基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料及其制备方法和应用与流程

技术特征：

1.基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料，其特征在于该材料的结构式为

记为DPDPA；

或者为记为DPDPSA；

或者为其中X＝S或O，Y＝S或O，当X＝Y＝S时记为DPDPS₂A；当X＝S，Y＝O时记为DPDPSOA；当X＝Y＝O时记为DPDPO₂A；

或者为记为DPDPP；

或者为记为DPDPSP；

或者为其中X＝S或O，Y＝S或O，当X＝Y＝S时记为DPDPS₂P；当X＝S，Y＝O时记为DPDPSOP；当X＝Y＝O时记为DPDPO₂P。

2.制备权利要求1所述的基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料的方法，其特征在于该方法如下：

将邻二溴芳基化合物、苯基二氯化膦、正丁基锂按摩尔比为1：(1～1.5)：(2～4)的比例加入到四氢呋喃中，在氩气保护下，在温度为-60～-85℃的条件下反应1～3小时，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有机层，把有机层液体干燥后，直接纯化或者硫化/和氧化后再纯化，得到基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料；其中邻二溴芳基化合物为邻二溴苯或2,3-二溴萘。

3.根据权利要求2所述的基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料的制备方法，其特征在于所述的硫化过程是：向有机层液体中加入硫粉，在温度为15～30℃的条件下搅拌进行反应0.5～2小时，完成硫化。

4.根据权利要求2所述的基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料的制备方法，其特征在于所述的氧化的过程是：向有机层液体中加入H₂O₂，在温度为-5～20℃的条件下搅拌进行反应0.5～2小时，完成氧化。

5.根据权利要求2、3或4所述的基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料的制备方法，其特征在于：

基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料DPDPA的合成方法如下：将邻二溴苯、苯基二氯化膦、正丁基锂按摩尔比为1：(1～1.5)：(2～4)的比例加入到四氢呋喃中，在温度为-60～-85℃的条件下反应1～3小时，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有机层，把有机层液体用无水硫酸钠干燥后，以石油醚和二氯甲烷的混合溶剂为淋洗剂进行柱层析纯化，得到基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料DPDPA；其中邻二溴苯的物质的量与四氢呋喃的体积的比为1mmol：(10～25)ml；

基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料DPDPSA的合成方法如下：将邻二溴苯、苯基二氯化膦、正丁基锂按摩尔比为1：(1～1.5)：(2～4)的比例加入到四氢呋喃中，在温度为-60～-85℃的条件下反应1～3小时，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有机层，把有机层液体用无水硫酸钠干燥后，加入硫粉，在温度为15～30℃的条件下搅拌进行硫化反应0.5～2小时，抽滤、旋转蒸发去除二氯甲烷溶剂，再以乙醇和二氯甲烷的混合溶剂为淋洗剂进行柱层析纯化，得到基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料DPDPSA；其中邻二溴苯的物质的量与四氢呋喃的体积的比为1mmol：(10～25)ml；加入的硫粉的物质量的量与苯基二氯化膦的物质的量的比为(0.5～0.75)：2；

基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料DPDPS₂A的合成方法如下：将邻二溴苯、苯基二氯化膦、正丁基锂按摩尔比为1：(1～1.5)：(2～4)的比例加入到四氢呋喃中，在温度为-60～-85℃的条件下反应1～3小时，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有机层，把有机层液体用无水硫酸钠干燥后，加入硫粉，在温度为15～30℃的条件下搅拌进行硫化反应1～2小时，抽滤、旋转蒸发去除二氯甲烷溶剂，再以乙醇和二氯甲烷的混合溶剂为淋洗剂进行柱层析纯化，得到基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料DPDPSA；其中邻二溴苯的物质的量与四氢呋喃的体积的比为1mmol：(10～25)ml；加入的硫粉的物质量的量与苯基二氯化膦的物质的量的比为(0.5～0.75)：1；

