丙胺、异丙胺、丁胺、己胺）、二烷基胺（例如，二甲胺、乙基甲基胺、丙基甲基胺、丁 基甲基胺、二乙胺、丙基乙基胺、二异丙胺）、三烷基胺（例如，三甲胺、乙基二甲基胺、二乙 基甲基胺、三乙胺、三正丙胺、三正丁胺）、或其任何组合。具有2至6个碳原子的链烷醇胺 (Al)的实例包括单乙醇胺（MEA)、二乙醇胺、三乙醇胺、二甲基氨基乙醇、二乙基氨基乙醇、 2_氨基-2-甲基-1-丙醇、N-(氨基乙基）乙醇胺、N，N-二甲基-2-氨基乙醇、2-(2-氨基 乙氧）乙醇、或其任何组合。链聚胺（A2)的实例包括具有2至5个碳原子的亚烷基二胺、 具有2至6个碳原子的多亚烷基聚胺、或其任何组合。具有2至5个碳原子的亚烷基二胺 的实例包括乙二胺、丙二胺、三亚甲二胺、四亚甲二胺、六亚甲二胺、或其任何组合。具有被 羟基取代的烷基的二胺的实例包括2-羟基乙基氨基丙基胺及二乙醇氨基丙胺。具有2至6 个碳原子的多亚烷基聚胺的实例包括二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、四亚乙基五胺（TEP)、 六亚甲基七胺、亚氨基双丙胺、双（六亚甲基）三胺、五亚乙基六胺、或其任何组合。环胺的 实例包括芳族胺及脂环族胺，及特别包括C6至C20芳族胺（例如，苯胺、苯二胺、甲苯二胺、 二甲苯二胺、亚甲基二苯胺、二苯基醚二胺、萘二胺、蒽二胺）；C4至C15脂环族胺（例如，异 佛尔酮二胺及环己二胺）；C4至C15杂环胺（例如，哌嗪、N-氨基乙基哌嗪、及1，4-二氨基 乙基哌嗪）、或其任何组合。
[0018] 在这些有机胺（A)中，由对钨的抗腐蚀性及移除研磨颗粒的能力的观点来看，由 以下通式⑴表示的烷醇胺（Al)及由以下通式⑵表示的链聚胺（A2)为优选。由移除金 属残留物的能力的观点来看，链聚胺为优选，及四亚乙基五胺为特别优选。
[0019] [式 1]
[0020]
【主权项】
1. 组合物，其包含环状聚胺、具有2至5个羟基的多酚系还原剂、季铵氢氧化物、抗坏血 酸、水和至少一种复合剂，所述复合剂选自具有1至6个碳原子的芳族及脂族的羟基羧酸及 其盐、具有含9至23个碳原子的羟基及含9至23个碳原子的羧基中至少之一的杂环化合 物、及具有6至9个碳原子的膦酸及其盐，其中该组合物适用于自微电子装置的表面移除材 料，其中该微电子装置包含铜布线或铜合金布线，并且其中该环状聚胺由通式（4)和/或通 式（5)表不： [式4]
其中R1表不氣原子、烷基、氣基烷基、或轻烷基；及R2表不烷基、氣基烷基、或轻烷基， [式5]
其中R3表不氣基烷基。
2. 权利要求1的组合物，其中该材料包含CMP后残留物和/或污染物。
3. 权利要求1或2的组合物，其中该多酚系还原剂选自儿茶酚、咖啡酸、茜素、内黄素、 漆酚、黄酮、间苯二酚、氢醌、大黄素、连苯三酚、五倍子酸、槲皮素、儿茶素、及花青素。
4. 权利要求1至3中任一项的组合物，其中该季铵氢氧化物是由以下通式（6)表示的 季铵氢氧化物 [式6]
其中R4至R7各独立地表示具有i至4个碳原子的烷基或具有i至4个碳原子的羟烷 基。
5. 权利要求4的组合物，其中该季铵氢氧化物选自四烷基氢氧化铵、（羟烷基）三烷基 氢氧化按、双（轻烷基）二烷基氢氧化按、及三（轻烷基）烷基氢氧化按。
