一种新型二极管半导体专用清洗液的制作方法

文档序号:9627903阅读:199来源:国知局
一种新型二极管半导体专用清洗液的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于半导体工业技术领域,特别涉及一种新型二极管半导体专用清洗液。
【背景技术】
[0002] 二极管是现代微电子行业发展的基础,早在上世纪二极管制作工艺就已经非常成 熟并大量应用于电子行业的各个领域,随着电子微电子产业的迅速发展,二极管等分立器 件已经成为微电子企业中利润较低,技术含量较低的行业,为了保证一定的利润,在二极管 行业中使用大量对人体有害的物质作为清洗二极管表面的清洗液,如何在保证效果的情况 下研制低成本、无污染的新型清洗液就成了刻不容缓的要求。
[0003] 迄今为止,各种清洗方式中,以化学清洗居多,即使用化学清洗剂以某一设定的清 洗流程,对电子元件,尤其是二极管进行清洗;因而,中国专利号为201410650324. X提出了 一种二极管专用清洗液,其包括以下成分的重量百分比:季铵氢氧化物1~3%,醋酸/醋酸 钠缓冲水溶液2~6%,柠檬酸/柠檬酸盐缓冲水溶液2~6%, 烷基二醇芳基醚5~8%,表面活性剂3~5%,烷基苄基二甲基氯化铵8~10%,增效 剂8~10%,乙醇8~10%,去离子水余量;合理配置各有效组分以及溶剂的用量,在室温下 就能够快速、彻底的降低清洗液本身的表面张力,使得清洗液具有水溶性好,渗透力强的特 点,且不污染环境;但是其不能有效降低对晶片及基材的腐蚀,进而会影响产品的质量。
[0004] 因此,研发一种在室温下就能够快速、彻底的降低清洗液本身的表面张力且能够 降低对晶片及基材的腐蚀的新型二极管半导体专用 清洗液是非常有必要的。

