1.一种表面接枝阻蚀剂的纳米勃姆石填料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：对阻蚀剂进行干燥处理后，在超声分散条件下，缓慢加入无水溶剂中，室温下持续超声分散30分钟，得到阻蚀剂溶液；
步骤二：将桥接剂、阻聚剂及催化剂在80℃、搅拌分散条件下缓慢加入步骤一所得的阻蚀剂溶液中，并持续搅拌反应6小时，其中阻蚀剂与桥接剂摩尔比为1～2:1；
步骤三：对纳米勃姆石填料进行干燥处理后，缓慢加入无水溶剂中，室温下持续超声分散30分钟，得到纳米勃姆石填料悬浮液；
步骤四：将步骤三中的纳米勃姆石填料悬浮液加入步骤二中的反应体系，随后将温度升至90～130℃，在氮气保护条件下搅拌反应4～6小时，反应完成后抽滤，并将产物置入索式萃取器中提纯72小时，最后将提纯后的产物进行烘干处理，得到表面接枝阻蚀剂的纳米勃姆石填料。
2.如权利要求1所述的表面接枝阻蚀剂的纳米勃姆石填料的制备方法，其特征在于：所述阻蚀剂为5-氨基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇、1,2,3-苯并三唑、巯基苯骈噻唑或甲基苯骈三氮唑。
3.如权利要求1所述的表面接枝阻蚀剂的纳米勃姆石填料的制备方法，其特征在于：所述无水溶剂为甲苯或二甲苯。
4.如权利要求1所述的表面接枝阻蚀剂的纳米勃姆石填料的制备方法，其特征在于：所述催化剂为三乙胺、三丁胺、吡啶或链状聚乙二醇。
5.如权利要求1所述的表面接枝阻蚀剂的纳米勃姆石填料的制备方法，其特征在于：所述桥接剂为丙烯酸基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷或γ-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷。
6.如权利要求1所述的表面接枝阻蚀剂的纳米勃姆石填料的制备方法，其特征在于：所述阻聚剂为对苯二酚、对苯醌、甲基氢醌或对羟基苯甲醚。
7.如权利要求1所述的表面接枝阻蚀剂的纳米勃姆石填料的制备方法，其特征在于：所述干燥处理采用恒温干燥方式，具体是将阻蚀剂和纳米勃姆石填料置于恒温干燥箱内干燥至恒重，干燥温度为80℃。
8.如权利要求1所述的表面接枝阻蚀剂的纳米勃姆石填料的制备方法，其特征在于：所述无水溶剂除水处理采用分子筛浸泡方式，具体为将活化后的3A分子筛浸泡于待除水溶剂中，满72小时后使用。
9.如权利要求1所述的表面接枝阻蚀剂的纳米勃姆石填料的制备方法，其特征在于：所述步骤四中烘干处理采用真空烘干方式，具体是接枝改性反应产物置于真空烘干箱内烘干至恒重，烘干温度为80℃。