0.001～50wt％的硼元素；

所述的硼元素是含硼粉体，粉末均匀分散到聚酰亚胺当中；

所述的含硼粉体为微米级粉体、纳米级粉体或微米纳米级配型粉体。

2.根据权利要求1所述的含硼聚酰亚胺，其特征在于，所述的硼元素是经过改性修饰的。优选的，所述的改性修饰是使用硅烷偶联剂对含硼原料进行修饰处理。

3.一种含硼聚酰亚胺的制备方法，具体包括以下步骤：

1)聚酰胺酸胶液的制备：在惰性气体保护条件下，将二胺单体溶于非质子极性有机溶剂，加入二酐单体，搅拌反应5h以上，然后，加入非质子极性有机溶剂调节聚酰胺酸固含量范围为5％～15％，聚酰胺酸胶液的表观粘度为10000～15000mPa.s，备用；

2)含硼粉体预处理：将含硼粉体溶于醇水溶液中，加入硅烷偶联剂，超声分散，搅拌回流反应，使硅烷偶联剂结合到含硼粉体表面；蒸干反应溶液，得到经硅烷偶联剂表面改性处理的含硼粉体，备用；

3)将含硼粉体溶于非质子极性溶剂，含硼粉体和非质子极性溶剂的质量比为1:5-10，超声分散均匀；将此含硼粉体的溶液加入到步骤(1)制备得到的聚酰胺酸胶液中，搅拌混合均匀；

4)将步骤(3)得到的混合溶液脱除气泡，涂覆成膜，制得含硼聚酰胺酸胶膜；然后，将此聚酰胺酸胶膜亚胺化得到含硼聚酰亚胺。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中二胺单体可以为以下结构的一种或一种以上：

5.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中二酐单体可以为以下结构的一种或一种以上：

6.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中的二酐单体与二胺单体的摩尔比为(1～1.03)：1。

7.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中所述含硼粉体为：硼、碳化硼、氮化硼中的一种或一种以上的混合物。

8.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中硅烷偶联剂为γ-氨丙基三乙氧基硅烷、钛酸酯偶联剂101或两种类型偶联剂的混合，偶联剂加入量为含硼粉体质量的0.1～5wt％。

9.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤3)中含硼粉体为微米级粉体、纳米级粉体或微米纳米级配型粉体，加入量为含硼粉体、二胺和二酐总质量的0.001～50wt％。

10.一种含硼聚酰亚胺复合薄膜，其特征在于，所述含硼聚酰亚胺复合薄膜采用如权利要求1-9任一权利要求所述的制备方法制得。