基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料DPDPSOA的合成方法如下：将邻二溴苯、苯基二氯化膦、正丁基锂按摩尔比为1：(1～1.5)：(2～4)的比例加入到四氢呋喃中，在温度为-60～-85℃的条件下反应1～3小时，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有机层，把有机层液体用无水硫酸钠干燥后，加入硫粉，在温度为15～30℃的条件下搅拌进行硫化反应1～2小时；再加入H₂O₂，在温度为-5～20℃的条件下搅拌进行氧化反应0.5～2小时；用亚硫酸氢钠溶液和水分别洗涤，二氯甲烷萃取，无水硫酸钠干燥后，旋转蒸发去除二氯甲烷溶剂，再以乙醇和二氯甲烷的混合溶剂为淋洗剂进行柱层析纯化，得到基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料DPDPSOA；其中邻二溴苯的物质的量与四氢呋喃的体积的比为1mmol：(10～25)ml；加入的硫粉的物质量的量与苯基二氯化膦的物质的量的比为(0.5～0.75)：2；加入的H₂O₂与苯基二氯化膦的物质的量的比(10～15)：1；

基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料DPDPO₂A的合成方法如下：将邻二溴苯、苯基二氯化膦、正丁基锂按摩尔比为1：(1～1.5)：(2～4)的比例加入到四氢呋喃中，在温度为-60～-85℃的条件下反应1～3小时，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有机层，把有机层液体用无水硫酸钠干燥后，加入H₂O₂，在温度为-5～20℃的条件下搅拌进行氧化反应0.5～2小时；用亚硫酸氢钠溶液和水分别洗涤，二氯甲烷萃取，无水硫酸钠干燥后，旋转蒸发去除二氯甲烷溶剂，再以乙醇和二氯甲烷的混合溶剂为淋洗剂进行柱层析纯化，得到基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料DPDPO₂A；其中邻二溴苯的物质的量与四氢呋喃的体积的比为1mmol：(10～25)ml；加入的H₂O₂与苯基二氯化膦的物质的量的比(20～25)：1；

基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料DPDPP的合成方法如下：将2,3-二溴萘、苯基二氯化膦、正丁基锂按摩尔比为1：(1～1.5)：(2～4)的比例加入到四氢呋喃中，在温度为-60～-85℃的条件下反应1～3小时，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有机层，把有机层液体用无水硫酸钠干燥后，以石油醚和二氯甲烷的混合溶剂为淋洗剂进行柱层析纯化，得到DPDPP；其中2,3-二溴萘的物质的量与四氢呋喃的体积的比为1mmol：(10～25)ml；

基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料DPDPSP的合成方法如下：将2,3-二溴萘、苯基二氯化膦、正丁基锂按摩尔比为1：(1～1.5)：(2～4)的比例加入到四氢呋喃中，在温度为-60～-85℃的条件下反应1～3小时，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有机层，把有机层液体用无水硫酸钠干燥后，加入硫粉，在温度为15～30℃的条件下搅拌进行硫化反应0.5～2小时，抽滤、旋转蒸发去除二氯甲烷溶剂，再以乙醇和二氯甲烷的混合溶剂为淋洗剂进行柱层析纯化，得到基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料DPDPSP；其中2,3-二溴萘的物质的量与四氢呋喃的体积的比为1mmol：(10～25)ml；加入的硫粉的物质量的量与苯基二氯化膦的物质的量的比为(0.5～0.75)：2；

基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料DPDPS₂P的合成方法如下：将2,3-二溴萘、苯基二氯化膦、正丁基锂按摩尔比为1：(1～1.5)：(2～4)的比例加入到四氢呋喃中，在温度为-60～-85℃的条件下反应1～3小时，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有机层，把有机层液体用无水硫酸钠干燥后，加入硫粉，在温度为15～30℃的条件下搅拌进行硫化反应1～2小时，抽滤、旋转蒸发去除二氯甲烷溶剂，再以乙醇和二氯甲烷的混合溶剂为淋洗剂进行柱层析纯化，得到基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料DPDPS₂P；其中2,3-二溴萘的物质的量与四氢呋喃的体积的比为1mmol：(10～25)ml；加入的硫粉的物质量的量与苯基二氯化膦的物质的量的比为(0.5～0.75)：1；

