E 8份，PC (聚碳酸酯，数均分子量为15000?25000) 3份，2，6-三级丁基-4-甲基苯酚2份，白油6份，对羟基苯磺酸I份，其中POE为硅烷接枝的POE，POE中辛烯的质量含量为20?30%，密度为0.88±0.015g/cm3，所用硅烷偶联剂为γ —(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷，硅烷偶联剂的使用浓度为2.0 (wt) %，以乙醇的水溶液作为溶剂，乙醇和水以1:6的体积比混合，并于溶液中添加0.35 (wt) %的2-羟基丁二酸。
[0019]屏蔽料的制备方法为，于密炼机内，将EVA、导电炭黑、硅烷交联的POE、2，6_三级丁基-4-甲基苯酚、白油混合均匀，于50?60°C进行初次密炼，然后由单螺杆挤出，再加入PC和对羟基苯磺酸，进行二次密炼，熟胶由双螺杆挤出，造粒和风干，即获得半导电屏蔽料。
[0020]
实施例3
本实施例中电缆用半导电屏蔽料由一下重量份的原料制备而成，EVA 100份，导电炭黑32份，POE 8份，PC 2份，二苯胺3份，聚乙烯蜡和石蜡的混合物5份，对羟基苯磺酸I份，其中POE为硅烷接枝的POE，POE中辛烯的质量含量为20?30%，密度为0.88±0.015g/cm3，所用娃烧偶联剂为乙稀基二乙氧基娃烧，娃烧偶联剂的使用浓度为0.5 (wt) %，以乙醇的水溶液作为溶剂，乙醇和水以1:10的体积比混合，并于溶液中添加0.3 (wt)%的2-羟基丁二酸。
[0021]屏蔽料的制备方法为，于密炼机内，将EVA、导电炭黑、硅烷交联的Ρ0Ε、二苯胺、聚乙烯蜡和石蜡的混合物混合均匀，于50?60°C进行初次密炼，然后由单螺杆挤出，再加入PC和对羟基苯磺酸，进行二次密炼，熟胶由双螺杆挤出，造粒和风干，即获得半导电屏蔽料。
[0022]
实施例4
本实施例中电缆用半导电屏蔽料由一下重量份的原料制备而成，EVA 100份，导电炭黑30份，POE 10份，PP(聚丙烯，数均分子量为80000?120000)2份，双(3，5-三级丁基-4-羟基苯基)硫醚2份，硬脂酸锌4份，对羟基苯磺酸I份，其中POE为硅烷接枝的POE，POE中辛烯的质量含量为20?30%，密度为0.88±0.015g/cm3，所用硅烷偶联剂为γ —(2，3_环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷，硅烷偶联剂的使用浓度为4 (wt)%,以乙醇的水溶液作为溶剂，乙醇和水以1:8的体积比混合，并于溶液中添加0.5 (wt) %的丙烯酸。
[0023]屏蔽料的制备方法为，于密炼机内，将EVA、导电炭黑、硅烷交联的POE、双(3，5_三级丁基-4-羟基苯基)硫醚、硬脂酸锌混合均匀，于50?60°C进行初次密炼，然后由单螺杆挤出，再加入PP和对羟基苯磺酸，进行二次密炼，熟胶由双螺杆挤出，造粒和风干，即获得半导电屏蔽料。
[0024]上述各实施例所得半导电屏蔽料所制备的电缆，具有如下性能指标:
拉伸强度彡lOMPa，断裂伸长率彡200%，密度彡3g/cm3，热延伸长率彡100%，冷却后永久变形< 15%，空气热老化实验拉伸强度变化率< ±20%。
[0025]本发明具有光滑的电缆表面，电缆绝缘层无残留物，耐温性能优良，最高适用温度达150°C，并且适应低温环境下(10C以下)适用，抗拉强度达20MPa，电缆表面强度高，不易磨损。使用本产品制造电缆可以长时间连续开机生产，不但节约能源和材料，而且电缆质量稳定，使用寿命长。
【主权项】
1.一种高强度耐高温硅烷交联电缆用半导电屏蔽料，其特征在于:由如下质量份的原料制备而成: EVA 100份，导电炭黑25?35份，POE 8?12份，改性助剂2?3份，抗氧剂2?3份，增塑剂4?7份，对羟基苯磺酸0.5?2份，其中POE为硅烷交联的Ρ0Ε。2.根据权利要求1所述的高强度耐高温硅烷交联电缆用半导电屏蔽料，其特征在于:所述改性助剂为PP或PC。3.根据权利要求1所述的高强度耐高温硅烷交联电缆用半导电屏蔽料，其特征在于:所述抗氧剂为芳香胺类抗氧剂或受阻酚类抗氧剂。4.根据权利要求3所述的高强度耐高温硅烷交联电缆用半导电屏蔽料，其特征在于:所述芳香胺类抗氧剂包括二苯胺、对苯二胺和二氢喹啉及其衍生物或聚合物，所述受阻酚类抗氧剂包括2，6-三级丁基-4-甲基苯酚、双(3，5-三级丁基-4-羟基苯基)硫醚、四(β - (3，5-三级丁基-4-羟基苯基)丙酸)季戊四醇酯。5.根据权利要求1所述的高强度耐高温硅烷交联电缆用半导电屏蔽料，其特征在于:所述增塑剂为白油、石蜡、硬脂酸、硬脂酸锌、聚乙烯蜡中的一种或两种以上。6.根据权利要求1所述的高强度耐高温硅烷交联电缆用半导电屏蔽料，其特征在于:所述POE中辛烯的质量含量为20?30%。7.根据权利要求1所述的高强度耐高温硅烷交联电缆用半导电屏蔽料，其特征在于:所述硅烷交联的POE所使用的硅烷交联剂的型号为ΚΗ-560、ΚΗ570或ΚΗ-151，使用浓度为0.5 ?6 (wt) %ο8.—种制造权利要求1所述高强度耐高温硅烷交联电缆用半导电屏蔽料的方法，其特征在于:于密炼机内，将EVA、导电炭黑、Ρ0Ε、抗氧剂、增塑剂混合均匀，于50?60°C进行初次密炼，然后由单螺杆挤出，再加入改性助剂和对羟基苯磺酸，进行二次密炼，熟胶由双螺杆挤出，造粒和风干，即获得半导电屏蔽料。
【专利摘要】本发明涉及高强度耐高温硅烷交联电缆用半导电屏蔽料及其制备方法，按质量份计，原料包括：EVA？100份，导电炭黑25～35份，POE？8～12份，改性助剂2～3份，抗氧剂2～3份，增塑剂4～7份，对羟基苯磺酸0.5～2份，其中POE为硅烷交联的POE。于密炼机内，将EVA、导电炭黑、POE、抗氧剂、增塑剂混合均匀，于50～60℃进行初次密炼，然后由单螺杆挤出，再加入改性助剂和对羟基苯磺酸，进行二次密炼，熟胶由双螺杆挤出，造粒和风干，即获得半导电屏蔽料。屏蔽料所获得的电缆成品在低温环境下的强韧度得到了提高，同时电缆亦具有更好的耐高温性能。
【IPC分类】C08K3/04, C08K13/02, C08K5/18, C08K5/098, H01B3/44, C08K5/13, C08L69/00, C08L23/08, C08K5/375, C08K5/42, C08L23/12
【公开号】CN105131413
【申请号】CN201510550514
【发明人】张国清, 张宁, 吴海军, 薛元凤
【申请人】江阴市海江高分子材料有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年9月1日