【发明内容】

[0005] 本发明要解决的技术问题是提供一种在室温下就能够快速、彻底的降低清洗液本 身的表面张力且能够有限降低对晶片及基材的腐蚀的新型二极管半导体专用清洗液。
[0006] 为解决上述技术问题,本发明的技术方案为:一种新型二极管半导体专用清洗液, 其创新点在于:包括以下重量份的组分: 季铵氢氧化物 2~4份; 聚丙烯酸类缓蚀液 4~14份; 烷基二醇芳基醚 6~8份; 表面活性剂 2~6份; 烷基苄基二甲基氯化铵9~11份; 增效剂 9~11份; 乙醇 9~11份; 去呙子水 37~57份。
[0007] 进一步地,所述聚丙烯酸类缓蚀液为选自丙烯酸聚合物及其共聚物、甲基丙烯酸 聚合物及其共聚物、丙烯酸聚合物的醇胺盐以及甲基丙烯酸聚合物的醇胺盐中的一种。
[0008] 进一步地,所述表面活性剂为醇醚和酚醚表面活性剂的混合物,所述醇醚与酚醚 的质量比为1~2:1~4。
[0009] 进一步地,所述增效剂为含有CU2+的混合液,所述混合液为胺皂和酰胺的混合物, 其中胺皂和酰胺的混合比例为2~3:7~8。
[0010] 本发明的优点在于: (1) 本发明的新型二极管半导体专用清洗液中合理配置各有效组分以及溶剂的用量, 在室温下就能够快速、彻底的降低清洗液本身的表面张力,使得清洗液具有水溶性好,渗透 力强的特点; (2) 本发明的新型二极管半导体专用清洗液,选用聚丙烯酸类缓蚀液和醇醚和酚醚表 面活性剂的混合物,且确定了合理的配比,能够有效阻止卤素原子、氢氧根离子等对晶片图 形和基材的攻击,降低对晶片图形和铜金属,以及二氧化硅等非金属基材的腐蚀,进而有效 降低对晶片及基材的腐蚀,从而提尚广品的质量; (3) 本发明的新型二极管半导体专用清洗液,为含有CU2+的增效剂,对金属的腐蚀表现 出良好的抑制作用,并且能够在基材表面形成一层保护膜; (4) 本发明的新型二极管半导体专用清洗液,选用的各配方成分均不污染环境,没有危 险性,不会破坏大气层,清洗后的废液便于处理排放,保证环保。
【具体实施方式】
[0011] 下面的实施例可以使本专业的技术人员更全面地理解本发明,但并不因此将本发 明限制在所述的实施例范围之中。
[0012] 实施例1 本实施例新型二极管半导体专用清洗液,包括以下重量份的组分:季铵氢氧化物2份; 甲基丙烯酸聚合物及其共聚物4份;烷基二醇芳基醚6份;醇醚和酚醚表面活性剂2份;烷 基苄基二甲基氯化铵9份;含CU2+增效剂9份;乙醇9份;去离子水57份。
[0013] 实施例2 本实施例新型二极管半导体专用清洗液,包括以下重量份的组分:季铵氢氧化物4份; 丙烯酸聚合物及其共聚物14份;烷基二醇芳基醚8份;醇醚和酚醚表面活性剂6份;烷基 苄基二甲基氯化铵11份;含CU2+增效剂11份;乙醇11份;去离子水37份。
[0014] 实施例3 本实施例新型二极管半导体专用清洗液,包括以下重量份的组分:季铵氢氧化物3份; 甲基丙烯酸聚合物的醇胺盐9份;烷基二醇芳基醚7份;醇醚和酚醚表面活性剂4份;烷基 苄基二甲基氯化铵10份;含CU2+增效剂10份;乙醇10份;去离子水47份。
[0015] 下表是实施例1~3的清洗液用于试验的检测结果:
上表中良好表示异物的残留面积不超过试片面积的3%,优秀表示异物的残留面积不超 过试片面积的1%,因而实施例3各组分的配比为最佳配比。
[0016] 以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征以及本发明的优点。本行业的技 术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明 本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些 变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及 其等效物界定。
【主权项】
1. 一种新型二极管半导体专用清洗液,其特征在于:包括以下重量份的组分: 季铵氢氧化物 2~4份; 聚丙烯酸类缓蚀液 4~14份; 烷基二醇芳基醚 6~8份; 表面活性剂 2~6份; 烷基苄基二甲基氯化铵9~11份; 增效剂 9~11份; 乙醇 9~11份; 去呙子水 37~57份。2. 根据权利要求1所述的新型二极管半导体专用清洗液,其特征在于:所述聚丙烯酸 类缓蚀液为选自丙烯酸聚合物及其共聚物、甲基丙烯酸聚合物及其共聚物、丙烯酸聚合物 的醇胺盐以及甲基丙烯酸聚合物的醇胺盐中的一种。3. 根据权利要求1所述的新型二极管半导体专用清洗液,其特征在于:所述表面活性 剂为醇醚和酚醚表面活性剂的混合物,所述醇醚与酚醚的质量比为1~2:1~4。4. 根据权利要求1所述的新型二极管半导体专用清洗液,其特征在于:所述增效剂为 含有CU2+的混合液,所述混合液为胺皂和酰胺的混合物,其中胺皂和酰胺的混合比例为 2~3:7~8〇
【专利摘要】本发明涉及一种新型二极管半导体专用清洗液,包括以下重量份的组分:季铵氢氧化物2~4份;聚丙烯酸类缓蚀液4~14份;烷基二醇芳基醚6~8份;表面活性剂2~6份;烷基苄基二甲基氯化铵9~11份;增效剂9~11份;乙醇9~11份;去离子水37~57份。本发明的优点在于:本发明的新型二极管半导体专用清洗液中合理配置各有效组分以及溶剂的用量,在室温下就能够快速、彻底的降低清洗液本身的表面张力,使得清洗液具有水溶性好,渗透力强的特点;选用的各配方成分均不污染环境,没有危险性,不会破坏大气层,清洗后的废液便于处理排放,保证环保。
【IPC分类】C11D10/04, C11D1/835, C11D3/60, C11D3/37
【公开号】CN105385518
【申请号】CN201510817767
【发明人】黄丽凤
【申请人】如皋市大昌电子有限公司
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年11月24日
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