基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料DPDPSOP的合成方法如下：将2,3-二溴萘、苯基二氯化膦、正丁基锂按摩尔比为1：(1～1.5)：(2～4)的比例加入到四氢呋喃中，在温度为-60～-85℃的条件下反应1～3小时，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有机层，把有机层液体用无水硫酸钠干燥后，加入硫粉，在温度为15～30℃的条件下搅拌进行硫化反应0.5～2小时；再加入H₂O₂，在温度为-5～20℃的条件下搅拌进行氧化反应0.5～2小时；用亚硫酸氢钠溶液和水分别洗涤，二氯甲烷萃取，无水硫酸钠干燥后，旋转蒸发去除二氯甲烷溶剂，再以乙醇和二氯甲烷的混合溶剂为淋洗剂进行柱层析纯化，得到基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料DPDPSOP；其中2,3-二溴萘的物质的量与四氢呋喃的体积的比为1mmol：(10～25)ml；加入的硫粉的物质量的量与苯基二氯化膦的物质的量的比为(0.5～0.75)：2；加入的H₂O₂与苯基二氯化膦的物质的量的比(10～15)：1；

基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料DPDPO₂P的合成方法如下：将2,3-二溴萘、苯基二氯化膦、正丁基锂按摩尔比为1：(1～1.5)：(2～4)的比例加入到四氢呋喃中，在温度为-60～-85℃的条件下反应1～3小时，然后倒入水中，用二氯甲烷萃取，得到有机层，加入H₂O₂，在温度为-5～20℃的条件下搅拌进行氧化反应0.5～2小时；用亚硫酸氢钠溶液和水分别洗涤，二氯甲烷萃取，无水硫酸钠干燥后，旋转蒸发去除二氯甲烷溶剂，再以乙醇和二氯甲烷的混合溶剂为淋洗剂进行柱层析纯化，得到基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料DPDPO₂P；其中2,3-二溴萘的物质的量与四氢呋喃的体积的比为1mmol：(10～25)ml；加入的H₂O₂与苯基二氯化膦的物质的量的比(20～25)：1。

6.权利要求1所述的基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料的应用，其特征在于该应用是将基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料用于热激发延迟荧光电致发光器件中。

7.根据权利要求6所述的基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料的应用，其特征在于利用基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料制备热激发延迟荧光电致发光器件的方法，按以下步骤进行：

一、将经过去离子水清洗的玻璃或塑料衬底放入真空蒸镀仪，真空度为1×10^-6mbar，蒸镀速率设为0.1nm s^-1，在玻璃或塑料衬底上蒸镀材料为氧化铟锡、厚度为100nm的阳极导电层；

二、在阳极导电层上蒸镀材料为MoO₃、厚度为5～30nm的空穴注入层；

三、在空穴注入层上蒸镀材料为N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、厚度为40～70nm nm的空穴传输层；

四、在空穴传输层上蒸镀材料为1,3-二-9-咔唑基苯、厚度为5～20nm的电子阻挡层；

五、在电子阻挡层上继续蒸镀厚度为20～40nm的基于膦杂芳基衍生物的热激发延迟荧光主体材料和客体材料双[4-(9,9-二甲基-9,10-二氢吖啶)苯基]硫砜或2,3,5,6-四(3,6-二苯基-9-咔唑基)-对苯二腈的发光层，其中客体材料的掺杂浓度为5％～15％；

六、在发光层上蒸镀材料为DPEPO(二[2-((氧代)二苯基膦基)苯基]醚)、厚度为5～20nm的空穴阻挡层；

七、在空穴阻挡层上蒸镀材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、厚度为20～50nm的电子传输层；

八、在电子传输层上蒸镀材料为氟化锂LiF、厚度为1～30nm的电子注入层；

九、在电子注入层上蒸镀材料为金属Al、厚度为100～200nm的阴极导电层，封装，得到热激发延迟荧光(TADF)电致发光器件。