6. 权利要求1至5中任一项的组合物，其中该环状聚胺选自下组：N-甲基哌嘆、N-乙 基哌嗪、N-异丁基哌嗪、N-氨基甲基哌嗪、N-氨基乙基哌嗪、N-氨基丙基哌嗪、N-羟甲基哌 嗪、N-羟乙基哌嗪、N-羟丙基哌嗪、1，4-二甲基哌嗪、1，4-二乙基哌嗪、1，4-二异丙基哌嗪、 1，4-二丁基哌嗪、1-氨基甲基-4-甲基哌嗪、1-羟甲基-4-甲基哌嗪、1-氨基乙基-4-乙基 哌嗪、1-羟乙基-4-乙基哌嗪、1，4_ (双氨基乙基）哌嗪、1，4_ (双羟乙基）哌嗪、1，4_ (双 氨基丙基）哌嗪、1，4-(双羟丙基）哌嗪、1-氨基乙基-4-羟乙基哌嗪、1-氨基丙基-4-羟 丙基哌嗪、N-氨基乙基吗啉、N-氨基丙基吗啉、N-氨基异丁基吗啉、及其组合。
7. 权利要求1至6中任一项的组合物，其进一步包含至少一种腐蚀抑制剂。
8. 权利要求7的组合物，其中该腐蚀抑制剂包含至少一种选自下组的物质：N-核糖嘌 呤、腺苷、鸟苷、2-氨基嘌呤核糖苷、2-甲氧基腺苷、N-甲基腺苷、N，N-二甲基腺苷、三甲基 化腺苷、三甲基N-甲基腺苷、C-4'-甲基腺苷、3-脱氧腺苷；腺嘌呤、甲基化腺嘌呤、二甲基 化腺嘌呤、N4, N4-二甲基嘧啶-4, 5, 6-三胺、4, 5, 6-三氨基嘧啶、尿囊素、羟基化C-0-0-C 二聚物、C-C桥连二聚物、核糖、甲基化核糖、四甲基化核糖、甲基化水解二核糖化合物；木 糖、葡萄糖、嘌呤、鸟嘌呤、次黄嘌呤、黄嘌呤、可可碱、咖啡因、尿酸、异鸟嘌呤、三氨基嘧啶、 及其组合。
9. 权利要求1至3中任一项的组合物，其中该季铵氢氧化物选自四甲基氢氧化铵、四乙 基氢氧化按、及（轻乙基）三甲基氢氧化按。
10. 权利要求1的组合物，其中所述至少一种复合剂包括脂族羟基羧酸或其盐，或者聚 羧酸或其盐。
11. 权利要求1的组合物，其中基于该组合物的总重量，环状聚胺的量在〇. 001重量％ 至5重量％范围内，具有2至5个羟基的多酷系还原剂的量在0. 001重量％至5重量％范 围内，季铵氢氧化物的量在〇. 01重量％至10重量％范围内，抗坏血酸的量在〇. 01重量％ 至5重量％范围内，复合剂的量在0. 001重量％至0. 5重量％范围内，以及水的量在69. 0 重量％至99. 9重量％范围内。
12. -种自其上具有CMP后残留物及污染物的微电子装置移除该残留物和/或污染物 的方法，该方法包括使该微电子装置与权利要求1至11中任一项的组合物接触足够的时 间，以自该微电子装置至少部分清洁该残留物及污染物，其中该微电子装置包含铜布线或 铜合金布线。
【专利摘要】本发明涉及附有金属布线的微电子装置用清洗剂，其具有用于移除源自抛光剂的抛光颗粒残留物的优异能力及移除绝缘薄膜上的金属残留物的优异能力，且具有对金属布线的优异抗腐蚀性。该清洗剂是在其中形成金属布线(例如，铜或钨)的微电子装置的生产方法中在化学机械抛光后的步骤使用。
【IPC分类】C11D10-02, H01L21-02, C11D7-32, C11D7-60, C11D7-26
【公开号】CN104804903
【申请号】CN201510145641
【发明人】中西睦, 吉持浩, 小路祐吉
【申请人】安格斯公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2011年1月28日
【公告号】CN102770524A, CN102770524B, US9045717, US20130203643, US20150259632, WO2011094568A2, WO2011094568A3