1.一种用于形成硅氧层的组成物，其特征在于，包括含硅聚合物和溶剂，
其中所述含硅聚合物的重量平均分子量在2,000到100,000范围内，并.且
由方程式1计算的所述含硅聚合物的分支比在0.25到0.50范围内：
方程式1：
η＝k×Ma
其中，在方程式1中，
η是含硅聚合物的固有粘度，
M是含硅聚合物的绝对分子量，
a是分支比，且
k是固有常数。
2.根据权利要求1所述的用于形成硅氧层的组成物，其中所述含硅聚合物的固有粘度在3mg/L到15mg/L范围内。
3.根据权利要求1所述的用于形成硅氧层的组成物，其中所述含硅聚合物的绝对分子量在2,000g/mol到300,000g/mol范围内。
4.根据权利要求1所述的用于形成硅氧层的组成物，其中所述含硅聚合物包含聚硅氮烷、聚硅氧烷或其组合。
5.根据权利要求1所述的用于形成硅氧层的组成物，其中所述溶剂包含由苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、三乙苯、环己烷、环己烯、十氢萘、二戊烯、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙基环己烷、甲基环己烷、环己烷、环己烯、对甲烷、二丙醚、二丁醚、茴香醚、乙酸丁酯、乙酸戊酯、甲基异丁酮以及其组合中选出的至少一种。
6.根据权利要求1所述的用于形成硅氧层的组成物，其中所述含硅聚合物以按所述用于形成硅氧层的组成物的总量计0.1重量％到30重量％的量被包含在内。
7.一种制造硅氧层的方法，其特征在于，包括：
在衬底上涂布根据权利要求1所述的用于形成硅氧层的组成物；
干燥涂布有所述用于形成硅氧层的组成物的所述衬底；以及
使所述用于形成硅氧层的组成物在250℃到1,000℃下固化。
8.一种电子装置，其特征在于，包括根据权利要求7所述的硅氧层。